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1.
基于移动有限长线热源模型和钻孔内的准三维模型,建立了渗流条件下分层管群换热器钻孔内外耦合传热的解析模型。比较了不同运行时间下分层和均质岩土中钻孔壁面的温度分布及地埋管换热器的出口温度。在不同钻孔位置、不同热流密度和不同渗流速度下,研究了不同周向位置和深度方向的钻孔壁面温度下所对应的地埋管出口温度。结果表明:对于渗流条件下的分层管群解析模型,如果将分层岩土视为均质岩土,将会导致边缘中间钻孔埋管出口温度产生6.8%偏差。钻孔壁面温度的选取应同时考虑钻孔周向位置和深度方向二重积分的平均值。越靠近管群上游,热流密度和渗流速度越大的钻孔,在不同周向位置的钻孔壁面温度下,地埋管换热器的出口温度相差越大。  相似文献   
2.
本文利用同构关系与解析方法研究了值域与核的基和维数,弄清了值域与核的几何结构,通常的维数公式是其推论,然后列举若干例子阐明其应用.  相似文献   
3.
银行利率给出了一个简单计算方法 ,这种方法更符合中学生思维的习惯 .  相似文献   
4.
脂质体能够作为药物载体,具有疏水特性的柱芳烃和配体分子自发嵌入到磷脂双分子层膜后可构建抗生素缓释体系。实验结果表明,包载在脂质体内部的抗生素能够通过柱芳烃通道向外释放,在1 800 s时,释放率可以达到99.51%。配体分子在与柱芳烃结合后会阻塞柱芳烃通道,阻碍抗生素向外释放,当配体分子和柱芳烃配比为1∶1时,脂质体内部抗生素释放速率几乎趋近于0。  相似文献   
5.
蒋从双  王芳  户文成  王宽  李贤徽 《声学学报》2024,104(5):1099-1107
宽频微穿孔板结构因面板较薄、孔径较小且穿孔率较高难以大规模推广应用, 因此提出将微穿孔板分离为支撑部件和吸声部件, 形成大孔基板复合微缝薄膜的微裂缝吸声板。理论计算了该结构的声阻抗率, 仿真分析了孔缝内外声场以及各部段的声阻抗率, 并基于仿真数据提出了考虑热黏性效应的狭长缝声阻抗末端修正模型。实验验证了微裂缝板的吸声性能, 理论、仿真和实验结果一致性良好。研究表明, 大孔基板的厚度占比较大, 声学贡献较小, 为整体结构提供了良好的支撑、通透和保护作用; 微缝薄膜的厚度占比较小, 为整体结构提供了优异的吸声功能。  相似文献   
6.
以1-(2-萘基)-3-甲基-5-吡唑啉酮(NMP)作为柱前衍生试剂,建立了简单、灵敏的糖类组分的反相高效液相色谱测定方法。NMP与糖在氨为催化剂的条件下,于70 ℃下反应可获得稳定的衍生产物。在Hypersil ODS 2反相色谱柱上,实现了8种单糖的基线分离。衍生物线性相关系数均大于0.9985,检出限为0.58~1.1 pmol。利用柱后在线串联质谱的电喷雾电离正离子模式监测,获得了各组分的质谱定性及裂解规律,特别是m/z 473的特征碎片离子可作为单糖NMP衍生物的判定依据。与1-苯基-3-甲基-5-吡唑啉酮(PMP)相比,NMP对糖的衍生化具有灵敏、简单、质谱裂解规律性强、重现性好等优点。该方法用于测定油菜花粉多糖中的单糖组成,结果令人满意。  相似文献   
7.
应用PXI总线、扩频通信、软件无线电等技术,设计并开发了一种小卫星扩频应答机模拟器,可作为真实应答机的替代产品参与卫星初样产品桌面联试、与地面站对接等试验.同时基于PXI总线的灵活架构以及模块化设计思路,可实现快速升级,为新算法提供通用验证平台。采用成熟的地面测试设备以及星上产品与该系统进行联试,验证了该应答机模拟器调制、解调等信号处理功能的正确性和有效性。  相似文献   
8.
射频涡旋电磁波等相位面呈涡旋状,是一种携有新自由度-轨道角动量的电磁波。在轨道角动量模式理论分析的基础上,提出了在中心频率6 GHz处产生携有轨道角动量的涡旋电磁波的一种圆微带天线阵新结构,设计了以双层圆形微带天线为阵元组成的圆形阵列天线,通过控制馈源的相位差,得到模式量子数为0,1,2, 3, 4的轨道角动量。仿真结果表明:携轨道角动量的电磁波矢量电场图具有涡旋波阵面的特性,合适的阵列半径和馈线排列分布将产生携有良好轨道角动量特性的涡旋电磁波,而不当的阵列半径或馈线排列分布将出现能量的分散或者相互耦合的问题。  相似文献   
9.
射频涡旋电磁波等相位面呈涡旋状,是一种携有新自由度-轨道角动量的电磁波。在轨道角动量模式理论分析的基础上,提出了在中心频率6 GHz处产生携有轨道角动量的涡旋电磁波的一种圆微带天线阵新结构,设计了以双层圆形微带天线为阵元组成的圆形阵列天线,通过控制馈源的相位差,得到模式量子数为0,1,2, 3, 4的轨道角动量。仿真结果表明:携轨道角动量的电磁波矢量电场图具有涡旋波阵面的特性,合适的阵列半径和馈线排列分布将产生携有良好轨道角动量特性的涡旋电磁波,而不当的阵列半径或馈线排列分布将出现能量的分散或者相互耦合的问题。  相似文献   
10.
本文通过水热法在u-GaN(undoped GaN)/Al2 O3和p-GaN/Al2O3衬底上制备了ZnO纳米棒阵列.利用X射线衍射仪(XRD)、高分辨X射线衍射仪(HRXRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)、原子力显微镜(AFM)和光致发光谱(PL)对样品进行表征,研究在无种子层和金属催化剂情况下u-GaN/Al2 O3和p-GaN/Al2O3衬底对ZnO纳米棒生长的影响.结果表明,在u-GaN和p-GaN上生长的ZnO纳米棒均为六方纤锌矿结构.在p-GaN上生长的ZnO纳米棒直径较细且密度更大,这可能是由于p-GaN界面比较粗糙,界面能量较大,为ZnO的生长提供了更多的形核区域;与生长在u-GaN上的ZnO纳米棒阵列相比,p-GaN上所沉积的ZnO纳米棒在378.3 nm处有一个较强的近带边发射峰,且峰强比较大,说明在p-GaN上所制备的ZnO纳米棒的晶体质量和光学性能更好.  相似文献   
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