一种多晶硅高温压力传感器

制作压力传感器时，在二氧化硅层上淀积多晶硅膜，既可利用优良的机械特性，又可保证压敏电阻与衬底间具有良好的绝缘性，由此可大大提高器件的温度特性。介绍了一种多晶硅压力传感器的原理和设计。实验结果表明，这类传感器具有灵敏度好，精度高等特点，电路工作范围为０－２５０℃，且具有良好的温度稳定性。     

多晶硅X型压力传感器

本文介绍了多晶硅Ｘ型压力传感器的设计和制作工艺。对依据理论模型计算的Ｘ型压力传感器的灵敏度和实测值进行了比较，两者均吻合较好，对于经受住２．５倍过载的０￣６ＭＰａ的多晶硅Ｘ型压力传感器，灵敏度约为０．７ｍｖ／ｖ／ＭＰａ，线性度优于０．５％ＦＳ。     

多晶硅应变膜压力传感器

本文研究了多晶硅应变膜压力传感器制作技术,提出了防止多晶硅应变膜变形的工艺条件,研制出了多晶硅应变膜压力传感器。这一技术简单、与IC工艺较为兼容,适合研制集成压力传感器。     

多晶硅集成高温压力传感器研究

高温压力传感器因其特殊的应用环境而日益受到人们的重视.一些特殊的材料如SiC 、SOI等可以用来制作高温压力传感器,但是由于成本较高或加工难度大等原因,尚未得到广泛应用.本文提出了一种新型的高温压力传感器,采用多晶硅作为压敏电阻,同时采用新的工艺措施与全耗尽CMOS放大电路集成在一起,将输出电压转换为0~+5V的输出信号.通过模拟与投片实验,得到了优化的多晶硅注入浓度,从而使其压阻温度系数在-40℃~180℃范围内接近于零.     

多晶硅压力传感器灵敏温度系数自补偿技术研究

介绍了硅压力传感器的灵敏温度系数补偿原理,给出了一种在宽温度范围内采用二次补偿灵敏度温度系数的方法,实现了宽范围较高的补偿精度.具体方案是把压阻式惠斯登电桥与温度传感器、可微调多晶硅电阻集成在一个芯片上,通过优化多晶硅电阻的掺杂浓度和改变激励源的温度特性,从而实现对多晶硅压力传感器灵敏温度系数的二次补偿作用.经补偿,传感器的灵敏温度系数小于-1.5×10-4/℃,该方法的补偿温度范围为20℃～ 150℃,通用性强.     

纳米多晶硅薄膜压力传感器制作及特性

给出一种纳米多品硅薄膜压力传感器,采用LPCVD法在衬底温度620℃时制备纳米多晶硅薄膜,基于MEMS技术在方形硅膜不同位置制作由4个薄膜厚度为63.0nm的掺硼纳米多晶硅薄膜电阻构成惠斯通电桥结构,实现对外加压力的检测.实验结果表明.当硅膜厚度75μm时,纳米多晶硅薄膜压力传感器在恒压源5.0V供电时,满量程(160kPa)输出为24.235mV,灵敏度为0.151mV/kPa,精度为0.59%F.S,零点温度系数和灵敏度温度系数分别为-0.124%/℃和-0.108%/℃.     

纳米多晶硅薄膜压力传感器制作及特性

给出一种纳米多晶硅薄膜压力传感器,采用LPCVD法在衬底温度620℃时制备纳米多晶硅薄膜,基于MEMS技术在方形硅膜不同位置制作由4个薄膜厚度为63.0nm的掺硼纳米多晶硅薄膜电阻构成惠斯通电桥结构,实现对外加压力的检测. 实验结果表明,当硅膜厚度75μm时,纳米多晶硅薄膜压力传感器在恒压源5.0V供电时,满量程（160kPa）输出为24.235mV,灵敏度为0.151mV/kPa,精度为0.59%F.S,零点温度系数和灵敏度温度系数分别为-0.124%/℃和-0.108%/℃.     

高温压力传感器温度特性的改善

分析研究了多晶硅电阻对半导体高温压力传感器温度特性的影响，找到了改善传感器温度性能的最佳途径。研制出工作温度为２５０℃、压力量程为０－１ＭＰａ、灵敏度大于４０ｍＶ／ｍＡ·ＭＰａ的传感器。     

倒岛膜凹槽电容式压力传感器设计与特性分析

结合岛膜结构电容式压力传感器高灵敏度和凹槽结构电容式压力传感器较好线性度的优点,设计了一种倒岛膜凹槽电容式压力传感器,并根据其结构特点建立了倒岛膜凹槽电容式压力传感器的理论模型,使用FEA（有限元分析）法分析了传感器的电容-压力特性。结果表明,设计的倒岛膜凹槽电容式压力传感器具有较好的测量特性,其测量灵敏度和线性度分别为0.00512 fF/Pa和0.98178。与相同设计参数的岛膜或凹槽电容式压力传感器相比,该传感器较好地缓解了测量灵敏度和线性度之间的矛盾问题。     

