采用氦氖激光作光源程控镀制6328A高反射膜技术

<正> 目前氦氖激光所用的高反射膜和部分反射膜是在高真空条件下用ZnS、MgF_2两种介质材料交替镀制而成的。每层厚度为其反射波长数值的四分之一。监控方法一般是采用极值法,即在蒸镀每种材料时,当反映其厚度变化的光电信号透过值达到最大(MgF_2)或最小(ZnS)值时,其蒸镀厚度即为该波长的四分之一,应立即截止蒸镀。     

CMOS传感器紫外敏化膜层的厚度优化及其光电性能测试

采用真空热阻蒸方式在CMOS图像传感器感光面上镀制不同厚度性比价高的Lumogen薄膜.研究发现不同Lumogen薄膜厚度的CMOS传感器的暗电流噪声未发生明显变化,说明真空热蒸发方式对互补金属氧化物半导体器件本身未造成热损伤;光响应非均匀度随膜厚增加而增大;动态范围却随膜厚增加而减小;量子效率随膜厚增加呈现先增大后减小.同时,研究发现敏化膜层最佳厚度为389nm,此时CMOS传感器的量子效率提高了10%,且光响应非均匀度,动态范围均在相对较好的范围内.     

金属铜纳米孔洞阵列膜制备方法研究

以多孔阳极氧化铝膜(anodic aluminum oxide，AAO)为模板，用真空蒸镀法复制了金属铜的纳米孔洞阵列膜，SEM结果表明，制备得到的金属铜纳米孔洞阵列膜形貌与AAO膜一致.此方法简单易行，能大规模生产，为纳米膜的工业化复制提供了一种新的工艺，为纳米线、纳米管等纳米阵列材料的合成与组装提供了有利的条件. 关键词： AAO模板 真空蒸镀 金属铜纳米孔洞阵列膜 纳米复制     

金属蒸镀膜附着力的测定

一、前言研究基片上的薄膜吸附强度和膜层从基片上脱落的破坏过程,对考虑薄膜的应用技术和牢固性等都是十分重要的,对膜层物理特性也是有意义的。本文对玻璃基片上真空蒸镀金属膜(Ag、cu、Al)时,附着力和膜厚及基片温度的关系进行了研究,同时还研究了胶合剂的性能。二、试片的制作用附着力测定的试片(Ag、cu、Al)的蒸镀,可在油扩散泵排气系统排气的真空室内进行。试料纯度为99.999—99.99％,在钨舟中加热。其蒸镀速度为2—4A/s;蒸镀过程中真空度为4×10~(-3)Pa,所用基片是26×10×1.5mm的玻璃片。基片温度最高     

980nm半导体激光器腔面膜钝化新技术

研究了不同腔面钝化方法对980 nm渐变折射率波导结构InGaAs/AlGaAs半导体激光器输出激光功率的影响.将980 nm半导体激光器管芯前后腔面不蒸镀钝化膜与蒸镀Si钝化膜和蒸镀ZnSe钝化膜的方法进行了对比.结果表明,蒸镀ZnSe钝化膜比蒸镀Si钝化膜的半导体激光器输出光功率提高了11％,比不蒸镀钝化膜的半导体...     

金属薄膜在云母与富勒烯衬底上的电阻弛豫现象

超高真空环境中，在云母和富勒烯衬底上蒸镀半连续的Nb和Ag膜，同时对其进行了原位电阻测量．在人为地突然中断蒸镀之后的10min内，仔细研究了样品电阻随时间的自动缓变过程（弛豫）．实验发现，Nb/云母和Ag/C₆₀样品的电阻随时间缓慢增加，Ag/云母样品的电阻随时间逐渐减小．样品弛豫的强度与衬底温度和金属膜厚度密切相关．分析表明，衬底上的金属原子徙动会引起金属岛的边际形变以及岛间融合，这是薄膜电阻弛豫的主要原因．电阻弛豫的方向与强度反映了金属膜/衬底系统的界面活性．衬底表面的缺陷也会影响这一弛豫过程．从微观的原子运动和宏观的热力学平衡这两方面描述了弛豫过程 关键词：     

