稻壳SiC晶须合成的热力学基础及VLS催化生长机理

本文对稻壳合成ＳｉＣ晶须及ＳｉＣ颗粒进行了热力学分析，确定了基元反应，设计了ＳｉＣＷＶＬＳ生长的新型复合催化剂。研究表明：在稻壳合成ＳｉＣＷ的反应中，ＳｉＣｐ的生成是不可避免的；在新型复合催化剂作用下，ＳｉＣＷ的主在率可达３０％以上；ＳｉＣＷ的生长为粗糙界面生长机制，ＳｉＣＷ表面光滑，为β－ＳｉＣ单晶。     

多节状SiC晶须的VS生长机理及晶体缺陷分析

本语文以稻壳为原料，对非金属催化剂合成的多节状ＳｉＣ晶须进行了研究，运用ＴＥＭ、ＸＲＤ等分析检测技术，对ＳｉＣｗ的形貌及显微结构进行了分析。研究表明：ＳｉＣｗ 直晶为主，表现粗糙、呈多节状；晶面以β－ＳｉＣ为主要晶型，少量α－ＳｉＣ孪晶、位错、层错等晶体缺陷形式存在。此外，机理研究表明，多主ＳｉＣｗ为ＶＳ生长机理。     

低温化学气相沉积SiC的组成,组织结构及高温稳定性

利用Ｘ射线衍射、Ａｕｇｅｒ能谱、Ｒａｍａｎ光谱、扫描电和透射电等分析手段，对低温（１０００－１３００℃）化学气相沉积ＳｉＣ的化学组成、组织结构及高温稳定性进行了分析。实验结果表明，在本实验的沉积温度范围内，沉积物是由３Ｃ型β－ＳｉＣ和少量４Ｈ型的ａ－Ｓｉｃ组成，无游离Ｓｉ存在，这与高温条件下的实验结果存在明显差异。同时在沉积物的表面还有ＣＬ和Ｓ等吸附吸物等及ＳｉＯ２氧化膜存在。所得到的ＳｉＣ均为１     

赝三元热电烧结体材料制作技术的研究

本文以区熔法生长的Ｂｉ２Ｔｅ３－Ｓｂ２Ｓｅ２Ｔｅ３高估值系数赝三元半导体致冷晶体为原料，采用冷压成型，在３８０－４４０℃条件下，经５ｈ烧结处理，可获得高致密度和高强度的半导体致冷器用烧结体材料。这种材料从根本上克服了取向晶体沿生长轴方向发生劈裂和解理现象。     

β—SiCW合成工艺及反应机理的研究

本文研究了β－ＳｉＣｗ合成工艺参数和反应历程，提出了合成工艺优化参数，确定了反应进行了步骤。通过对晶须形貌、晶型、杂质含量的分析，表明本方法合成的β－ＳｉＣｗ具有较高的质量水平。     

掺质TGS晶体生长机制的探索研究

本文采用水溶液降温法生长了６种掺质ＴＧＳ晶体，掺质分别为有机小分子化合物：甲酸、乙酸、丙酸、丙醇、１，２－丙二醇和硫脲。研究了此６种掺质ＴＧＳ晶体的生长形态，Ｘ－射线粉末衍射和红外光谱以及主要的热释电性能参数等。最后从氢键形成的观点出发，探索研究了掺质ＴＧＳ晶体的生长机制。     

热灯丝射频等离子体CVD法立方氮化硼薄膜某些性质的研究

本文研究了热灯丝射频等离子体ＣＶＤ法合成的立方氮化硼薄膜，反应气体是Ｂ２Ｈ６和ＮＨ３，衬底材料为Ｓｉ单晶。通过扫描电镜、红外吸收谱和Ｘ射线衍射分析指出，生长出的ｃ－ＢＮ薄膜的质量很好。     

热液条件下BGO微晶粒结晶习性形成机理

本文研究了热液条件下ＢＧＯ（Ｂｉ１２ＧｅＯ２０．Ｂｉ４Ｇｅ３Ｏ１２）微粒结晶习性形成机理。根据热液条件下晶体生长基元为负离子配位多面体结构的理论模型，设计了生长ＢＧＯ晶粒时Ｂｉ－Ｏ６八面体和Ｇｅ－Ｏ４四面体的比例和生长工艺，制备出结晶完好的晶粒，提出Ｇｅ－Ｏ４四面体结晶方位与各个面族之间的显露规律。Ｂｉ１２ＧｅＯ２０晶体中（１１１）面族顽强显露，晶粒呈三次对称，表现出极性晶体的生长特征。Ｂｉ４Ｇｇ     

利用发射电子法经由热灯丝CVD在Si（100）上合成局域异质外延金刚 …

本文利用发射电子法经由热灯丝ＣＶＤ在Ｓｉ（１００）上获得了局域异质外延金刚石膜。由Ｒａｍａｎ背散射强度（在１３３２ｃｍ＾－１处）旋转角依赖关系表明，金刚石膜与Ｓｉ（１００）的定向关系为ｄｉａ（１００）∥Ｓｉ（１００）和ｄｉａ〔１１０〕∥Ｓｉ〔１１０〕。在金刚石膜的成核阶段，位于衬底和灯丝之间的电极相对于灯丝施加一负偏压，获得的金刚石膜用扫描电镜和Ｒａｍａｎ谱表征。对实验结果进行了简要的讨论。     

金属基复合材料凝固过程中基体合金相的成核与长大

本文利用挤压铸造法制造了碳纤维和莫来石短纤维增强Ａｌ－４．５Ｃｕ复合材料，研究了金属基复合材料凝固过程中基体合金相的成核与长大机理。实验结果表明：随着凝固速度的降低θ－Ａｌ２Ｃｕ相析出量逐渐减少，其形态由大块状各蠕虫或颗粒状转变；另外，α－Ａｌ相首先在纤维间隙中开始成核，并逐渐向着纤维表面生长，然后在纤维表面附近发生共晶反应，共晶θ－Ａｌ２Ｃｕ相在纤维表面成核并长大。最后，作者建立了纤维增强Ａｌ－