ICP—AES法测定工业硅中杂质含量

研究了利用ICP—AES法测定工业硅中杂质元素Fe、Al、Ca的方法，建立了最佳工作条件，检出限小于0．003％，回收率在95—101％之间，RSD小于1％。方法简便快速，有好的精密度和准确度。     

工业硅中金属杂质分布及存在形式

选取工业硅锭不同位置的硅块做对比实验,对其中杂质特别是金属硬质杂质的形貌、分布、种类和含量做了详细研究,并对Fe、Al杂质的去除提出了湿法酸浸出的后续处理方案.     

超声强化单宁锗中杂质铁去除研究

针对现行洗涤除杂工序问题,提出一种超声波强化单宁锗中杂质铁去除的新方法。在分析单宁锗中铁赋存状态及反应温度、液固比、硫酸质量浓度及超声功率等单因素影响的基础上,考察超声强化杂质铁去除的机制。研究结果表明：单宁锗中杂质铁的赋存形式复杂,包括Fe₂(SO₄)₃、Fe(OH)₃、Fe SO₄、单宁-Fe(Ⅲ)络合物等,需要超声酸洗去除。当超声功率为225 W、硫酸质量浓度为20 g/L、液固比为7:1 m L/g、反应温度为40℃和反应时间为30 min时,铁的去除率达到85.95%,比常规条件的去除率增加9.8%左右。单宁锗中杂质铁的去除受内扩散步骤控制,超声作用能够增加杂质铁与硫酸的接触,降低反应的扩散阻力,使铁去除表观活化能由常规条件下的17.190 k J/mol减小至13.856 k J/mol,从而提高杂质铁的去除效率。     

纯净钢及其有害杂质元素去除的研究进展

随着人们对钢质量和纯净度要求的不断提升,对钢中有害杂质元素的去除日益迫切。本文简要论述了传统钢中杂质元素硫、磷、氢、氮和有色金属杂质元素铜、砷等的去除研究进展情况。     

OS界面杂质分凝的计算机辅助分析

研究了绝缘栅栅氧化过程中的杂质分凝效应，探讨了微电子ＣＡＤ工艺模拟系统实现计算机辅助分析的模式。     

氧化过程中杂质分凝行为的模拟

本文以ＰＭＯＳ结构为研究对象，对其绝缘栅栅氧化过程进行了计算机动态模拟。提出了抑制杂质分凝的栅氧化新模式。     

工业硅中杂质相的微观结构及分布规律研究

工业硅中杂质相成分及比例直接影响有机硅单体合成的活性与选择性. 因此,研究杂质相与杂质含量的对应关系尤为重要. 本文通过扫描电镜（SEM）和能量色散X射线光谱仪（EDX）对精炼前和精炼后工业硅中夹杂物微观结构及赋存状态进行了研究. 由于精炼前工业硅的Ca和Al含量较高,其杂质相主要以Si2Al2Ca、Si-Al-Ca和Si8Al6Fe4Ca等为主;而精炼后Fe为主要元素,故其析出相主要包括FeSi2(Al)、FeSi2Ti和Si8Al6Fe4Ca等. 此外,本文通过Image Pro Plus进行统计,得到精炼前硅中Si2Al2Ca和Si8Al6Fe4Ca相分别占夹杂物成分的48%和30%,而精炼后硅中FeSi2(Al)相占比68%,唯一含Ca相（Si8Al6Fe4Ca）仅占夹杂物含量的7%. 本文将精炼前和精炼后的工业硅中杂质相成分及比例进行比较,意为寻找硅中杂质含量对杂质相的影响规律,以制备最佳的下游有机硅用工业硅原料.     

硅片氧化过程及其对硅中杂质分布影响的分析

利用带活动边界的“D＇Alembert变分法”分析了硅片的氧化过程及此过程所引起的硅中杂质的再分布.氧化过程的理论分析结果及对两种常见的杂质初始分布的计算结果均与实验相符.     

水中含有杂质对其表面张力系数的影响分析

本文首先简单介绍了FD-NST-I型液体表面张力系数测定仪的工作原理。然后利用该测定仪测量了纯水的表面张力系数后,重点分析了水中有杂质的情况下对实验结果的影响。     

铁基超导体中间隙铁杂质诱导的隙内束缚态

基于两轨道四带紧束缚模型,用T矩阵方法研究铁基超导体中间隙铁杂质诱导的隙内束缚态.研究表明,间隙铁杂质点和最近邻铁点上的局域态密度有很强的隙内共振峰,并且随着参数t和ΔI的变化而发生明显的改变.共振峰位置和高度仅取决于间隙铁和最近邻铁之间的跃迁参数t和配对参数ΔI.此类隙内束缚态可以通过扫描隧穿实验直接观察到.     

