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针对Ga3PO7晶体的压电特性,利用克里斯托夫方程计算了0~120℃范围内7个不同温度点的Ga3PO7的X、Y、Z切型传播角度为0°~ 180°的声表面波速度、机电耦合系数、能流角.结果表明,Z切型的Ga3PO7晶体受温度的影响较大,X和Y切型的温度稳定性相对Z切型较好,且这两种切型的SAW传播速度都与石英晶体相当.X切型中最佳传播角度情况下的机电耦合系数为0.532;,是石英晶体的2倍,而Y切型中最佳情况下的机电耦合系数可以达到1.041;,是石英晶体的4倍多. 相似文献
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本文编程计算了Sr3NbGa3Si2O14(SNGS)和Sr3TaGa3Si2P14(STGS)压电晶体的X,Y和Z切型的声表面波速度、机电耦合系数及能流角,与现有实验结果符合的很好.计算结果指出SNGS的(90°,90°,167.5°)、(0°,90°,0°)和(0°,0°,90°),STGS的(90°,90°,170°)和(0°,90°,0°)切型具有机电耦合系数大、能流角为零等优点,制作声表面器件可以优先考虑这些切型. 相似文献
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利用室温下弛豫铁电单晶0.93Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-0.07PbTiO3的材料参数,计算了[001]c极化PZN-7; PT晶体中的声表面波传播特性.结果表明,[001]c极化0.93Pb(Zn1/3Nb2/3) O3-0.07PbTiO3单晶具有明显优于传统压电材料的声表面波特性.0.93Pb(Zn1/3Nb2/3) O3-0.07PbTiO3单晶的声表面波特性随着传播方向发生明显的变化.综合考虑晶体的三种声表面波特性,发现Y切型晶体的综合声表面波性能最好,声表面波机电耦合系数k2值较大,能流角和声表面波自由表面相速度值较小,有望应用于下一代低频声表面波设备中. 相似文献
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利用半波解法对三方相、四方相及准同型相界附近,沿[001]c方向极化(1-x)Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3晶体的声表面波传播特性进行了对比研究.结果表明,位于准同型相界附近的0.92Pb(Zn1/3 Nb2/3)O3-0.08PbTiO3晶体的声表面波性能明显优于三方相0.955Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-0.045PbTiO3和四方相0.88Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-0.12PbTiO3晶体.具有复杂工程畴结构的0.92Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-0.08PbTiO3晶体声表面波机电耦合系数显著高于四方相晶体.同时0.92Pb(Zn1/3 Nb2/3)O3-0.08PbTiO3晶体具有相对较小的声表面波相速度和能流角.因此,该晶体适合制作机电性能优越的声表面波器件. 相似文献
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简要介绍了有限元法与超胞法相结合计算结构声表面波缺陷能带结构的方法,理论上分析了缺陷型表面声子晶体的声限制和声波导.表面声子晶体由刻有周期性凹槽的刚性板构成,通过改变晶体中某一格点或某一排格点的几何参数可以构建点缺陷和线缺陷.利用有限元法与超胞法能够十分方便地计算出表面声子晶体的点缺陷和线缺陷对应的缺陷带结构以及特定频率声波局域在点缺陷与线缺陷的本征压力场.通过分析缺陷能带结构与本征压力场,可以直观地了解缺陷型表面声子晶体中的声限制和声波导. 相似文献
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GaPO4晶体弹性与压电性能的研究 总被引:4,自引:2,他引:2
本文首先绘制了GaPO4晶体在(100),(010),(001)三个主晶面内慢度分布曲线,计算了声速的最大值,并与水晶进行了比较,发现GaPO4晶体的声速普遍小于水晶的声速;其次还探讨了GaPo4晶体压电系数d11及机电耦合系数k11随空间方向变化的规律,得到了GaPO4晶体d11,k11的最大值及其方向,并分别和水晶进行了比较,发现GaPO4晶体的d11和k11都远大于水晶的。这些结果将对GaPO4晶体在压电器件和声光器件的设计,开发及利用等方面具有一定的理论指导作用。 相似文献
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钙钛矿型(ABO3)弛豫铁电单晶具有优异的机电耦合性能,被认为是研制下一代医疗超声换能器、高精度压电驱动器、水声换能器等机电耦合器件的核心关键材料。针对弛豫铁电单晶材料制备与物理性能方面尚存在的基础科学与工艺问题,本文综述了近些年弛豫铁电单晶生长与性能优化方面的研究进展,包括若干新的单晶生长方法用以改善弛豫铁电单晶的成分和性能均匀性,提升弛豫铁电单晶压电性能的系列新方法,通过铁电畴结构调控以获得高透光率的弛豫铁电单晶,以及高性能弛豫铁电单晶在电光技术领域的应用等。 相似文献
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A. P. Oreshko B. V. Mill E. N. Ovchinnikova A. Rogalev F. Wilhelm V. E. Dmitrienko 《Crystallography Reports》2018,63(2):158-165
X-ray natural circular dichroism (XNCD) and its structural nature have been investigated in a langasite (La3Ga5SiO14) crystal at an incident radiation energy close to the Ga K-absorption edge and the La L2,3-absorption edges. An XNCD signal was observed mainly beyond the absorption edge, which confirmed the existence of delocalized mixed p–d electronic states in Ga and d–f and d–p electronic states in La. Calculations with application of the multiple scattering method have made it possible to separate the contributions from three crystallographically nonequivalent Ga sites to the absorption spectrum and the XNCD signal and explain adequately the largest contribution of the Ga atom occupying the 1a site to the XNCD signal. 相似文献