不等厚薄膜的应用和镀制

在光学零件表面镀制特殊要求的不等厚薄膜可使其面形满足特定的函数关系,这对改善光学系统的成象质量具有重要的意义。因此,不等厚薄膜技术颇有实用价值。本文着重介绍使用真空蒸镀工艺获得不等厚薄膜所采用的遮板切口形状的设计方法,作为特例,叙述了航空摄影机光学系统照度补偿板——滤光玻璃不等厚透射膜的制作工艺和测试方法。使用真空蒸镀工艺获得不等厚薄膜,实质上就是有效地控制被镀表面各处所接收的蒸发物质分子的流量。为此,被镀表面与蒸发源之间应置一具有特殊形状切口的遮板,而切口形状与所要求的不等厚薄膜的面形函数相对应。所以,切口形状的设计     

Al／Zr-V／Mo多层膜的XPS分析

采用电阻蒸镀的方法将单一C15相ZrV2合金蒸发，经物理气相沉积在Mo底衬上沉积一层厚度约5μm的Zr-V／Mo膜。再将高纯铝(纯度大于99．99％)蒸发至Zr-V/Mo膜表面，从而制备出Al／Zr-V/Mo多层膜。     

多层PbBi-SiO膜的超导临界电流特性

用真空热蒸镀法制备了超导多层PbBi-SiO膜。测量了这些样品的超导临界参量。观测到同一样品上的临界电流在不同磁场和温度下有不同的特征。 关键词：     

稳定高温氧化物薄膜折射率的一种方法

<正> 现在,真空蒸镀高温氧化薄膜愈来愈多地引起人们的注意。但是,几乎所有高温氧化物薄膜在一定的成膜工艺条件下,都具有变折射率的特性,想得到折射率不变的均质薄膜是很困难的。为了在通常的蒸镀条件下,得到折射率较为稳定的高温氧化薄膜,我们在ZrO_2和La_2O_3膜料中掺入适量的Ta_2O_5粉末,用电子束加热混合膜料,只要充分预熔除气,就能基本上稳定折射率。实验是在DMD-450型镀膜机上进行的,用JT-75-1型椭圆仪测量了所镀薄膜的折射率和厚度。用EPS-3T型自动记录分光光度计测量了λ/4单层膜的分光曲线。下面仅就稳定ZrO_2和La_2O_3两种氧化物薄膜折射率的方法加以介绍: 1.ZrO_2薄膜在不加Ta_2O_5粉末的情况下,一般为折射率负变(折射率随膜厚的增加而减小)的膜层。我们给ZrO_2膜料里掺入Ta_2O_5     

[Fe/Cr]多层膜及掺入Si中介层后的层间耦合和磁电阻效应

用真空蒸镀方法制备了［Ｆｅ／Ｃｒ］，［Ｆｅ／Ｃｒ／Ｓｉ］和［Ｆｅ／Ｓｉ］多层膜．研究了Ｃｒ层、Ｓｉ层和Ｃｒ＋Ｓｉ层厚度变化对层间耦合和磁电阻的影响．Ｆｅ层厚为２ｎｍ，Ｃｒ层厚度变化存在耦合振荡和巨磁电阻及其振荡．磁电阻值为１４.６％（４.２Ｋ）．在Ｃｒ层中加入一半Ｓｉ层或全部由Ｓｉ层替代，振荡消失，磁电阻减小到千分之几．根据掺Ｓｉ层后多层膜的电阻率变化，认为Ｓｉ加入使非磁层中自由电子数减少，随之极化效应也变弱，导致振荡消失，磁电阻大为降低 关键词：     

波长1O64nm脉冲激光高阈值反射膜的研制

研究 Ｈｆ Ｏ２／ Ｓｉ Ｏ２ 高反射膜的制备工艺及其激光诱导损伤阈值的比较测试,分别采用了反应蒸镀 Ｈｆ Ｏ２、反应离子辅助蒸镀 Ｈｆ Ｏ２、反应离子辅助蒸镀金属 Ｈｆ 的源材料形成 Ｈｆ Ｏ２ 薄膜。采用这三种工艺制备了 Ｈｆ Ｏ２ ／ Ｓｉ Ｏ２ 高反射膜,在中心波长 １０６４ｎｍ 处,反射率 Ｒ≥９９．５％ ,其中反应蒸镀 Ｈｆ Ｏ２ ／ Ｓｉ Ｏ２ 高反射膜损伤阈值最高,可达 ６０ Ｊ／ｃｍ ２（１０６４ｎｍ ,５ｎｓ）。     

