有机化合物电子光谱中的助色基及其作用机理探讨(Ⅰ)

本文就电子光谱中助色基的作用进行了讨论 ,认为不能一概地认为助色基能使与之相连的生色基最大吸收波长统统发生红移 ,而应具体问题具体分析 :对于n→π 来说 ,一方面助色基的p轨道和生色基的最低π 反键空轨道相互作用 ,使π 反键轨道能量上升 ,另一方面助色基的p轨道和生色基的n轨道正交 ,n轨道能量基本保持不变 ,因此n→π 跃迁能增加 ,吸收波长发生蓝移。对于π→π 跃迁来说 ,助色基的p轨道和生色基的最高π成键轨道相互作用生成的新的最高π成键轨道 ,能量虽然有所升高 ,但升高的程度与π 反键轨道升高的程度相比 ,在一些化合物中π轨道升高程度较大 ,因而π→π 跃迁能减小 ,吸收波长发生红移 ;在另一些化合物中π轨道升高程度较小 ,因而π→π 跃迁能增加 ,吸收波长发生蓝移。     

常压化学气相沉积技术生长ZnO:H薄膜的光学性质

采用常压金属有机物化学气相沉积技术(AP-MOCVD),以二乙基锌(DEZn)为Zn源,去离子水(H2O)为氧源,N2作载气,在外延ZnO薄膜的反应气氛中通入少量氢气,在c-Al2O3衬底上生长出了ZnO∶H薄膜。用X射线双晶衍射和光致发光谱对ZnO∶H薄膜的结晶性能和光学性质进行表征。结果表明,ZnO∶H薄膜(002)和(102)面的Ω扫描半峰全宽分别为46.1 mrad和81.4 mrad,表明该薄膜具有良好的结晶性能;室温下,ZnO∶H薄膜具有较强的紫外光发射(380 nm),在低温10 K光致发光谱中观测到位于3.3630 eV处与氢相关的中性施主束缚激子峰(I4)及其位于3.331 eV处的双电子卫星峰(TES)。采用退火的方法,通过观测I4峰的强度变化,研究了氢在ZnO∶H薄膜中的热稳定性。发现随着退火温度的升高,I4峰的强度逐渐减弱,表明在高温下退火,氢会从ZnO薄膜中逸出。     

春季南黄海表层海水中二氧化碳的分布特征及其影响因素

根据2007年4月南黄海区块(SYS)表层海水中二氧化碳分压(pCO₂)的连续走航数据,结合水温(T)、盐度(S)、叶绿素 (Chla)以及pH的同步观测资料,对该海域pCO₂分布特征及其主要影响因素进行了初步探讨。分析结果表明：春季南黄海pCO₂的范围在365.2~734.9 μatm之间,平均值为548.0 μatm;最高值出现在121.5°E,33.4°N海域,最低值出现在123°E,32.3°N海域。受海水中物理、化学和生物因素的综合影响,pCO₂的分布存在较大的不均匀性,总体上表现为西部高于东部,中间高于南北两边;在苏北浅滩和鲁南海区,pCO₂与水温的变化呈正相关关系,与盐度的大小呈明显的负相关关系,而在长江入海口变化趋势则相反;此外,在整个调查海区pCO₂与叶绿素、pH基本上呈负相关关系。研究将两台检测器串联进行互校,同时利用二氧化碳标准气体对其中一台仪器进行全程校准,可连续不间断观测海水和大气中的pCO₂。该方法操作简单,获得的数据准确可靠,可为节能减排能力建设提供技术支持。     

