Xe~(53+)离子与Xe原子碰撞过程中的辐射电子俘获和辐射退激发光谱的理论研究

基于多组态Dirac-Fock方法和密度矩阵理论,系统地研究了在197 Me V/u的碰撞能量下,Xe~(53+)离子与Xe原子的辐射电子俘获过程(REC)以及电子被俘获到激发态后辐射退激发产生的特征谱线.计算了炮弹Xe~(53+)离子俘获电子到不同壳层np_(1/2,3/2)(n=2—5)的总截面与相应的REC光子能量和角分布,以及由激发组态1snp_(1/2,3/2)(n=2—5)J_f=1向基态1s~2Jd=0辐射退激发的跃迁能量、跃迁概率和特征光子的角分布和线性极化度.计算结果表明,辐射光子具有显著的角各向异性特征.此外,1snp_(3/2)J_f=1→1s~2J_d=0退激发特征光子也显示出很强的线性极化和角各向异性特征,而1snp_(1/2)J_f=1→1s~2J_d=0退激发特征光子的线性极化度趋于零并且角分布也趋于各向同性.     

抽取信号的χ2分布拟合方法

BESⅡ上测量ψ(2S)辐射衰变时, 鉴于本底道的污染非常严重, 提出了一种抽取信号事例数的χ²拟合方法. 大量的蒙特卡罗模拟表明, 信号道与各个本底道的χ²分布形状各不相同. 这些特点提供了从数据的χ²分布中抽出信号道事例数的χ²拟合方法. 从蒙特卡罗模拟的结果来看, χ²拟合方法的误差小于2%.     

On the radioluminescent emission of BaF2

Summary The luminescence of barium fluoride excited by X-rays has been recordedvs. wavelength. The spectrum shows two components due to recombination of excitons bound to Frenkel defects and to luminescent centres also active in the thermoluminescent process. The results are interpreted by means of a model based on the Prener and Williams recombination scheme.     

GaN基多量子阱发光二极管的极化效应和载流子不均匀分布及其影响

制备了GaN基绿光发光二极管.利用耦合法求解了在自发极化和压电极化效应影响下的GaN/InGaN量子阱的极化电场强度.考虑载流子在量子阱间的不均匀分布,模拟计算了系统的一维薛定谔方程、稳态速率方程和泊松方程,得到了载流子在各个阱间的分布比值和辐射复合速率.同时还得到了不同电流下电致发光(EL)谱的峰值波长、谱峰半高宽及EL谱强度的变化情况.发现当测试电流由10 mA 增加到70 mA时,理论结果与实验结果能很好符合.关键词：极化载流子不均匀分布复合速率     

氖原子光电子角分布的理论计算

本文利用密度矩阵理论和Racah代数推导出了光电子角分布的一般计算公式, 并在多组态Dirac-Fock方法基础上发展了计算原子光电离过程中产生的光电子角分布的相对论程序, 利用该程序对氖原子2s和2p光电子角分布的偶极和非偶极参数进行了具体计算, 所得结果与已有文献具有很好的一致性. 在此基础上, 本文讨论了光子与电子相互作用多级展开中的非偶极项以及入射光的极化性质对光电子角分布的影响.     

类氢U91+离子的辐射复合及其辐射退激发过程的理论研究

基于多组态Dirac-Fock理论方法,利用GRASP92和RATIP以及在此基础上最新发展的RERR06程序,对类氢U⁹¹⁺（1s）离子的辐射复合截面以及辐射退激发过程进行了详细的理论研究.系统地计算了具有确定能量的连续电子被处于基态的类氢U⁹¹⁺（1s）离子俘获到nl （1≤n≤8, 0≤l≤6）轨道形成类氦U⁹⁰⁺（1snl）离子的辐射复合截面,并研究了这辐射复合末态退激发谱的相对强度.研究发现,类氢U⁹¹⁺（1s）离子辐射复合到不同轨道的截面随其主量子数的增大而显著减小;同时,辐射复合末态的退激发对Kα谱线的相对强度有重要影响.关键词：辐射复合多组态Dirac-Fock理论方法辐射退激发     

