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1.
文[1]对2004年高考江苏卷第20题的探索是很有意义的,令人耳目一新,笔者通过挖掘隐含在问题内部的研究性材料进行推广,既能让学生真正掌握所涉及的内容,又利于其探究能力的培养.在此本着“数列中对一切正整数恒成立问题的解法及文[1]推广4的解答错误”的想法,给出该类问题的另一 相似文献
2.
3.
光电效应是物理光学中揭示光的本性的重要内容.根据中专物理教学的特点和我校光导纤维通信专业对物理知识的需求,既不可能在理论上讲得过多、过深、过于严密,也不能仅在黑板上画实验,照课本念规律.必须明确:学生在物理课程中学到的物理科学知识,受到的观察、实验、思维、科学态度和科学方法的训练以及受到的思想教育,将是他们继续学习科学技术和投身祖国社会主义现代化建设的重要基础.下面谈谈我在"光电效应"一书教学中的一些体会和做法.五以实验为基础,获取感性认识首先安排导向性演示实验步骤:门)在无紫外线灯照射下闭合电键… 相似文献
4.
Exact Solution of an Extended Hubbard Model with Electron—Lattice Interaction for an Organic Ferromagnetic Polymer 下载免费PDF全文
Using an exact diagonalization method,we study an extended Hubbard model with an electron-lattice interaction for an organic ferromagnetic chain with radical coupling.The result shows that the ferromagnetic ground state originates from the antiferromagnetic correlation between adjoining sites,which is enhanced by the on-site e-e repulsion.The intersite e-e repulsion induces the inhomogeneous distribution of the charge density.The dimerization is decreased by the e-e interaction and the radical coupling.The electron-lattice interaction and the radical coupling can transfer the spin density and charge density between the main chain and the radicals. 相似文献
5.
6.
采用魔角核磁共振(MAS NMR)研究了稀土掺杂B2O3-Al2O3-SiO2玻璃的结构及其组成和热处理等因素对玻璃结构的影响。研究发现,在B2O3-Al2O3-SiO2玻璃结构中,硼的配位主要是三角体[BO3]和[BO4],铝的配位主要是[AlO4],[AlO5]和少量的[AlO6]。随着B2O3-Al2O3-SiO2玻璃中BaO含量的增加,[BO3]逐渐向[BO4]转变,[AlO5]和[AlO5]也转变为[AlO4]。此外,由于稀土离子比钡离子更高的离子场强,其能够积聚硼氧结构使得其形成了巨大的网络结构。随着稀土掺量的增加,玻璃结构中的硅氧配位逐渐以Q4(3T)为主。热处理对玻璃结构中的硼氧和铝氧配位影响很小。 相似文献
7.
当用“9”这个较为特殊的数去乘一个两位数时,采用排积法,不仅速度快,乘积结果准确,而且饶有兴趣。 “9”乘一个两位数,除了乘“11”而外,乘积都是一个三位数。我们拟3个排积法口诀; 相似文献
8.
首先简单介绍超冷原子注入的微脉塞(MAZER)的基本理论和研究进展,然后具体介绍我们目前关于超冷V型三能级原子注入的双模微脉塞(双模MAZER)的研究工作.我们研究了原子相干性对这种双模MAZER系统中原子的发射几率和原子通过腔的透射几率的影响.结果表明,原子的发射几率随腔长变化的曲线中存在共振峰和非共振平台;当两个模的耦合强度之比一定时,不同注入原子相干性对应的发射几率共振峰呈现出相当大的区别.在原子透射几率随原子动量的变化曲线中也存在共振峰和非共振平台.腔长对原子的速度具有选择性,当腔长给定时,通过适当选择原子的相干参量,可调节原子通过腔的透射几率,从而可对原子的速度进行选择. 相似文献
9.
10.
Reduction of Dislocations in GaN Epilayer Grown on Si (111) Substrates using a GaN Intermedial Layer 下载免费PDF全文
GaN intermedial layers grown under different pressures are inserted between GaN epilayers and AIN/Si(111) substrates. In situ optical reflectivity measurements show that a transition from the three-dimensional (3D) mode to the 2I) one occurs during the GaN epilayer growth when a higher growth pressure is used during the preceding GaN intermedial layer growth, and an improvement of the crystalline quality of GaN epilayer will be made. Combining the in situ reflectivity and transmission electron microscopy (TEM) measurements, it is suggested that the lateral growth at the transition of growth mode is favourable for bending of dislocation lines, thus reducing the density of threading dislocations in the epilayer. 相似文献