电容式多晶硅微声传感器的模拟与设计

设计了一种以多晶硅薄膜作为振动膜片的电容式硅微声传感器。通过有限元法(FEM)对传感器建模，并对其进行静力、模态和谐响应分析。模拟分析结果表明此传感器机械灵敏度可达1．81X10^-7m／Pa，其频带宽度接近10kHz。     

多品硅压力传感器灵敏温度系数自补偿技术研究

介绍了硅压力传感器的灵敏温度系数补偿原理 ,给出了一种在宽温度范围内采用二次补偿灵敏度温度系数的方法 ,实现了宽范围较高的补偿精度。具体方案是把压阻式惠斯登电桥与温度传感器、可微调多晶硅电阻集成在一个芯片上 ,通过优化多晶硅电阻的掺杂浓度和改变激励源的温度特性 ,从而实现对多晶硅压力传感器灵敏温度系数的二次补偿作用。经补偿 ,传感器的灵敏温度系数小于 - 1.5× 10 - 4/℃ ,该方法的补偿温度范围为 2 0℃～ +15 0℃ ,通用性强。     

CMOS工艺兼容多晶硅压力敏感膜的设计与加工

在MEMS表面加工工艺中，多晶硅薄膜是微结构的重要组成部分。本文考虑加工工艺中残余应力的影响和多晶硅材料的强度范围，建立多晶硅膜的大变形模型，设计可用于压力传感器应用的多晶硅薄膜几何尺寸。采用有限元方法对多晶硅薄膜进行力学分析和设计验证，提出了CMOS工艺兼容的多晶硅压力敏感膜的加工方法，并且根据所设计的工艺进行了电容式压力传感器微结构的加工，加工结果说明了多晶硅薄膜设计的合理性和CMOS兼容工艺的可行性。     

智能化压力传感器的研制

本文主要介绍智能化硅压力传感器的微机检测，运算处理和控制。由平面工艺制成的硅压阻传感器，当其把压力信号转换为电信号后，经模拟通道的予处理，再由微机对检测的信号进行压力零点及灵敏度的温度补偿以及对压力非线性特性进行了校正，最后对测量结果进行了标度变换显示。     

微量程合金薄膜压力传感器

采用Ｃ型和Ｅ型整体平膜片结构，制造了０．１－６０ＭＰＡ量程范围的合金薄膜压力传感器，为实现０．１ＭＰＡ以下低微压力的测量，提出了新颖的ＥＩ型力学结构。本文叙述了该结构匠工作原理，设计依据，以及应用微细加工技术的工艺特点。     

压力开关传感器

为了满足我国相关行业配套组件的迫切需要,研制了一种新型压力开关传感器。该传感器采用一体化结构设计,将小型压力传感器与机械式压力开关安装在同一压力腔内,共用同一个压力接口和信号接插件,能够同时提供阶跃量信号和连续量电信号。该压力开关传感器整机结构紧凑、精度、过载倍数和可靠性高,触点动作误差和温度系数小,整体性能均高于单一功能类的产品。     

压力开关传感器

为了满足我国相关行业配套组件的迫切需要,研制了一种新型压力开关传感器.该传感器采用一体化结构设计,将小型压力传感器与机械式压力开关安装在同一压力腔内,共用同一个压力接口和信号接插件,能够同时提供阶跃量信号和连续量电信号.该压力开关传感器整机结构紧凑、精度、过载倍数和可靠性高,触点动作误差和温度系数小,整体性能均高于单一功能类的产品.     

压力开关传感器

为了满足我国相关行业配套组件的迫切需要，研制了一种新型压力开关传感器。该传感器采用一体化结构设计，将小型压力传感器与机械式压力开关安装在同一压力腔内，共用同一个压力接口和信号接插件，能够同时提供阶跃量信号和连续量电信号。该压力开关传感器整机结构紧凑、精度、过载倍数和可靠性高，触点动作误差和温度系数小，整体性能均高于单一功能类的产品。     

介观压阻型硅微压力传感器仿真分析

为了突破传统机电转换局限,提高压力传感器灵敏度,提出以介观压阻效应[1]为工作原理制作高灵敏度的硅微压力传感器,设计了一种圆形的平膜片结构,建立其三维实体有限元模型,通过理论分析与仿真计算,得出该结构的尺寸对其灵敏度、固有频率、谐振频率及模态振型的影响规律,为此类压力传感器结构的优化设计提供参考。     

碳化硅压力传感器结构仿真及优化

SiC半导体材料因具备较大的禁带宽度、高临界电场强度、高热导率和高载流子饱和漂移速度而成为制作高温、高压、大功率及耐辐射电子器件的极有希望的材料。本文首先介绍了分析薄膜应变所用的弹性力学和板壳理论。     

C型弹簧管光纤压力传感器

本文介绍了一种用Ｃ型弹簧管作为压力敏感元件，采用双面反射进行强度调制的光纤传感原理，实现压力检测。这种传感器可以充分利用光纤的接收特性，有效地解决动态范围与灵敏度成反比的矛盾，并能够消除光源强度变化以及其它因素对测量带来的影响。