高离化态金离子的辐射复合及其退激发过程的理论研究

利用基于多组态Dirac-Fock方法的程序包GRASP92和RATIP以及最新发展的RERR06程序,详细计算了高离化态金离子(类镍Au51+、类铜Au50+和类锌Au49+)俘获一个自由电子到nl(n=4—8,l=0—3)壳层的辐射复合谱以及相应的辐射退激发谱.理论计算的辐射复合谱很好地重现了实验谱.研究结果表明:对类镍Au51+、类铜Au50+和类锌Au49+而言,将一个自由电子俘获到n=4壳层的概率最大;在辐射复合过程之后,处在n=4壳层的俘获电子的辐射退激发谱线最强,并且体现了整个辐射退激发谱的主要特征.     

On the spectrally resolved thermoluminescence of alumina

Summary The thermoluminescence of α-alumina was investigated by recording light emission simultaneouslyvs. temperature and wavelength. Samples were prepared, starting from amorphous alumina, by means of thermal treatments in the 850 to 1400°C temperature range. The recorded light exhibits two spectral bands at 553 and 706 nm emitted at temperatures close to 500 K, which reappear in the 700 K region with reduced intensity. The 553 nm band fades away in samples treated at temperatures exceeding 1200°C. The results are compared to a kinetic model which explains the most significant experimental features. Some qualitative arguments are advanced which could be useful in identifying the nature of the lattice defects responsible for the thermoluminescent emission observed.

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Riassunto Si è studiata la termoluminescenza dell'α-alumina registrando l'emissione di luce in funzione, simultaneamente, della temperatura e della lunghezza d'onda. Partendo da allumina amorfa, i campioni sono stati preparati mediante trattamenti termici nell'intervallo di temperatura da 850 a 1400°C. La luce registrata mostra due bande spettrali a 553 e 706 nm, emesse a temperature vicine a 500 K. Queste bande riappaiono nella regione attorno a 700 K con intensità ridotta. La banda a 553 nm svanisce nei campioni trattati a temperature al di sopra di 1200°C. I risultati sono paragonati ad un modello cinetico che spiega gli aspetti sperimentali più significativi. Vengono proposti alcuni argomenti qualitativi che potrebbero essere utili per identificare la natura dei difetti reticolari responsabili dell'emissione termoluminescente osservata.

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Резюме Исследуется термолюминесценция α-корунда, регистрируя интенсивность светового излучения в зависимости от температуры и длины волны. Образды изготавливаются из аморфного корунда, используя термическую обработку в области температур от 850°C до 1400°C. Термолюминесценция обнаруживает две спектральных зоны 553 и 606 нм, излучаемые при температурах, близких к 500 K, которые снова появляются в области 700 K с уменьшенной интенсивностью. Зона 553 нм затухает в образцах, обработанных при температуре выше 1200°C. Этот результат сравнивается с кинетической моделью, которая объясняет наиболее сушественные экспериментальные особенности. Приводятся некоторые качественные аргументы, которые могут быть полезны для идентификации природы дефектов решетки, ответственных за наблюдаемое термолюминесцентное излучение.

     

nc-Ge/SiN_x多层膜的光致发光特性

通过将a-Ge∶H/a-SiN_x多层膜进行氧化,制备了nc-Ge/SiN_x多层膜。观察到了室温下的强烈可见光发射,发光波长为500nm。通过分析,排除了与量子限制效应有关的光发射机制,也排除了与Si和N相关的缺陷产生的复合机制,认为该发光源于氧化后的a-SiN_x介质层中带尾态之间的辐射复合,最有效的激发能量约为介质层的带隙。     

Calculation of the Interelectronic-Interaction Correction to Radiative Recombination of an Electron with a Heavy He-Like Ion

We present a calculation of the interelectronic-interaction correction of first order in 1/Z for radiative recombination of an electron with a heavy He-like ion in the ground state. A rigorous relativistic treatment is demonstrated which includes the Coulomb, Breit and retarded parts of the interelectronic interaction. A complete relativistic evaluation is compared with two frequently used approximations. This revised version was published online in July 2006 with corrections to the Cover Date.     