BePP_2沉积速率以及厚度对蓝光OLED性能的影响

实验采用真空热蒸镀方法,在高准确度膜厚控制仪的监控下,制备了结构为ITO/2T-NATA(25nm)/NPB(30nm)/BePP2(X nm)/Alq3(30nm)/LiF(0.6nm)/Al(80nm)的蓝光器件,并对其发光层(BePP2)薄膜的沉积速率以及厚度对器件的亮度、发光效率影响进行了分析和实验研究.结果表明:当束源炉孔径为Φ1.5mm,束源炉温度在120℃~150℃区域,BePP2的蒸镀速率比较平滑,斜率变化小,易于膜厚精准控制,且薄膜较致密满足器件需要;BePP2在最佳沉积速率为0.02nm/s(蒸发温度为135℃),且发光层厚度为35nm时,可获得启亮电压为5.34V、发光亮度为9 100cd/m2、发光效率达4.4cd/A的较理想蓝光器件.     

MnBiDy(Sm)永磁膜的结构和磁性

报道了采用真空蒸镀的方法制备的MnBiDy(Sm)永磁膜的结构和磁性.Mn:Bi:Dy(Sm)的投料比为2:1:0.10.薄膜经过退出处理(350—425℃,保温4h)后,具有NiAs型hcp结构,C轴垂直膜面,剩余磁感应强度B=3.4-6.5kG,内禀矫顽力_MH_c≈3-8kOe,最大磁能积(BH)_(max)=13.39MG·Oe.实验发现,薄膜厚度对MnBiDy(Sm)永磁膜的结构和磁性具有很大的影响. 关键词：     

等离子清洗处理SERS活性金岛膜表面杂质的研究

采用真空蒸镀法在硅片表面形成了一层具有表面增强拉曼活性的金岛膜.拉曼光谱发现该金岛膜表面存在非晶态碳的污染物.通过比较不同清洗方法的拉曼光谱可以证明,用氧气等离子体清洗金岛膜可有效去除金表面的杂质.金岛膜的表面增强拉曼活性在清洗前后没有发生明显变化.     

石墨上纳米尺度金岛的形成

用扫描隧道显微镜研究了真空蒸镀在高定向热解石墨上金岛的形成和形状．随着蒸镀量的增加及时间的推移，金原子在表面通过扩散而逐渐合并成越来越大的原子团，以至岛，甚至岛群．虽然几个纳米大小的原子团仍十分可动，但在蒸镀量大于20单层时的岛或岛群已十分稳定．研究发现，同一蒸镀量下，各个金岛具有非常接近的宽度和高度，用薄膜成核的圆柱状模型计算岛的宽度与高度之比表明，金岛非常接近热力学平衡状态．这些形状各异的通过生长而自组装形成的纳米尺度金岛可用来进行介观物理的研究 关键词：     

关于真空蒸镀黑铝工艺

为改善家增强器背景,提高图象对比度,要求对管壳内部另件及萤光屏进行镀黑铝或黑银。 本文介绍在低真空下大面积蒸镀黑铅的工艺及蒸镀工艺的优缺点。     

强磁场对真空蒸镀制取Te薄膜的影响

采用强磁场下物理气相沉积方法,在单晶硅、玻璃板和聚乙烯（PET）基片上真空蒸发制取Te膜.结果显示在三种不同的基片上生长Te膜时,4 T强磁场能够加快Te膜的形核长大,增大Te膜的颗粒尺度,使晶粒〈011〉方向取向性增强. 关键词： 真空蒸镀 强磁场 晶面取向 Te薄膜     

基于太阳模拟器阶梯式补偿滤光片的研究

太阳模拟器是利用人工光源模拟太阳光辐照的设备,滤光片作为太阳模拟器中的重要元件,对其光谱精度要求也越来越高.本文通过建立数学模型,引入新的评价函数,设计了0.4~1.1μm波段五个不同分光要求的阶梯式补偿滤光膜.并在薄膜制备过程中,应用最小二乘法原理对实验数据进行拟合,找到了残余蒸镀量与膜层厚度之间的关系,解决了残余蒸镀对薄膜的光谱影响,最终制备出的薄膜符合使用要求.     

薄SiO_2膜厚度的椭偏测量方法

应用常规椭偏方法测量膜厚小于 ３００Ａ的薄ＳｉＯ２膜厚度时，由于膜的折射率对已知参数比较敏感，因而测量误差较大．本文给出一种薄ＳｉＯ２膜厚度的椭偏测量方法，引入等效入射角的概念，用曲线拟合求交点的办法精确确定了膜的折射率和厚度．