InGaN/GaN多量子阱蓝光LED外延片的变温光致发光谱

利用MOCVD在Al_2O_3(0001)衬底上制备InGaN/GaN MQW结构蓝光LED外延片。以400 mW中心波长405 nm半导体激光器作为激发光源,采用自主搭建的100～330 K低温PL谱测量装置,以及350～610 K高温PL测量装置,测量不同温度下PL谱。通过Gaussian分峰拟合研究了InGaN/GaN MQW主发光峰、声子伴线峰、n-GaN黄带峰峰值能量、相对强度、FWHM在100～610 K范围的温度依赖性。研究结果表明:在100～330 K温度范围内,外延片主发光峰及其声子伴线峰值能量与FWHM温度依赖性,分别呈现S与W形变化;载流子的完全热化分布温度约为150 K,局域载流子从非热化到热化分布的转变温度为170～190 K;350～610 K高温范围内,InGaN/GaN MQW主发光峰峰值能量随温度变化满足Varshni经验公式,可在MOCVD外延生长掺In过程中,通过特意降温在线测PL谱,实时推算掺In量,在线监测外延片生长。以上结果可为外延片的PL发光机理研究、高温在线PL谱测量设备开发、掺In量的实时监测等提供参考。     

电化学方法在重有机合成中的应用——一、丙烯腈加氢二聚合成己二腈 二、已二腈电解加氢合成己二胺

1.绪言高分子工业的发展,需要探索原料合成的新方法,以滿足获得高分子单体的需要。在解决以上間題方面,新的电化学方法近年来得到了发展,已二胺是合成尼龙纤维的重要原料。目前合成己二胺的最好方法是将已二酸在400℃时与氨的催化反应其他較重要的方法有:1,4-二氯丁烷与腈化鈉作用得己二腈而后     

聚乙烯的表面光接枝改性研究进展

综述了紫外光引发接枝改性聚乙烯表面的研究进展,包括光接枝聚合机理,改性方法,接枝链的结构和形态,影响因素等。     

药物青蒿素与溶菌酶相互作用研究

应用荧光光谱、紫外-可见光谱法研究了青蒿素与溶菌酶的相互作用,发现青蒿素对溶菌酶荧光有猝灭作用。以Lineweaver-Burk双倒数方程和能量传递原理分别计算了二者反应的结合常数(K25℃=646.4L/mol,K35℃=518.8L/mol)和作用距离(r=3.08nm)。实验表明,随着温度升高,溶菌酶与青蒿素的猝灭曲线斜率降低,证明了二者的相互结合作用为单一的静态猝灭过程,其作用机制属能量转移机制。通过测定热力学参数,判断了青蒿素和溶菌酶之间的作用力类型,青蒿素与溶菌酶以疏水作用力相结合,导致溶菌酶内源荧光的静态猝灭。通过青蒿素与溶菌酶的结合反应,探讨了药物青蒿素在生物体内与蛋白酶的相互作用机理。     

分子印迹材料研究进展

本文简要综述了分子印迹的原理、制备技术,着重介绍了与膜材料、磁性材料、纳米材料和复合材料相结合的分子印迹技术的应用与发展。     

有双重固硫作用的PEDOT包覆MnO_2纳米管阴极用于高性能的锂硫电池（英文）

制备了α-MnO_2纳米管作为硫的宿主材料,将硫填充到α-MnO_2管的中空部分,并通过原位聚合法在α-MnO_2外层包覆一层薄层聚(3,4-乙烯二氧噻吩)(PEDOT)进一步束缚硫。这样一种双重固硫的阴极材料S@α-MnO_2-PEDOT在锂硫电池中体现出了高的性能。在电流密度1 675 mA·g~(-1)(1C)下循环200圈,容量为774.4 mAh·g~(-1),且在电流密度为3 350 mA·g~(-1)(2C)下容量达854.1 mAh·g~(-1),体现出良好的循环稳定性和倍率性能。这些显著的性能得益于阴极材料新颖的结构。在这种结构中,α-MnO_2纳米管不仅能对硫起到物理限制作用,而且增强了硫宿主材料和多硫化物间的化学相互作用。同时,PEDOT的引入增强了含硫纳米复合材料的导电性,并进一步减少了由于体积变化和多硫化锂的过度溶解引起的硫的损失。