X波段小型化无源限幅器的研究

采用微波混合集成电路设计方法,用并联PIN二极管和检波二极管,在很小的腔体内制作了小型化无源微波限幅器。其电参数为:频率范围9GHz～10.5GHz;承受功率4W(连续波);泄漏功率≤5mW(Pin=4W,连续波);插入损耗≤2.0dB;驻波系数≤1.5;外形尺寸13.5mm×6.2mm×4.2mm;输入输出端:50Ω绝缘子。     

小型化高功率微波限幅器研究

电子装备现已被大量应用,在如此复杂的电磁环境下高功率微波可导致接收机灵敏度下降甚至失效。为了满足高功率微波的防护需求,介绍了一种基于PIN 二极管的小型化高功率微波限幅器,体积为34 mm×Φ9 mm。测试结果表明,在0.3~2 GHz 频带内,该限幅器实现了小信号插损小于1 dB,输入输出驻波比小于1.5;可承受脉宽100 μs,占空比0.1%,峰值功率超过1000 W,漏功率小于17 dBm。国内外尚无类似指标限幅器相关报导。该高功率微波限幅器体积小、频带宽、耐功率高,可大大提高接收机可靠性,具有广阔的应用前景。     

宽带微波限幅器模块的研究

采用微波混合集成电路设计方法，用二只并联 ＰＩＮ二极管芯片和一只检波二极管芯片，在很小的腔体内制作了微波限幅器模块。其电参数为：频率范围 ｆ＝１．０～５．０ＧＨｚ，插入损耗ＩＬ≤０．４３ｄＢ，输入输出电压驻波比ＶＳｗＲ≤１．５，漏功率Ｐｌｉｍ≤１．８ｍＷ（输入功率为连续波１Ｗ时）。     

X波段100W GaAs单片大功率PIN限幅器

在101.6mm(4英寸)外延片上,研制出了大功率PIN限幅器芯片。根据大功率要求,优化了GaAs PIN二极管的I层厚度和表面结构,建立了大、小信号模型,通过优化设计,使限幅器既能承受100 W的输入功率,又有较低的插损。在8.5~10.5GHz内,测得该限幅器插入损耗约0.65dB,输入输出驻波≤1.5;当限幅器输入脉冲功率(9.5GHz,脉宽8ms、占空比40%)达50dBm(100 W)时,保持壳温120℃,输出漏功率最大18dBm,持续时间20min后,未见损坏。     

一种用于P波段小型化T/R组件的限幅器设计实现

文章介绍了一种采用三节并联PIN二极管芯片实现P波段限幅器的方法，简要阐述了其工作原理及实现过程，并通过试验件的研制验证了其性能指标。试验表明该限幅器具有插入损耗小、漏功率特别小、体积小等突出优点。目前已经在P波段T/R组件中得到了良好的应用。     

低泄漏限幅器的研究

采用混合集成电路设计方法 ,用 PIN二极管和检波二极管 ,在很小的腔体内制作了小型化无源微波限幅器。电参数为 :频率 f=2 .5～ 3 .0 GHz,插入损耗 IL≤ 0 .3 9d B,电压驻波比 VSWR≤ 1 .3 ,漏功率 Plim≤ 0 .5 5 m W(输入连续波 1 W)     

宽带通过式大功率收发开关

宽带大功率收发开关一文主要叙述了这种开关的设计和方案选择,几个关键技术问题的解决及试验结果。     

一种C波段微波限幅器的研制

本文介绍了一种利用PIN二极管芯片而设计的C波段无源微波限幅器，并简要叙述了设计原理、设计过程及芯片的粘接技术。     

砷化镓PIN管单片限幅器

<正>在微波功率发射系统中,为防止高灵敏接收机前置低噪声放大器(LNA)被发射的泄漏功率烧毁,需在前置低噪声放大器前面安置PIN二极管限幅器。通过控制PIN二极管的工作状态,在高功率的微波信号通过限幅器时,被衰减到较低的功率电平,而小功率微波信号则以较小的插损顺利通过。GaAsPIN二极管是实现单片限幅器的首选技术。GaAsPIN二极管在微波频段具有低的导通电阻,小的结电容,高击穿电压,易于集成等特点,因此采用GaAsPIN二极管的单片限幅器具有插损小、体积小、耐功率高等优点,受到广泛重视。南京电子器件研究所技术人员,基于现有的MOCVD材料生长技术和φ76mm砷化镓工艺线,成功开发了一套完整的砷化镓PIN管限幅器单片生产技术,其中包括GaAsPIN管的结构设计,GaAs限幅器的电路设计以及GaAs限幅器的工艺技术。已研制出的产品在各个频段带内具有低插损,承受功率大,泄漏电平低,无需外加偏置等优点。具体性能参数如表1所示。     

低泄漏限幅器的研究

采用混合集成电路设计方法，用ＰＩＮ二极管和检波二极管，在很小的腔体内制作了小型化夫源微波限幅器。电参数为：频率ｆ＝２．５～３．０ＧＨｚ，插入损耗ＩＬ≤０．３９ｄＢ，电压驻波比ＶＳＷＲ≤１．３，漏功率Ｐｌｉｍ≤０．５５ｍＷ（输入连续波１Ｗ）。     

一种小型化高功率微波PIN二极管

通过精确控制扩散工艺和台面腐蚀工艺研制了一种小型化的高功率微波二极管.对耐微波大功率的设计、低温铅玻璃钝化、多层金属化电极系统、台面腐蚀等先进工艺技术进行了研究,样品具有耐功率大、正向电阻小、反向恢复时间短、结电容小等优点,可广泛应用于微波电调衰减器和开关等微波电路中.     

