CeO_2掺杂对单畴GdBCO超导块材性能的影响

本文采用顶部籽晶熔融织构方法(TSMTG),分别制备出了直径为17mm的掺杂和未掺杂CeO2的单畴GdBCO超导块材,其中样品中CeO2的掺杂量为1wt%,并且研究了CeO2的掺杂对样品形貌、微观结构、磁悬浮力、以及捕获磁通的影响.研究表明了CeO2的掺杂影响超导块材的生长速率,在微观形貌上,CeO2的掺杂使样品中Gd2BaCuO5(Gd211)粒子的分布更加均匀且粒度明显变小,其平均粒径约从原来未掺杂的5.49μm减小到1.32μm,并且块材中的气孔也明显减小,从而使样品的磁悬浮力从23.06N增加到31.42N,捕获磁通从0.288T增加到0.354T.这对进一步提高超导块材的性能具有重要的指导意义     

多孔CeO_2膜的制备及其光谱性能（英文）

以铈箔为原料,采用阳极氧化法和热处理法制备多孔的CeO_2膜。将阳极氧化铈膜分别在400,500和800℃下进行热处理,分别研究阳极氧化铈膜的晶体结构、组成和表面形貌,分别研究多孔的CeO_2膜红外光谱特征吸收和热膨胀性能。阳极氧化铈膜是Ce(OH)_3,CeF_3,Ce_2O_3,CeO_2和Ce的混合膜,并吸附水和乙二醇,其中Ce(OH)_3,CeF_3,Ce_2O_3分别为六方晶型结构,CeO_2和Ce分别为立方晶型结构。阳极氧化铈膜中的Ce(OH)_3,Ce_2O_3和Ce分别在400和500℃进行热处理时可能分别转变为CeO_2,分别在400和500℃热处理后的膜为CeF_3和CeO_2的混合膜。阳极氧化铈膜中的Ce(OH)_3,CeF_3,Ce_2O_3和Ce在800℃进行热处理时可能分别转变为CeO_2,在800℃热处理后的膜为CeO_2膜。该CeO_2膜是多孔的膜,且孔为直孔,在1 600~4 000cm~(-1)范围内具有强吸收。该CeO_2膜在170~900℃范围内热膨胀系数变化不大,该膜的热稳定性较好。     

Zr掺杂对MgB2超导微观结构和超导电性的影响

将Mg粉、Zr粉和B粉按比例混合获得Mg1-xZrxB2(x=5%10%和20%),压制成型后,在流通氩气的条件下于800℃烧结2h.利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)分析烧结后样品的显微结构和化学组成,采用差热分析(DTA)观察Zr掺杂对MgB2分解温度的影响,并用物性测试仪(PPMS)测试样品的超...     

Cr掺杂ZnS纳米管结构和磁性质（英文）

采用第一性原理密度泛函理论系统研究Cr原子单掺杂和双掺杂单壁Zn S纳米管的结构和磁性质.研究发现掺杂纳米管的形成能比纯纳米管的形成能低,说明掺杂过程是放热的.单掺杂纳米管的总磁矩主要来自Cr原子3d态的贡献.结果表明Cr原子掺杂单壁Zn S纳米管趋向于铁磁态.但铁磁态和反铁磁态的能量差仅为0.036 e V.为获得室温铁磁性,我们用一个C原子替代掺杂体系中的一个S原子.计算发现铁磁态的能量比反铁磁态低0.497e V.表明此掺杂体系可能获得室温铁磁性.     

Fe掺杂的GaN薄膜的结构和铁磁性（英文）

本文通过高温氨化由磁控溅射方法制备的Ga₂O₃:Fe薄膜,成功地在单晶硅(100)基底上制备了Fe掺杂的GaN薄膜.X射线衍射结果显示Fe掺杂浓度为0%～7%的GaN薄膜均未发现第二相.磁性测量表明所有Fe掺杂的样品均显示出室温铁磁性,而且每个Fe原子的磁矩随Fe浓度的增加而减小,Fe的浓度为1%时每个Fe的磁矩最大,最大值为1.92μ_B/Fe.     

