~(58,60,62,64)Ni25.1MeV质子非弹性散射研究及其低激发态能谱和B(E2)比率的IBA分析

使用上海原子核研究所1.4m等时性迥旋加速器提供的25.1MeV质子束,测量了偶镍同位索弹性散射和第一激发态2_~+的非弹性散射微分截面。用零程扭曲波玻恩近似(DWBA)作理论分析,得到~(58,60,62,64)Ni 2_1~+态的四极形变参数β_2分别为0.23、0.28,0.25,0.21。采用相互作用玻色子近似(IBA)计算了这些核低激发态能谱及其约化电跃迁几率B(E2)。并对IBA唯象参数作了初步的准粒子无规位相近似(QPRPA)微观计算。     

退火温度对6H-SiC衬底上ZnO薄膜发光性质的影响

采用溶胶-凝胶方法,在6H-SiC衬底上制备ZnO薄膜.X射线衍射结果表明薄膜是c轴取向的,具有六方纤锌矿多晶结构.研究了退火温度对ZnO薄膜发光特性的影响.发现在650℃退火温度下,观察到近带边紫外发射和可见光发射并且紫外发光强度大于可见光发射.随着退火温度的提高,紫外峰强度减弱直至消失,而绿光发射强度先增加而后降低.对退火温度引起ZnO薄膜发光性质改变的机制进行了探讨.     

A≤208核区的矮共振现象及自旋同位旋偶极振荡

本文采用不同的两体力对Pb²⁰⁸的1^-态及其E1跃迁做了粒子空穴计算,对Hg²⁰⁰、Pt¹⁹⁴、W¹⁸⁴等核,以BCS波函数为基矢也做了同样的计算。计算结果与实验结果在总的趋势上是相符的。此外,计算指出了低l组态的E1跃迁从巨共振的退耦合和低能处的自旋-同位旋振荡以及表明了自旋轨道耦合力对矮共振的影响。     

重铬酸盐-聚乙烯醇作为全息实时记录材料的研究及应用

本文报道了将重铬盐酸-聚乙烯醇用作全息的实时记录介质的新发现.这种感光材料的分光感度和分辨率同重铬酸明胶不相上下,衍射效率可达30%左右.其独特之处是能够实时显影、原位用热或光定影,用它制作的全息图还具有耐高温、耐潮湿和不发霉等优点.文中分析了重铬酸盐-聚乙烯醇的感光成像机理和全息记录特性,最后还给出了这种材料在实时干涉计量、全息存贮及特征识别三个实验中运用的结果.     

铅(208)集体3~-态电四极矩、电八极跃迁和跃迁密度的研究——生成坐标方法的应用

用生成坐标方法(GCM)~([1]_α)考虑集体3~-态与非集体粒子空穴对(ph)_(l~ )耦合模型计算了铅(208)3~-集体态的电四极矩Q_([3~-])、电八极约化跃迁几率B(E3)和跃迁密度ρ_(3~-)~(tr)随核的径向距离r的变化曲线。结果是:Q_([3~-])=-0.098eb,B(E3)=38w.u.。计算中没有像通常那样假设一个有效核子电荷而是在GCM框架下考虑核心激发进行微观计算,其结果与实验符合,说明GCM能够对核元激发的耦合作微观研究。     

~(208)Pb核表面多极振荡对1~ 态M1跃迁影响的问题

本文用生成坐标方法(GCM)探讨了~(208)Pb核表面多极振荡对1~ 态M1跃迁影响的问题。计算结果表明集体性最强的八极振荡态的影响是最主要的。     

+1/-1相位掩模板和532nm激光下低损耗As_2S_3硫系光纤布喇格光栅的制备

采用改进型Sagnac干涉光栅写入系统,利用532nm准带隙光曝光源和带+1/-1衍射级的相位掩模板,在两种不同直径的低损耗As_2S_3硫系玻璃光纤上刻写布喇格光栅,并研究曝光期间光栅的动态特性.实验表明,As_2S_3光纤布喇格光栅透射峰值随光纤直径的减小而增强;在曝光过程中,布喇格波长先是较快地向短波长方向移动,随着曝光时间的延长,布喇格波长缓慢地向长波长方向回复.曝光时间为800~1 000s时,在包层直径为140μm的As_2S_3光纤上获得质量良好的布喇格光栅光谱,其透射峰值可达-2.6dB,带宽为0.37nm.对As_2S_3硫系光纤纤芯的光敏性分析结果表明,折射率调制幅度和平均折射率变化随曝光时间分别可达到10-4和10-3数量级.     

霍尔传感器温度漂移补偿电路设计

霍尔传感器作为一种半导体器件,其灵敏度随着温度变化而产生漂移的特性,限制了其在高精度磁场测量场合的应用。传统的温度补偿方法虽然对温度变化的一次项进行了完全补偿,但是却引入了温度变化二次项的误差。因此,对于温度变化显著的高精度测量场合,传统温度补偿法将不再适用。设计了一种闭环反馈电路,通过温度传感器采集温度信号,与信号处理电路的最终输出信号进行运算后送回信号处理电路的输入端进行补偿,而并不是简单地将温度信号与霍尔信号的输入信号进行相加后送入信号处理电路。仿真分析结果表明,通过调节补偿电路的反馈比例系数与霍尔芯片温度漂移系数,可以完全补偿霍尔芯片的灵敏度漂移。因此,这种闭环补偿方法可以不引入与温度变化二次项有关的误差,消除因温度变化产生的漂移,不仅适用于霍尔传感器,也适用于其他会随着温度漂移的传感器。     

一种基于三阶Volterra滤波器的混沌时间序列自适应预测方法

基于Takens的相空间延迟坐标重构,研究了用于混沌信号预测的三阶Volterra滤波器的一种乘积耦合近似实现结构,并应用于典型的低维混沌时间序列和具有高维混沌特性的EEG信号的预测.数值研究表明:这种滤波器结构对于低维混沌时间序列的预测精度可以比二阶Volterra滤波器提高103倍,而且能够较好地对一些具有高维混沌特性的EEG信号进行预测 关键词： 混沌 非线性自适应预测 三阶Volterra滤波器 electroencephalography信号     

Effect of Ag Doping on Optical and Electrical Properties of ZnO Thin Films

ZnO thin films were prepared on p-type Si (100) substrates by the sol-gel process. The influence of Ag doping at a content of 0.002% on the photoluminescence and current-voltage (I - V) characteristics of ZnO thin films has been investigated. It is found that Ag doping leads to a pronounced increase in the intensity of near band edge emission at 3.23eV and a remarkable red shift of the visible broadband at room temperature. The I - V characteristics of ZnO/p-Si heterojunctions are also changed. These results could be explained by Ag substituting for Zn in Ag doped ZnO thin films.