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X波段功率异质结双极晶体管 总被引:2,自引:0,他引:2
讨论了 X波段功率异质结双极晶体管 (HBT)的设计 ,介绍了器件研制的工艺过程及测试结果。研制的器件在 X波段功率输出大于 5 W,功率密度达到 2 .5 W/mm。采用 76mm圆片工艺制作 ,芯片的 DC成品率高于 80 %。 相似文献
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本文首先简要介绍异质结双极晶体管(HBT)的结构和特点,接着评述HBT工艺技术发展现状、单元设计和目前制作的功率HBT的性能。 相似文献
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L波段150W宽带硅脉冲功率晶体管 总被引:3,自引:2,他引:1
设计了一种称之为多晶硅覆盖树技状结构的双极型微波功率晶体管。该器件采用掺砷多晶硅发射极,同时具备有覆盖和树枝状两种图形结构的优点。器件引入扩散电阻和分布式多晶硅电阻组合而成的发射极复合镇流电阻,实现对发射极电流二次镇流,器件表现出良好的微波性能和高的可靠性。经内匹配,在L波段脉冲输出大于100W(36V),脉宽150μs,工作比10%,增益大于7.5dB,效率大于45%,器件最大输出达150W(42V)。 相似文献
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建立了带有不掺杂隔离层的突变异质结双极晶体管(HBT)模型,在热场发射-扩散(TFD)理论的基础上,又考虑了空间电荷区中的复合效应。对AlGaAs/GaAsHBT特性的分析表明,不掺杂隔离层虽可有效地降低导带边的势垒尖峰,提高发射结的注入效率,但也会增大空间电荷区中的复合电流。因此,在实际器件的设计和制作中,应适当选择不掺杂隔离层的厚度,以获得较好的器件特性。还给出了计算突变异质结界面处电子准费米能级不连续的公式。 相似文献
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本文首次报道采用重掺杂的氢化非晶硅(n~+a-Si∶H)作发射极的硅微波双极型晶体管的制备和特性.该器件内基区方块电阻2kΩ/□,基区宽度0.1μm,共发射极最大电流增益21(V_(cB)=6V,I_c=15mA),发射极Gummel数G_B值已达1.4×10~(14)Scm~(-4).由S参数测得电流增益截止频率f_s=5.5GHz,最大振荡频率f_(max)=7.5GHz.在迄今有关Si/a-Si HBT的报道中,这是首次报道可工作于微波领域里的非晶硅发射极异质结晶体管. 相似文献
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PNP和NPN高频异质结双极晶体管的设计有明显不同,这主要归因于砷化镓中电子与空穴的迁移率存在显著差别。这种差别在基区和子集电区外延层的设计中体现得尤为明显。文中详细讨论了PNP和NPN两种类型的异质结双极晶体管各自外延层的设计考虑。 相似文献
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本文研究了非晶硅发射区双极晶体管的低温特性,得出了如下结论:低温下电流增益随基区杂质浓度的上升而下降,不同于常规同质结双极晶体管的情况,集电极电流则随基区杂质浓度的上升而上升。这些结果将为低温双极晶体管的设计提供理论依据。 相似文献
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<正> In this paper, we describe the design, fabrication and high frequency performance of an a-Si:H emitter heterojunction power transistor which operates with low supply voltage at ultra high frequency. The packaged transistor can deliver 4.0W cw output power with 72% collector efficiency and 8.2dB gain at 470MHz for 9.0V low supply voltage. This is the best result reported up to now in the area of amorphous silicon emitter hetero-juction microwave power transistors. 相似文献
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S波段硅脉冲功率晶体管 总被引:4,自引:1,他引:3
报道了一种自对准T形电极结构的硅脉冲功率晶体管实验结果。在2GHz短脉冲工作条件下,该晶体管输出功率70W,增益8.5dB,集电极效率50%。 相似文献