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基体分离ICP-AES法测定金属锇粉中的杂质元素 总被引:5,自引:0,他引:5
本文介绍了用浓硝酸在200℃下溶解样品,同时把锇氧化成易挥发的氧化物离去并用氢氧化钠吸收,残液用ICP-AES测定的方法。方法检测限为0.005-0.134μg.mL^-1,回收率为91%-112%,精密度小于3%,同时测定18种杂质元素,具有简单快速和准确度高的优越性。 相似文献
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含纳米金属阵列阳极氧化铝膜的偏振特性 总被引:3,自引:1,他引:2
利用阳极氧化铝的纳米多孔阵列结构特性,将金属Cu电镀到氧化铝的孔中,得到含有金属纳米阵列的氧化铝膜。实验发现,这种氧化铝膜确实象金属线栅偏振器一样表现出偏振特性,是一种新型微偏振器件。它在波长大于500nm时吸收很小,在波长为1.5μm时有高达67.1%的透射率和25.6dB的消光比。该氧化铝膜的偏振特性与阳极氧化和电镀条件有关。随着电流密度的增大,金属柱增多,光学损失增大,透射率降低,而偏振度增大。但是当电流密度增加到某一数值时,偏振度降低。通过优化制备条件,可得到高效率的氧化铝微偏振器。这种微偏振器制作简单,体积小,在光电通信领域有着非常广泛的应用前景。 相似文献
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MOCVD法在金属基体上制备YBCO超导带 总被引:2,自引:0,他引:2
本报道了用MOCVD静态和动态沉积两种工艺制备YBCO超导带的实验结果。以Y(TMHD)3、Ba(TMHD)2和Cu(TMHD)2为挥发源,O2气为反应剂,高纯Ar气为载流气体,在静止和以10-15cm/h带速移动的金属银基体上,制出了有强烈c-轴取向的YBCO超导带。静态沉积样品的Jc达到1.04×10^4A/cm^2,动态沉积样品的Jc达到1.4×10^4A/cm^2(78K,0T)。对改… 相似文献
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本文介绍了用M e v 离子散射和沟道效应研究单晶铝表面无定型氧化层与基体之间界面原子结构的方法, 报道了AI_2_O_3_/ Al ( 1 0 0) 界面原子结构的实验结果.实验表明, 在纯氧气氛围中400 ℃ 下生成的氧化铝膜, 铝和氧原子浓度比例严格为2 与3 之比;AI_2_O_3_ 膜和Al (100)基体之间的界面极其陡峭, 氧化铝膜下Al (1 0 0 ) 基体表面的再构层不大于一个原子层. 由实验测量与用Monte corlo 方法计算结果比较, 得到再构层原子离开原来晶格位置距离为0.18埃. 室温下,Al ( 1 0 0 ) 氧吸附层的元素成份在氧原子覆盖度较低时主要为AlO.
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富勒烯(C60和C70)薄膜可外延生长在新鲜解理的云母(001)平面.以这富勒烯层为衬底,将金属薄膜蒸镀在其上,便构成典型的二维渗流系统.蒸镀过程在超高真空系统中完成,并同时对样品的电阻特性进行原位测量.随着外加电压的增加,观测到样品电阻可逆的变化现象与不可逆的电击穿现象.在渗流阈值附近,击穿电流Ib与样品电阻R之间表现出幂指数关系:Ib~R-α.指数α比前人实验给出的数值和Nodes-Links-Blobs模型的预期值小得多,而且随着衬底材料的不同而不同.基于金属和富勒烯界面相互作用的理论,对这些现象作了解释
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超高真空环境中,在云母和富勒烯衬底上蒸镀半连续的Nb和Ag膜,同时对其进行了原位电阻测量.在人为地突然中断蒸镀之后的10min内,仔细研究了样品电阻随时间的自动缓变过程(弛豫).实验发现,Nb/云母和Ag/C60样品的电阻随时间缓慢增加,Ag/云母样品的电阻随时间逐渐减小.样品弛豫的强度与衬底温度和金属膜厚度密切相关.分析表明,衬底上的金属原子徙动会引起金属岛的边际形变以及岛间融合,这是薄膜电阻弛豫的主要原因.电阻弛豫的方向与强度反映了金属膜/衬底系统的界面活性.衬底表面的缺陷也会影响这一弛豫过程.从微观的原子运动和宏观的热力学平衡这两方面描述了弛豫过程
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