二氧化硫的电化学氧化过程Ⅲ．SO_2在聚钴卟啉膜电极上的氧化机理

采用循环伏安法、稳态法、计时电位法等研究了ＳＯ＿２在聚钴卟啉膜电极上的电化学氧化过程，并和ＳＯ＿２在贵金属电极上的行为进行了比较。     

二氧化硫的电化学氧化过程：Ⅱ.SO2在贵金属电极上的氧化机理

采用计时电位法、计时电流法和稳态极化曲线法研究了ＳＯ＿２在Ａｕ和Ｒｕ两种不同类型贵金属催化剂上的氧化过程，提出了ＳＯ＿２在这两类电极上的氧化机理。     

二氧化硫的电化学氧化过程：Ⅰ.电极材料的影响

采用循环伏安法研究了SO_2在多种电极(催化剂)上的电化学氧化过程。根据催化剂上是否存在表面氧化物以及SO_2吸附形态的不同,可将所研究的催化剂分为三种类型。第一类以Au、Pt、Pd为代表,第二类以Ru、Rh、Ir为代表,第三类以聚钴卟啉类N_4大环配合物为代表。并对SO_2在三类催化剂上反应的特点进行了讨论。     

四(α-萘基)四苯并卟啉钴配合物的光谱电化学性质

Ｋｅｌｅｔ等［１］研究ＣｏＴＭＡＰＩ催化水制取氢气的反应时指出，活性中心是一价钴卟啉．曹锡章等［２］研究钴卟啉催化ＣＯ２电化学还原时指出，活性中心也是一价钴卟啉．然而，不稳定价态的金属卟啉配合物的制备和性质研究较为困难．光谱电化学的迅速发展为不稳定价...     

烷基钴卟啉[(TPP)CoR]的电化学合成和现场伏安/现场光谱电化学研究

本文报道甲基、乙基、丙基和丁基钴卟啉化合物的电化学合成和现场伏安、现场光谱电化学研究,烷基化反应的速度被确定.这些烷钴卟啉还原反应生成烷基饱和的四苯基chlorin钴化合物.     

吡啶存在下（TPP）Co的电化学氧化还原行为研究

本文考究了吡啶对Ｃｏ在１，２－二氧乙烷中的电化学氧化还原行的影响，观察到当存在一定量Ｐｙ时，ＣＯ（Ⅲ）／Ｃｏ（Ⅱ）还原过程出现两个还原峰，分别在０．２５和－０．４０Ｖ两处。     

电化学氧化增强金属钴卟啉的自组装研究

应用电化学方法将钴(Ⅱ)卟啉氧化成钴(Ⅲ)卟啉以增强它与4-巯基吡啶(MP)自组装膜的轴向配位作用,从而快速制备了有序钴卟啉自组装修饰电极CoTMPP/MP/Au(E).电化学石英晶体微天平(EQCM)测试证实电化学氧化对钴卟啉膜生长过程的增强作用.Ram an光谱及修饰电极电催化还原氧研究显示,该修饰电极与经过长时间浸渍法得到的CoTMPP/MP/Au(I)修饰电极具有完全相似的有序结构和性质.与直接将钴卟啉吸附在电极表面的CoTMPP/Au修饰电极相比,以巯基吡啶为桥键得到的钴卟啉修饰电极具有更好的电催化活性和稳定性.     

OH-存在下四苯基卟啉合钴氧化过程的电化学和光谱电化学

本文利用薄层伏安和现场光谱电化学方法考察了在EtCl~2中OH^-存在下四苯基卟啉合钴(TPP)Co^11的电极氧化反应。在低浓度OH^-存在下, (TPP)Co^11与OH^-生成一配位的配合物(TPP)Co^11(OH)^-, 此配合物不可逆地被氧化为(TPP)Co^111(OH)^-, 氧化峰电位负移到0.53V。而卟啉环第一步氧化电位也负移到0.88V。在高浓度OH^-存在下, (TPP)Co^11(OH)^-氧化生成(TPP)Ca^111(OH)~2^2-,氧化电位随OH^-浓度增加向负移。卟啉环第一步和第二步氧化电位分别负移到0.57V和1.07V。同时观察到第二步氧化伴随后行化学反应, 产物氧化电位在1.32V。测定了(TPP)Co^11(OH)^-, (TPP)Co^111(OH)^-和(TPP)Co^111(OH)~2^2-,(TPP)^+Co^111(OH)^-和(TPP)^+Co^111(OH)~2^2-各级配位化合物稳定常数。提出一个在OH^-滴定过程中(TPP)Co的各步配位反应及电化学反应的机理。     