新型高功率微波模式转换天线研究

给出了一种新型高功率微波模式转换天线,该天线将同轴插板式模式转换器和一种新型喇叭有机结合,可直接辐射高功率微波源输出的同轴TEM模或TM01模,具有结构尺寸小、口径效率高、轴向辐射、容易实现等优点.优化设计了一个中心频率为3.8GHz的天线,长度约300mm、口径为280mm,在中心频率上增益为19dBi、反射损耗为-20dB,在3.7～ 4.1GHz的频率范围内增益大于18.7dBi、反射损耗小于-15dB.     

高功率固体激光器的光纤耦合研究

对高功率固体激光器的光纤耦合进行了理论设计和实验研究.高功率固体激光器的光束质量随着输出功率的增加而变差,根据入射激光的光束质量,计算得到传输光纤的最小芯径和耦合透镜的有效焦距.该研究成功实现了高功率固体激光器光纤输出功率大于500 W,耦合效率大于90％,满足科研工作及工业应用需要.     

一种基于过模波导的高功率8 mm微波传输系统

过模波导是一种突破传统单模波导功率容量的波导结构。在高功率微波系统中,基于过模波导的模式过渡器和模式滤波器都是传输系统的关键器件。本文讨论了这些器件的理论设计依据,并设计了一套包括过模波导、模式过渡器、模式滤波器的8 mm 高功率过模波导传输系统,其中,模式滤波器分别通过膜片和窄缝滤除高次模。并用 CST Microwave Studio建模并仿真。仿真结果表明,该过模传输系统能够有效抑制高次模带来的谐振效应,提高微波的传输效率。     

基于板上封装技术的大功率LED热分析

根据大功率LED板上封装(COB)技术的结构特点,提出三种COB方法.第一种方法是把芯片直接键合在铝制散热器k(COB-III型),另外两种方法是分别把芯片键合在铝基板上和铝基板的印刷线路板上(COB-II和COB-I型),并对三种COB的热特性进行有限元模拟、实验测量和对照分析.结果表明:在环境温度为30℃时,采用第...     

大功率激光光纤耦合技术研究

简要介绍了大功率激光光纤耦合技术的六个主要的研究方向。包括 :光纤的选择与光纤端面处理、激光光纤耦合条件、聚焦透镜组合的选择、透镜像差的影响、光束与光纤失准引起的耦合效率下降以及透镜的热透镜效应。     

大功率白光LED封装工艺技术与研制

与传统的白炽灯、荧光灯照明相比,由于大功率白光LED具有显著的节能、环保、使用寿命长等一系列不可比拟的优势,代表着新型绿色、环保照明的发展方向,正迅速进军照明领域.从1 W大功率白光LED的封装工艺技术出发,在分析比较了几种产生白光LED方法的成本、性能的基础上,最终选取性价比相对较高的"蓝光芯片+YAG荧光粉"产生白光LED的制作方法.实践证明,在提高大功率白光LED发光效率、均匀性和稳定性等方面,还需要进一步开发新材料,采用新工艺.     

一种宽频带小尺寸频率可重构耦合器

为了适应通信发展中小尺寸可重构的需求, 提出一种具有宽频带小尺寸中心频率可调的可重构耦合器.为减小电路尺寸, 采用π型可调结构, 并将可调部分电路放进耦合器内部夹角处, 并分析可调电路开路微带线的夹角、长度和宽度对中心频率的影响.电调功能由变容二极管实现.文中通过分析电路结构, 从理论上揭示了中心频率可调的机理.通过仿真、加工和测试, 仿真和测试结果吻合良好.仿真和测试结果表明:通过改变加在变容二极管两端的电压, 耦合器的中心频率在705~1 050 MHz范围内连续变化, 在频率变化过程中, 耦合器保持输出端口相位正交和幅度平衡.并分析了引起输出端插入损耗的原因.     

小尺寸FFS产品Zara分析与改善研究

通过对大量Zara样品进行分析,构建了不良现象——对应原因(Phenomenon-Cause)的4种理论模式,并基于此理论设计了改善Zara的实验。通过分析发现:约5μm左右可移动的Zara主要为摩擦工艺过程产生的碎屑;10~25μm按压不动的Zara主要为取向膜涂覆过程中的颗粒引起;轮廓清晰尺寸较大的Zara主要来自环境颗粒;无清晰轮廓且体积较大的Zara主要为摩擦取向失效形成的岛状漏光。为降低Zara不良进行实验,结果显示:增加取向膜在基板上的覆盖率以及变更彩膜涂层材料可有效降低Zara不良的发生率;此外,减小柱状隔垫物的坡度角度能够从源头上有效防止Zara的产生。Zara不良的研究与改善提升了小尺寸FFS产品的良率5%以上,为企业的稳定高效生产奠定了基础。