BaO掺杂对单畴GdBCO超导块材性能的影响

采用改进后的顶部籽晶熔渗生长(M-TSIG)工艺,通过在固相先驱粉体中掺杂不同含量的BaO来有效地抑制GdBCO样品生长过程中出现的Gd/Ba替换现象,从而成功地制备出了一系列单畴Gd BCO超导块材,并且对样品的宏观形貌、磁悬浮力、捕获磁通密度及临界温度等超导性能进行了研究.结果表明,随着BaO掺杂量的增加,样品的熔化温度(T_m)及包晶反应温度(T_p)均出现逐渐降低的趋势;同时,当样品中BaO的添加量在2wt%—4wt%时,可以在一定的程度上有效提高Gd BCO样品的磁悬浮力、捕获磁通密度及临界温度等超导性能.     

Y_2O_3和BaCeO_3掺杂对YBa_2Cu_3O_(7-δ)多晶结构和超性质的影响（英文）

本文采用固相反应方法制备了一系列YBa2Cu3O7-δ(Y123)+0.25molY2O3+x wt%BaCeO3(x=0.0,2.0,5.0,10.0and 20.0)多晶样品,通过X射线衍射法(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对Y2O3和BaCeO3的参杂的样品微观结构和超导转变温度进行系统的测量,发现Y2O3参杂到YBCO样品表面有球形或椭球形Y2Ba1Cu1O7-δ(Y211)粒子形成.依据SEM,XRD和电阻率测量,随着BaCeO3参杂量的增加,我们观察到样品的形貌变得越来越不均匀,所有样品的晶体结构有从正交相向四方相转变的趋势,超导转变温度呈金属状态到半导体状态转变的趋势,并伴有三步转变过程;同时也观察到了超导转变温度降低且转变宽度增加的现象,这些结果可以用氧分布的变化和缺陷的变化及氧缺陷来解释.     

微量Na元素掺杂对SnSe多晶材料热电性能的影响（英文）

熔炼方法制备微量掺杂多晶硒化锡NaxSn1-xSe(x=0.001-0.005)热电材料,并研究其热、电输运性质.研究结果表明:对硒化锡进行Na元素轻掺杂(x=0.003)时,掺杂样品的电导率有了两个数量级的提高,同时其热导率也有一定的降低;而且掺杂后的样品还拥有很高的Seebeck系数,Seebeck最大能达到300V/K左右.因此硒化锡掺钠多晶Na0.003Sn0.997Se的ZT值能达到1.2左右.     

Bi（Pb）SrCaCuO超导陶瓷材料的铂掺杂效应

利用氯铂酸铵对铋系超导陶瓷进行铂掺杂，既能改善Ｂｉ（Ｐｂ）ＳｒＣａＣｕＯ陶瓷的烧结性能，又可能提高其超导特性。通过ＸＲＤ和ＳＥＭ分析发现一定含量的铂掺杂能使铋系超导陶瓷晶粒定向排列。中讨论了铂掺杂对铋系超导陶瓷材料磁化率和磁滞回线的影响。     

掺杂物对MgB2超导电性能影响的研究进展

总结了不同掺杂物对MgB2超导电性能影响的研究现状,具体介绍了不同粒度、不同类型的掺杂物对MgB2超导电性的影响。目前的研究结果表明:所有掺杂都降低了MgB2的临界转变温度,而除Cu外的大部分掺杂物都可改善MgB2的不可逆磁场Hirr,提高其临界电流密度Jc;在所有掺杂物中,纳米级S iC掺杂对MgB2的超导电性能改进最大。基于目前的研究现状和结果,最后文中对MgB2超导材料的应用前景进行了展望。     

热处理温度对碳掺杂MgB_2/Nb/Cu超导线材性能的影响

采用Nb/Cu复合管作为外包套材料,通过原位法粉末装管工艺(PIT)制备了C掺杂MgB2/Nb/Cu线材.在高纯流动氩气保护条件下、650～950℃温度区间内烧结2h.微观结构分析显示,通过该工艺制备的MgB2/NbZr/Cu线材具有良好的晶粒连结性和较高的致密度.X射线衍射(XRD)分析表明在750℃左右可以生成纯度较高的MgB2相,在低温和高温下烧结后均有杂相峰出现,并且高温烧结后所生成的相结构较为复杂.采用四引线法超导临界电流的测试结果表明,低温烧结后的线材具有超导电流传输性能,而当热处理温度超过750℃时,样品中的电流传输状态表现为正常电阻态.实验结果证实采用Nb作为原位法MgB2超导线材的包套阻隔层时,成相热处理一般应该在低于750℃的温度下进行.     