CoTPP电化学催化原溴代环己烷的机理

以电化学循环伏安、现场ＥＳＲ电化学以及现场薄层电化学方法研究了电生Ｃｏ（Ｉ）ＴＰＰ与溴代五己烷的反机制。在ＤＭＦ中，Ｃｏ（Ⅱ）／Ｃｏ（Ⅰ）的氧化还原有明显的催化溴代环己烷还原的特片，反现场有自由基生成，反应产物之一是Ｃｏ－Ｃ键化合物，可以在１．３０Ｖ（ＳＣＥ）－电子还原，当存在ＣＨ２－ＣＨＣＮ时，。生成另一种Ｃｏ－Ｃ键化合物，该化合物在－１．１０Ｖ（ＳＣＥ）处一电子还原，证明溴代环己烷与Ｃｏ（Ｉ）     

巯基钴卟啉自组装膜的表征及催化性能

用自制的新型尾式巯基钴（Ⅱ）卟啉在金电极上制成自组装单分子膜,并用ＸＰＳ,ＳＥＭ和电化学的方法进行了表征。该膜对抗坏血酸具有良好的催化作用,其氧化过电位较裸金电极上降低了１４０ ｍＶ,响应电流与抗坏血酸（ＡＡ）的浓度在 ７．８ × １０－５ｍｏｌ／Ｌ～１．０×１０－２ｍｏｌ／Ｌ的范围内具有良好的线性关系,相关系数为 ０．９９８１;检测下限为 １．３ × １０－８ｍｏｌ／Ｌ（富集 １０ｍｉｎ）。     

四苯基卟啉合钴电化学催化还原二卤代乙烷的研究

本文以电化学、薄层电化学,可见·紫外现场光谱电化学和计算机数字模拟等方法,研究了四苯基卟啉合钻在N,N-二甲基甲酰胺和1,2-二氯乙烷溶液中电化学催化还原1,2-二澳乙烷和1,2-二氯乙烷的电极过程,测定了平行催化反应速率常数分别为1.2×10~3和5mol~(-1)·dm~3·S~(-1).     

Br^—对（TPP）Co电化学氧化还原行为影响研究

用微电极和薄层循环伏安（ＣＶ）技术研究了Ｂｒ＾－对四苯基钴卟啉（ＴＰＰ）Ｃｏ）在１，２－二氯乙烷（ＤＣＥ）中电化学行为的影响，发现在较高电位下，两个Ｂｒ＾－轴向配位的（ＴＰＰ）Ｃｏ（Ⅲ）（Ｂｒ＾－）２其一个Ｂｒ＾－发生脱落表现出（ＴＰＰ）Ｃｏ（Ⅲ）（Ｂｒ＾－）的行为特征，这被证明是Ｂｒ＾－的氧化所致证明了（ＴＰＰ）Ｃｏ（Ⅲ）Ｂｒ＾－在约０．１２Ｖ（ＳＣＥ）处还原，而（ＴＰＰ）Ｃｏ（Ⅲ）（Ｂｒ＾－）     

钴卟啉的不可逆氧化及含氟聚合物对钴卟啉复合膜氧络合寿命的影响

研究了甲基丙烯酸八氟戊酯 乙烯基咪唑共聚物 (PFIm)与 5 ,1 0 ,1 5 ,2 0 四 (邻 三甲基乙酰胺苯基 )钴卟啉 (TPPCo)复合膜的氧络合百分率随环境湿度和时间的变化 ,讨论了钴卟啉不可逆氧化的机理、动力学 ,及钴卟啉与氧络合的寿命 .空气中的水分子进攻与氧络合的钴卟啉 ,生成过氧化氢自由基和三价钴卟啉 ,是钴卟啉失去与氧络合能力的主要原因 .发现PFIm的憎水性可抑制由水分子引起的钴卟啉的不可逆氧化反应 ,可显著延长钴卟啉与氧络合的寿命 ,从而使含氟的PFIm TPPCo膜与氧络合的寿命要比甲基丙烯酸辛酯 乙烯基咪唑共聚物 (POIm)与钴卟啉复合膜的寿命长     