制备高纯硅所用的碳化稻壳粉的净化研究

研究了碳化稻壳(CRH)的酸浸除杂、超声酸浸除杂,考察了盐酸浓度、酸浸时间、酸浸温度、酸浸液固比和搅拌速度对除杂效果的影响.得到最佳工艺为:CRH粒度在75μm以下、盐酸质量分数为5%、反应时间3h、水浴温度60℃、浸出液固比14∶1、搅拌速度60r/min.在此最佳工艺条件下,CRH中金属元素的总去除率达96.41%、非金属元素的总去除率达66.68%.实验同时也探讨了超声场作用下酸浸时间对杂质去除效果的影响,最终金属元素的总去除率和非金属元素的总去除率分别达到了99.07%和71.77%.     

重金属污染底泥固化体负载铁去除水中磷的研究

采用免烧结技术将重金属污染的底泥固化稳定化,在满足安全性的基础上,利用FeCl₃对固化体改性,研究改性固化体吸附去除水中磷的性能及机制。研究结果表明：经过免烧结固化之后,当水泥掺量质量分数为40%,养护龄期28 d,Cd,Cu与Pb稳定化率达到92.5%,91.8%,99.5%;Cd,Cu和Pb的浸出浓度分别为1.00×10^-4 ,1.18×10^-2和1.40×10^-4 g·L^-1;改性后底泥固化体的磷去除率由41.2%提升至98.7%,铁改性固化体较佳的铁含量配比为112.0 g·kg^-1（Fe/固化体）;在水体除磷应用中,当磷浓度为5.00×10^-3 g·L^-1,改性固化体投加比为10 g·L^-1、pH为6、在90 min时达到吸附平衡,吸附过程符合Freundlich模型,且与准二级动力学方程的拟合程度高。     

定向凝固制备多晶硅柱状晶的研究

为了控制定向凝固过程中柱状晶的稳定生长,结合真空定向凝固技术,在一定的工艺参数下,利用真空定向凝固设备成功制备出具有单向凝固组织的多晶硅材料,通过对制备的多晶硅锭从纵截面和不同位置横截面的微观组织进行研究,分析得出了定向凝固过程中多晶硅垂直于底部的柱状晶和大晶粒形成的最佳工艺参数,通过X射线衍射检测,显示晶体择优取向为<111>面,文章还利用晶粒淘汰机制和柱状晶合并机制合理解释柱状晶体长大过程.     

异质结构液相外延中杂质的扩散行为

本文导出了异质结构液相外延中杂质扩散分布函数的一般形式,指出扩散PN结位置存在“退缩”效应,讨论了外延生长参数对PN结位置的影响,并与Zn在InGaAsP/InP液相外延中扩散PN结位置的实验结果做了比较。     

异步轧制取向硅钢织构的模拟研究

本文系统地阐述了异步轧制剪切变形条件下板材冷轧织构的模拟计算理论;采用矢量法根据实测的ＯＤＦ构造板材的原始组织、在假设临界滑移系开动几率均等的条件下,运用Ｔａｙｌｏｒ模型对取向硅钢的亚表层和中心层的冷轧织构进行电算模拟;在此基础上,对剪切变形条件一些轧制因素的影响进行了讨论。     

双势垒中类氢杂质位置变化对量子隧穿的影响

运用求解任意势中波函数和转移矩阵方法相结合的方法,讨论双势垒结构中类氢杂质位置变化对电子共振隧穿的影响,计算得到电子的共振能级、波函数、透射系数.结果表明:杂质会使双势垒结构的有效势阱加深,从而使得电子的共振能量向低能区移动.电子在势阱中的平均位置越靠近杂质中心所在的位置,相应的有效势阱越深,使得共振峰的能量越低.类氢杂质在势阱中央时,处于第一激发态的电子共振能量最高,而处于第二激发态的电子共振能量最低.     

电解金属锰有关杂质的影响及其来源和去除方法

阐明了如何保证电解金属锰产品质量达标的重要技术,论述了硫化净化除重金属的原理与生产实践,介绍了国家经贸委发布的电解金属锰行业标准,分析了如何达标的具体方法.     

硅中磷的挥发速度系数的测定

本文给出了一种通过真空区熔工艺测量电阻率的方法，用测定和计算磷的挥发速度系数的方法。可以给出挥发系数与ρ的关系曲线，即随着提纯次数的增加，挥发系数Ｅ的数值有下降的趋势；特别是电阻率增大时，Ｅ的数值减小。     

组合离子注入的杂质浓度分布与损伤分布比较

用LSS理论,计算了注入能量为180keV,注入剂量为1×10~(13)～5×10~(15)ion/cm~2的N_2~ /As~ 组合离子注人Si的杂质浓度分布,由X射线衍射的运动学理论,利用多层模型和试探应变函数拟合X射线衍射曲线,得到了晶格应变随注入深度的分布,并将二者进行了比较.结果表明N_2~ /As~ 组合离子注入单晶Si的应变分布曲线为单峰,位于杂质浓度分布曲线的双峰之间,靠近重离子峰.     

关于我国商业银行信用风险管理现状的思考

中国加入世界贸易组织(WFO)将使我国的金融机构面临来自国外同行的激烈竞争。我国商业银行必须学习国外先进的、科学的度量和管理方法，同时应结合我国的实际情况，强化信用风险管理，开发出适合我国商业银行的内部信用评级体系，建立一套完整的信用风险管理系统。