基于电力电子低温应用的超导电力集成研究

本文探讨了基于电力电子低温应用的超导电力集成的基本概念,分析了集成设计的基本原理.提出了超导集成低温功率系统应用的三种基础单元:超导集成低温DC/DC单元、超导集成低温AC/DC单元以及超导集成低温整流桥单元.它们将电力电子低温应用与超导电力应用有机的集成了起来,实现了无引线磁体功率系统、电压补偿型超导限流器以及无需偏压源的超导限流器等新的超导电力应用.最后讨论了实现超导集成低温功率系统的关键技术.     

基于电力电子低温应用的超导电力集成研究

本文探讨了基于电力电子低温应用的超导电力集成的基本概念，分析了集成设计的基本原理．提出了超导集成低温功率系统应用的三种基础单元：超导集成低温DC／DC单元、超导集成低温AC／DC单元以及超导集成低温整流桥单元．它们将电力电子低温应用与超导电力应用有机的集成了起来，实现了无引线磁体功率系统、电压补偿型超导限流器以及无需偏压源的超导限流器等新的超导电力应用．最后讨论了实现超导集成低温功率系统的关键技术．     

极低温微波半导体开关探索研究

针对开关滤波器组中超导滤波器的应用,文中探讨了极低温微波半导体开关的研制,制作了一种微波PIN管SPDT开关.开关在20K温度下的插损≤1.1dB,隔离度≥56dB,开关速度14ns.对低温对开关性能的影响进行了分析,为极低温微波开关的设计提供了依据.     

大口径低损耗微波真空窗设计

微波真空窗是宽频带低温接收机的关键部件,直接影响接收机的噪声温度。本文对馈源辐射张角、材料介电常数、大气压力等关键参数进行分析研究。通过理论设计、计算仿真、实验测试,完成了1.2～9 GHz宽频低温接收系统的大口径低损耗微波真空窗的研制,插损≤0.2 dB。突破了大口径馈源制冷的关键技术,解决了宽频低温接收系统噪声温度≤50 K的技术难题。     

基于量子相干效应的无芯射频识别标签的空间散射场测量

基于原子蒸汽池中铯里德伯原子的电磁感应透明光谱在微波场作用下的Aulter-Towns效应,测量了无芯射频识别标签线形散射单元的近场散射微波电场二维空间分布,空间分辨率可达到亚微波波长.实现了射频电场极化方向与线形散射体标签夹角的有效分辨.电磁仿真软件的仿真结果与实验测量符合得很好.本研究提供了一种测量微波电场近场测量的新方法,对无芯射频识别标签的散射单元设计和标定以及电子电路的电磁辐射测量具有重要的意义.     

高功率微波相控阵天线伺服系统的设计与实现

在某高功率微波系统中,通过控制多路移相器的位置,来达到对微波波束的精确控制。在伺服控制系统的设计中,为了解决强电磁场对伺服系统的干扰与破坏,在设计时从控制系统方案设计、系统组成、移相器单元设计、位置传感器设计、位置环路设计、电路板设计、机箱设计、传输线缆等方面进行严格的针对性设计与处理。设计过程中,对关键器件与部件进行现场试验进行方案验证与选择。最终,在高功率微波系统对目标进行连续辐射的实测中,工作稳定可靠,控制系统对多路移相器的定位精度达到0.1 mm,达到了预期的效果。     

HL-2Mװ��LHCDϵͳ3.7GHz΢������Դ���

介绍了HL-2M装置低混杂波系统中3.7GHz微波激励源的设计。微波激励源设计为模块化形式,由3.7GHz点频固态源单元、功率分配器单元、功率放大器单元和现场控制器单元等组成。微波激励源有8路输出端口,每个端口的输出功率在0~10W范围内连续可调,并可以实现远程控制输出功率;采用取样鉴相锁相环技术使微波输出信号具有相位噪声低、频率稳定度高、杂散抑制好等优点。频偏1kHz时,相位噪声是-115dBc/Hz,频偏10kHz时,相位噪声是-117dBc/Hz,频偏100kHz时,相位噪声是-122dBc/Hz;输出频率稳定度≤0.03ppm/30min;杂散抑制≤-80dBc。     

低温微波近场显微镜及其在材料研究中的应用

微波近场技术是研究材料表面区域电磁性质的有效手段,结合低温技术则可将这种技术的应用拓展到更广的范围.本文报道了我们研制的低温扫描微波近场显微镜系统,它由微波近场显微镜和与之配合的可变温样品台构成,可以在液氮温度和室温之间工作.利用该系统我们详细研究了YBaCuO超导薄膜、NdSrMnO磁性薄膜在不同温度条件下的电磁性质,给出了相关实验结果.研究表明微波近场技术与低温技术的结合为电子材料和器件低温下局域电磁性质的研究提供了有力的手段.     

场效应器件低温特性与低噪声放大器

高温超导滤波器与低噪声放大器(LNA)组成的射频接收机前端设备具有高选择性、高灵敏度和极低的噪声,因而展现出广阔的应用前景.本文研究了场效应器件的低温物理特性和电学参数,研制了一种适用于高温超导微波接收系统的低温低噪声放大器,在60K工作温度下,具有很好的噪声特性.包括高电子迁移率场效应晶体管在内的元件参数均在60K温度下进行了实际测量.放大器的各项指标与设计值吻合,工作频段为800MHz～850MHz,增益大于18dB,输入输出驻波比小于1.2,噪声系数小于0.22dB.     

碳纳米管低温氢等离子体的微波吸收特性研究

运用双流体理论,在同时考虑了碳纳米管中低温氢等离子体的电子碰撞吸收和氢离子碰撞吸收的基础上,理论导出了铁催化高压歧化生成的碳纳米管中低温氢等离子体的微波吸收系数公式,数值计算了不同条件下的微波吸收系数.模拟结果表明,铁催化高压歧化生成的碳纳米管中低温氢等离子体对2.45GHz的微波产生强烈吸收.理论结果与实验数据相吻合.