Calculation of photon angular distribution and polarization for radiative recombination for highly charged helium-like ions

A systematic study is carried out on the angular distribution and polarization of photons emitted following radiative recombination of He-like ions by a non-relativistic dipole approximation. In order to incorporate the screening effect due to inner-shell electrons, a distorted wave approach is used. The dependence of the calculated angular distribution and polarization on the reduced-energy and nuclear charge are fitted by the corresponding empirical formulas, respectively.     

Gd激光等离子体的双电子复合过程研究

在自旋-轨道劈裂阵模型下,通过类铜的内壳层激发组态计算了类镍Gd的双电子复合速率系数,其中考虑了共振和非共振辐射平衡跃迁对自电离能级的影响,而忽略了因碰撞跃迁引起的电子俘获,非共振辐射平衡跃迁在低电子温度条件下主要影响双电子复合过程;本文讨论了双电子复合系数及双电子伴线强度比随电子温度的变化.     

Bi80+辐射复合过程的计算

基于Dirac-Slater自洽场方法,计算了Bi⁷⁹⁺离子从低能到高能的光电离截面以及其逆过程Bi⁸⁰⁺的辐射复合截面; 分析了Kramers公式的适用性;考察了多极效应 、相对论效应在不同能区对辐射复合截面的影响;计算了Bi⁸⁰⁺离子在电离阈值附近 的辐射 复合截面和辐射复合速率系数,考察了自由电子分布函数及电子的温度变化对速率系数的影 响,并将计算结果同高精度的储存环合并束实验进行了对比.关键词：多极计算辐射复合光电离     

氙激光等离子体的双电子复合过程研究(英文)

在自旋-轨道劈裂阵模型下,通过类铜的内壳层激发组态计算了类镍氙的双电子复合速率系数,其中考虑了共振和非共振辐射平衡跃迁对自电离能级的影响,而忽略了因碰撞跃迁引起的电子俘获,非共振辐射平衡跃迁在低电子温度条件下主要影响双电子复合过程;本文讨论了双电子复合系数及双电子伴线强度比随电子温度的变化.     

类锂离子双电子复合过程中辐射光子角分布和极化特性的理论研究

基于多组态Dirac-Fock 方法和密度矩阵理论,本文详细计算了高电荷态类锂离子（26 ≤ Z ≤ 92）KLL 双电子复合过程中,自由电子被共振俘获到中间双激发态1s2s²2p_3/2J = 1 的磁子能级截面以及该双激发态的取向参数,进而得到了此激发态向基态电偶极辐射跃迁1s2s²2p_3/2J = 1→1s²2s²J = 0 所发出光子的角分布和极化度,重点讨论了Breit 相互作用对相关物理量的影响. 研究表明,Breit 相互作用极大地改变了中间双激发态1s2s²2p_3/2J = 1 不同磁子能级的截面,从而导致了随后退激发放出光子的角分布和极化特性的显著变化.关键词：角分布和极化特性多组态Dirac-Fock方法密度矩阵理论     

类Ne铜离子双电子复合过程辐射跃迁几率的MCDF计算

在组态相互作用的ｊ－ｊ耦合下,用相对论多组态Ｄｉｒａｃ－Ｆｏｃｋ（ＭＣＤＦ）方法计算类Ｎｅ铜离子（２９Ｃｕ１９＋）双电子复合过程的辐射跃迁几率。在计算中涉及了大量的双激发态的和单激发态的相对论组态函数,得出了所有可能的跃迁几率,精选得出最可能的跃迁结果。文中所使用的相对论ＭＣＤＦ方法克服了其他方法诸如在相对论效应、组态相互作用等方面的缺陷,从而获得了很好的结果。所得的结果可用于进一步计算类Ｎｅ铜离子的双电子复合系数     

e+e–→ωπ0过程中初态辐射修正的计算和模拟

计算了e+e-→ωπ0 微分截面的具体形式以及ω→π+π- π0 衰变几率的微分公式,并根据G.Bonneau和F.Martin引入的初态辐射修正计算方案编写了e+e-→ωπ0 产生子.通过分析模拟产生的末态粒子的相应角分布,发现结果与理论预期的分布相一致,从而证实了公式的推导和程序实现的正确性.