颗粒细化过程中Si粉的微观结构变化对其在KOH水溶液中制氢性能的影响

研究了高能球磨对Si粉微观结构和水解制氢性能的影响。球磨过程中,颗粒尺寸不断减小,非晶转变发生,晶界、内应力、位错以及晶格变形等微观缺陷不断增加,有利于提高Si粉的制氢性能;但随着球磨时间的延长,颗粒团聚趋于严重,粉末氧化不断加剧,降低了Si粉的制氢性能。当球磨时间为1 h,Si粉具有最优的制氢性能,70℃水解时其放氢量为1 484.2 mL·g_Si^-1,但由于水解副产物SiO₂包覆在Si表面导致其转化率为94%,无法继续完全水解。     

Numerical study of a highly sensitive surface plasmon resonance sensor based on circular-lattice holey fiber

A new design of surface plasmon resonance (SPR) sensor employing circular-lattice holey fiber to achieve high-sensitivity detection is proposed. The sensing performance of the proposed sensor is numerically investigated and the results indicate that our proposed SPR sensor can be applied to the near-mid infrared detection. Moreover, the maximum wavelength sensitivity of our proposed sensor can reach as high as 1.76×10⁴ nm/refractive index unit (RIU) and the maximum wavelength interrogation resolution can be up to 5.68×10^-6 RIU when the refractive index (RI) of analyte lies in (1.31, 1.36). Thanks to its excellent sensing performance, our proposed SPR sensor will have great potential applications for biological analytes detection, food safety control, bio-molecules detection and so on.     

Optimizing Design of Breakdown Voltage to Eliminate Back Gate Bias Effect in Silicon-on-Insulator Diode Using Low Doping Buried Layer

This work presents the optimal design of a silicon-on-insulator （SOI） diode structure to eliminate the back gate bias effect and to improve breakdown voltage. The SOI structure is characterized by inserting a silicon low doping buried layer （LDBL） between the silicon layer and the buried oxide layer. The LDBL thickness is a key parameter that affects the strong inversion condition of the back MOS capacitor of the new SOI diode. The optimal LDBL thickness in the SOI diode is 2.65μm.The LDBL shielding layer improved the breakdown voltage.     

基于表面等离子体共振的新型超宽带微结构光纤传感器研究

基于表面等离子体共振的微结构光纤传感器具有高灵敏、免标记和实时监控等优点.如今,由于此类传感器广泛应用于食品安全控制、环境检测、生物分子分析物检测等诸多领域而受到大量研究.然而,目前所报道的绝大多数此类传感器只能应用于可见光或近中红外传感.因此,对可应用于中红外传感的表面等离子体共振微结构光纤传感器的研究是一项极具挑战性的工作.基于此,本文设计了一种可以工作在近红外和中红外区域的新型高灵敏表面等离子体共振微结构光纤传感器.传感器采用双芯单样品通道结构,该结构不仅可以消除相邻样品通道间的相互干扰和提高传感器的信噪比,还可以在超宽带波长范围内实现高灵敏检测.采用全矢量有限元法对其传感特性进行了系统的研究,研究结果表明:当待测样品折射率分布在1.423—1.513范围内时,传感器不仅可以在1.548—2.796μm的超宽带波长范围内进行工作,而且其平均灵敏度高达13964 nm/RIU.此外,传感器的最高波长灵敏度和折射率分辨率分别为17900 nm/RIU,5.59×10^–7 RIU.     

基于光电负反馈的激光混沌串联同步系统研究

提出了一种新的混沌中继系统，该系统基于光电负反馈的激光混沌串联同步.对该系统的同步性以及激光器内部参数失配对其同步性的影响进行了研究，并与基于光反馈的激光混沌串联同步系统进行了比较.研究结果表明：当系统参量满足一定条件时，该系统能实现完全同步；当激光器内部参数失配时，其混沌同步性会受到一定的影响，但该系统的混沌同步性对参数失配的容忍性要比基于光反馈的系统好得多.     

颗粒细化过程中Si粉的微观结构变化对其在KOH水溶液中制氢性能的影响（英文）

研究了高能球磨对Si粉微观结构和水解制氢性能的影响。球磨过程中,颗粒尺寸不断减小,非晶转变发生,晶界、内应力、位错以及晶格变形等微观缺陷不断增加,有利于提高Si粉的制氢性能;但随着球磨时间的延长,颗粒团聚趋于严重,粉末氧化不断加剧,降低了Si粉的制氢性能。当球磨时间为1 h,Si粉具有最优的制氢性能,70℃水解时其放氢量为1 484.2 m L·g~(-1)Si,但由于水解副产物SiO_2包覆在Si表面导致其转化率为94%,无法继续完全水解。