SO2对NO催化氧化过程的影响V.NiO/γ-Al2O3上SO2的作用机理

采用程序升温脱附(TPD)及漫反射原位红外光谱(DRIFT)技术分析比较了SO2存 在前后，NO—02反应气体在NiO／γ—Al2O3催化剂上所形成吸附物种的变化情况， 发现SO2能促使硝酸盐物种在低温分解并释放出NO2，而且耐热稳定的硝酸盐物种也 比单纯NO-02吸附时多．室温时催化剂表面上的SO2以弱吸附物种为主，特征红外吸 收峰位于1324cm^-1附近，温度升高后表面硫酸盐物种数量增多．关联SO2气氛中 NO2的生成规律后得出，类似于铅室反应中间体的多分子吸附物种[NO2(SO3)x]是产 生N02的活性物种，由SO2在载体或催化剂表面弱碱位吸附后吸引气相NO所产生，解 离O^-起到稳定活性物种和补充弱碱位的作用．同时该物种也是毒性物质SO4^2-的 前驱体，当KO氧化反应发生后催化剂的失活也开始了．     

SO2对NO催化氧化过程的影响V.NiO/γ-Al2O3上SO2的作用机理

采用程序升温脱附(TPD)及漫反射原位红外光谱(DRIFT)技术分析比较了SO2存 在前后，NO—02反应气体在NiO／γ—Al2O3催化剂上所形成吸附物种的变化情况， 发现SO2能促使硝酸盐物种在低温分解并释放出NO2，而且耐热稳定的硝酸盐物种也 比单纯NO-02吸附时多．室温时催化剂表面上的SO2以弱吸附物种为主，特征红外吸 收峰位于1324cm^-1附近，温度升高后表面硫酸盐物种数量增多．关联SO2气氛中 NO2的生成规律后得出，类似于铅室反应中间体的多分子吸附物种[NO2(SO3)x]是产 生N02的活性物种，由SO2在载体或催化剂表面弱碱位吸附后吸引气相NO所产生，解 离O^-起到稳定活性物种和补充弱碱位的作用．同时该物种也是毒性物质SO4^2-的 前驱体，当KO氧化反应发生后催化剂的失活也开始了．     

氧化石墨烯基钴卟啉复合材料的电催化析氢反应

制备了5,10,15,20-四(苯基)卟啉钴配合物(CoTPP), 并利用该配合物与氧化石墨烯(GO)的π?π堆积作用组装了CoTPP/GO电催化产氢复合材料. 研究发现, 当CoTPP与GO的质量比为1∶15时, 复合材料的性能最佳. 该材料的拉曼和扫描电子显微镜结果显示, 与GO相比, CoTPP/GO复合材料表面的无序程度增加, 形貌改变有利于促进反应体系的电荷迁移与分离; 交流阻抗测试结果显示, 阻抗值由GO的1180 Ω降低为CoTPP/GO材料的734 Ω; 电化学测试结果显示, 析氢起始过电位由-761 mV降低为-337 mV, 塔菲尔斜率由296 mV/dec 降低至174 mV/dec, 法拉第效率却由23%提高至87%. 加入二苯硫醚(SPh₂)轴向配体后, CoTPP(SPh₂)/GO材料的析氢起始过电位进一步降低至-235 mV, 塔菲尔斜率降低至163 mV/dec, 法拉第效率提高至94%. 研究结果表明, 通过氧化石墨烯与金属卟啉的非共价键自组装是构筑石墨烯基电催化产氢材料的一个有效途径.     

位阻型钴卟啉的结构及其在催化氧化2,6—二叔丁基苯酚反应中活性的研究

本文报道了在４０℃和０．１ＭＰａ氧气的条件下，以系列带有不同吸电子基团的位阻型钴卟啉作催化剂，研究２，６－二叔丁基苯酚的催经氧化反应，根据实验数据及对反应动力学的研究，提出了该催化氧化反应的机制，结果表明，钴卟啉催化氧化２，６－二叔丁基苯酚的反应符合酶的催化反应机制，催化剂的催化活性随着取代基团的吸电子效应和位阻效 增加而降低，即：ＴＰＰＣｏ（Ⅱ）〉ＴＰ－ＣＩＰＰＣｏ（Ⅱ）〉Ｔｏ－ＣＩＰＰＣｏ（Ⅱ