Nb掺杂ZnO压敏电阻器的缺陷模型

对ＺｎＯ压敏电阻器高价Ｎｂ掺杂的缺陷模型进行了分析，据此模型对ＺｎＯ压敏电阻器的性质进行了讨论。     

籽晶对氧化锌压敏电阻器性能的影响

采用熔盐法,以强碱为助熔剂可在较低的温度下培育出针状、块状、球状的ZnO籽晶。本文详细地研究了籽晶的大小、形状、含量对氧化锌压敏电阻器性能的影响。实验表明,籽晶对降低压敏电压有十分明显的作用。     

ZnO压敏电阻器复合添加剂制备技术

论述了利用化学共沉淀法制备ZnO压敏电阻器复合添加剂的原理和方法,讨论了氨水、碳酸氢铵等8种试剂作为沉淀剂的可行性。实验结果表明,合理地选择复合沉淀剂和沉淀条件,可以显著地提高压敏电阻器的通流能力、降低残压比,并可降低烧结温度和成本,有广阔的推广应用价值。     

ZnO压敏电阻器性能的改进

为了提高ZnO压敏电阻器的性能,采用共沉淀法制得含五种添加剂的复合添加剂。用该复合添加剂、ZnO、Sb2O3及Al(NO3)3溶液混合球磨后的粉体制成氧化锌压敏电阻器。通过TEM和粒度测试,分析了复合添加剂的尺寸和微观结构,并对电阻器的性能进行了测试。结果表明:采用化学共沉淀方法制备的复合添加剂粉体粒径小,活性大。用该添加剂制备的氧化锌压敏电阻器的通流能力,较传统工艺提高35%,其漏电流约为0.1μA,非线性系数为53。     

液相法制备ZnO压敏电阻器粉料

用液相法制得ＺｎＯ压敏电阻器粉料。与用传统粉料制备的ＺｎＯ压敏电阻器相比,用该粉料制成的ＺｎＯ压敏电阻器的一致性更好、耐电流冲击能力更强、压敏场强更高。     

液相掺杂对ZnO压敏电阻器性能的影响

采用Ｃｏ、Ｍｎ、Ａｌ等元素液相掺杂，制得了高能和高压ＺｎＯ压敏电阻器，通过与氧化物掺杂制得的电阻进行比较，结果表明，掺同样含量Ｃｏ时，液相掺杂的高能压敏电阻器大电流区的Ｉ－Ｖ曲线上翘，将Ｃｏ的含量减半，得到了性能全面优于氧化物掺杂的高能压敏电阻器。在高压ＺｎＯ压敏电阻器配方中，采用Ａｌ液相掺杂，能有效地改善大电流区的非线性。     

1995年全国ZnO压敏电阻器集中检测结果综述

总结了１９９５年全国ＺｎＯ压敏电阻器集中检测的结果，并针对各项检测内容进行了具体分析。     

Nb2O5掺杂对ZnO压敏电阻器电性能的影响

本文研究了Ｎｂ＿２Ｏ＿５掺杂以及Ｎｂ＿２Ｏ＿５与ＺｎＯ煅烧对ＺｎＯ压敏电阻器电性能的影响。实验表明，Ｎｂ＿２Ｏ＿５的掺入使压敏电场减少，当Ｎｂ＿２Ｏ＿５含量为０．１％ｍｏｌ时，其压敏电场最小．非线性系数最大。煅烧温度越高，压敏电场越高，非线性系数越大。     

优选组分,改进工艺,提高氧化锌压敏电阻器性能

氧化锌(ZnO)压敏电阻器,是以ZnO为基础,添加多种微量金属氧化物,采用电子陶瓷工艺制作而成的半导体陶瓷敏感元件,具有优异的非线性电流电压特性。自问世以来,已广泛地应用于电力设备和电子线路中,主要用作过电压保护和浪涌抑制等。在汽车工业,铁路信号和通讯设备中所使用的ZnO压敏电阻器,通常要求应具有较高的耐浪涌能力,目前,由于此类产品的市场需求量增大,引起了人们的极大关注,因此,制造非线性好,耐浪涌能力强的高能氧化锌压敏电阻器,就显得十分重要。     

ZnO压敏电阻器在稳态湿热试验中的性能变化与分析

通过对ZnO压敏电阻器试验结果的分析,探讨其在稳态湿热试验中引起性能变化的因素,提出要提高产品的耐湿性能,必须在包封料选择和瓷体制作工艺上加以改进。     

氧化锌压敏电阻器在工频线路中的应用

本文研究了氧化锌压敏电阻器对雷电过电压、操作过电压和暂时工频过电压的承受特性，提出了合理选用氧化锌压敏电阻器的方法。     

低压ZnO压敏电阻器性能的改善

制作低压ＺｎＯ压敏电阻器的一般方法是添加晶粒助长剂ＴｉＯ２。这样做虽然可降低梯度电压Ｖ１ｍＡ／ｍｍ，但同时也增大了漏电流ＩＬ，降低了元件的稳定性。在掺入ＴｉＯ２，使Ｖ１ｍＡ／ｍｍ下降的同时，适量掺入硼并在８５０℃下进行热处理，可改善小电流特性和非线性，减小ＩＬ，提高稳定性。     

叠层片式ZnO压敏电阻器及其在ESD保护中的应用

介绍叠层片式ZnO压敏电阻器的性能特点和应用范围，论述了其对电路进行ESD保护的基本原理及其在高 线路中的最优化设置，指出其发展方向应为低电容和超低电容化。     

低电压氧化锌压敏电阻器

叙述了压敏电阻器的特性、微观结构、导电机理。分析了实现低电压氧化锌压敏电阻器的方法——增大氧化锌半导体瓷晶粒直径和压制厚度很薄的氧化锌半导体瓷片。探讨了低压氧化锌独石型、薄膜体型压敏电阻器的主要特性和其制造工艺的关键技术。