质量分离低能离子束外延超薄硅单晶的初步研究

采用质量分离的低能离子束外延(MALE-IBE)技术进行超薄硅外延生长,在600C下获得单晶硅外延层,厚度2000A,过渡区宽度小于500A。有较好的电学性质。     

Si(111)衬底上IBE法外延生长β-FeSi_2薄膜的研究

本文采用质量分析的低能离子束外延法（以下简称IBE法）在Si（111）衬底上外延生长了β-FeSi2薄膜，并进行了X射线衍射测量分析；与扫描电镜配合验证了β-FeSi2外延薄膜的形成．实验结果表明：所得β-FeSi2（101）或（110）面基本平行于Si（111）面，验证了Si（111）上β-FeSi2外延薄膜的形成；并对失配度做了精确的计算；薄膜形貌呈岛屿状分布，同时分析了生长条件对薄膜形貌的影响．     

分子束外延法及离子束溅射法生长CdTe和HgCdTe膜的比较

本文评论关于红外应用的分子束外延(MBE)生长CdTe和HgCdTe膜的现状。MBE方法的实力在于有极好的均匀性、体状霍耳特性和清晰的界面控制。不过,生长方法是复杂的,掺杂难以控制,需要的高汞流量引起了制作方面的问题。本文还叙述离子束溅射法的初步结果,并针对MBE的局限性,讨论这种技术的适用性。     

CoSi_2超薄外延膜的生长研究

用质量分离的离子束外延（ＭＡＬＥ－ＩＢＥ或简作ＩＢＥ）法在ｎ－Ｓｉ（１１１）上生长了ＣｏＳｉ２超薄外延膜．厚度为１０～２０ｎｍ的ＣｏＳｉ２薄膜的结构特性已由ＡＥＳ、ＲＨＥＥＤ及ＲＢＳ作了研究．实验结果表明Ｃｏ的淀积率对ＣｏＳｉ２单晶生长来说是一个关键因素     

用低能离子束淀积技术在硅（111）衬底上生长氧化铈外延薄膜

采用质量分离的低能双离子束淀积（ＩＢＤ）技术，在硅（１１１）衬底上共淀积，生长了氧化铈外延薄膜．椭圆偏振仪测得，膜厚２０００Ａ．俄歇能谱仪测得，外延层内铈、氧分布均匀，具有很好的正化学比．Ｘ射线双晶衍射得到明显的氧化铈（１１１），（２２２）峰，半高宽≤２３″。     

用分子束外延法在CdTe上生长InSb膜

研究了用分子束外延在(001)取向CdTe衬底上异质外延生长InSb。用双晶x-射线衍射法和俄歇电子光谱法证明在225-275℃的生长温度下InSb单晶层几乎可以互相密合地生长在衬底上而没有界面反应。     

对离子束外延氧化铈/硅热处理行为的初步研究

对不同的O，Ce束流比条件下用离子束外延（IBE）方法生长的氧化铈／硅薄膜在热处理前和在干氧气氛中经不同温度热退火后进行了俄歇电子能谱（AES）深度剖析测量．结果显示出在Si衬底上生长的具有正化学配比的CeO2和林的低价氧化物具有明显不同的热处理行为，对与此有关物理过程作了初步探讨．结果还表明IBECeO2／Si结构经高温处理后在界面上形成了一层SiO2，而外延层内的化学配比可接近正常值，从而显示出该材料工作温度尚可提高的可能性．     

用闭管摆动法由富碲溶液液相生长碲镉汞外延膜

用差热分析法测定了组分为x=0.067、x=0.10和0.7≤y<1.0的(Hg_(1-x)Cd_x)_(1-y)Te_y的液线温度。用液相外延法在CdTe(111)A取向衬底上生长了组分x=0.35、0.31和0.24的(Hg_(1-x)Cd_x)Te薄膜。已测定Cd分凝系数为k=3.5±0.1。在550℃左右由3毫米厚熔体于缓慢冷却速率下生长的薄膜厚度接近于平衡生长的薄膜厚度。液相外延膜中的剩余杂质通常为n型,在好的薄膜中不到10~(15)厘米~(-3)。已证明用薄膜制备的光伏二极管其性能与用块状生长晶体所制备的二极管相近。     

用低压MOVPE法进行GaAs的选择外延生长

GaAs的选择生长是一项有前途的技术,它有希望实现制造电子器件和光电器件的单片集成,因此受到了人们更多的注意.这种GaAs的选择生长就是用MOVPE法在表面涂有SiO_2或其它绝缘膜衬底上进行的.常压MOVPE法生长的GaAs外延层厚度很不均匀,不能用来制作器件.而低压MOVPE法生长的GaAs外延展的厚度却很均匀,纯度也很高.     

在InSb和GaAs衬底上用MOCVD法生长CdTe和HgCdTe外延膜

由于HgCdTe的红外探测特性致使生长高质量HgCdTe外延膜具有重要意义。目前一般是在CdTe衬底上生长HgCdTe。CdTe和HgCdTe都是Ⅰ-Ⅵ化合物,具有同样的晶体结构和紧密匹配的晶格。然而,CdTe衬底有缺点。它们价格高,不能制成大面积和不具备高结晶完整性。因此,要求研制在不相同衬底材料上进行HgCdTe外延。最近有文献报导在他种衬底上用分子束外延(MBE)和激光辅助淀积     

室温下用离子束辅助淀积法在衬底上镀制MgF_2膜

实验在真空度为2×10~(-4)Pa的普通扩散泵浦高真空室中淀积MgF_2膜。当离子源工作时,这真空度降到10~(-2)Pa(充了氩气)。膜淀积在热源上方40cm处的25×12mm石英玻璃和PMMA衬底上。Kaufman型离子枪在衬底下方30cm处,与衬底法线成30°角。加了负偏压的1cm~2的离子探针用陶瓷架同蒸发物流隔开。淀积速率和膜的厚度用石英晶体控制。膜均以5A/Sec的速率淀积。参考膜不用离子束辅助法制作:一组淀积在室温衬底上,另一组淀积在加热到300℃的衬底上。用离子束     

低压MOVPE外延生长GaN膜的光致发光激发谱研究

对用低压ＭＯＶＰＥ法生长的非掺ＧａＮ外延膜，在其光致发光谱峰位３７０ｍｍ、５９０ｕｍ和７４０ｕｍ附近测量了光致发光激发（ＰＬＥ）谱．对于５９０ｕｍ和７４０ｕｍ附近的发光来说，各样品的ＰＬＥ峰都位于３６０ｕｍ处，而对于３７０ｕｍ发光来说，大部分样品ＰＬＥ峰位于２８０ｕｍ处，而有的样品却位于２６０与３００ｎｍ两个波长处，对这些结果进行了讨论．     

用混合源法生长突变浓度分布的硅外延层

业已用一定比例的SiH_4/SiCl_4混合源,生长了突变浓度分布的N/N~+和P/N/N~+层.发现混合源生长外延层的N~+-N过渡区宽度以及N-P之间的补偿区宽度均窄于用SiH_4或SiCl_4单一源生长的情况.     

β－FeSi_2薄膜的反应沉积外延膜的剖面结构分析

β－ＦｅＳｉ２薄膜的反应沉积外延膜的剖面结构分析倪如山王连卫沈勤我林成鲁（中国科学院上海冶金研究所，上海２０００５０）由于β－ＦｅＳｉ２具有Ｅｇ＝０．８５０．８７ｅＶ的直接带隙，并能在硅表面外延，被认为是一种潜在的光电子材料，为实现光电子器件与ＶＬＳ...