锶镁掺杂钡位对Y-123超导性能和晶体结构的影响比较

采用四引线法对掺杂样品YBa2-xMgxCu3O7-δ和YBa2-xSrxCu3O7-δ(x=0.0～0.2)的超导电性能进行了系统测量,发现随着镁和锶掺杂量的增加,样品的超导转变温度总体呈明显降低趋势.同时利用XRD对系列样品YBa2-xMgxCu3O7-δ和YBa2-xSrxCu3O7-δ的晶体结构进行研究,发现随着掺杂量的增加,样品的晶体结构由正交相向四方相转变.初步分析了钡位镁和锶掺杂所引起的晶体结构变化对超导电性的影响.该研究结果为高温超导机理的进一步研究提供了实验资料.     

Mn,N共掺杂对锐钛矿相TiO2微观结构和性能的影响

采用第一性原理平面波超软赝势方法,系统研究了Mn,N共掺杂对锐钛矿相TiO₂的晶体结构、缺陷形成能、电子结构、光学性质以及氧化还原能力的影响.研究表明:Mn,N共掺杂锐钛矿相TiO₂后,TiO₂晶格发生了畸变,导致晶体八面体偶极矩增加,有利于光生电子-空穴对的有效分离;在TiO₂带隙中出现了杂质能级,使锐钛矿相TiO₂的光学吸收带边红移,可见光区的吸收系数明显增大,有利于光催化效率的提高;在不考虑 关键词： 2')" href="#">锐钛矿相TiO₂ 第一性原理 Mn和N共掺杂 光催化性能     

ITIC与PVK共掺杂PCBM对钙钛矿太阳能电池性能的影响（英文）

为了钝化钙钛矿表面的缺陷、改善PCBM溶液的粘度和成膜性以达到优化器件性能的目的,通过引入非富勒烯小分子(ITIC)和富电子聚合物(PVK)共掺杂修饰PCBM薄膜。结果表明:通过调节ITIC的含量可以优化界面形貌,提高器件的性能。当ITIC的质量分数为6%时,获得了最优的器件性能。相比于纯PCBM的器件效率由5.26%提高到9.93%,器件没有回滞现象。ITIC和PVK的引入提高了PCBM的成膜性能。此外,还可以钝化钙钛矿表面的缺陷。这种协同作用有利于电荷传输和分离。综上所述,PVK和ITIC的加入抑制了大气中的水分和氧气,提高了器件的稳定性。     

Co掺杂对高能球磨辅助烧结法FeSe超导材料性能的影响（英文）

本文通过高能球磨辅助烧结工艺制备了具有不同含量Co过量取代的FeCoxSe块体,其中x=0.02,0.05,0.10.系统分析了Co过量取代对于体系晶格常数、相组成、微结构以及超导性能和磁性能的影响.研究表明,Co掺杂后,体系的晶格常数单调降低,这表明Co进入到了四方相b-FeSe的Fe的间隙位置,并取代了部分间隙Fe,并且没有Co进入到六方相d-FeSe中,因此六方相的晶格常数没有变化.但由于Co进入到b-FeSe晶格中导致体系的热稳定性降低,因此随着Co含量增加,样品中四方相分解生成的六方相d-FeSe含量增加.同时,Co掺杂还导致了样品平均晶粒尺寸的降低和块体密度的减小,这表明Co对于体系的热力学性能产生影响.此外,由于Co掺杂改变了体系的费米面拓扑结构和磁有序钛,因此Co掺杂后,FeSe超导性能消失,即Co过量取代不利于FeSe超导性能的改善.     

短时高温热处理工艺对YBCO超导薄膜结构和性能的影响

通过无氟高分子辅助金属有机物沉积法(PA-MOD)制备了YBCO超导薄膜,研究了785～845℃的不同短时高温热处理对YBCO薄膜双轴织构、表面形貌及超导性能的影响.X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)的结果表明,经800℃短时高温处理的YBCO薄膜具有良好的双轴织构和平整致密的表面形貌.物性测量(Quantum-DesignSQUID)的结果表明,该薄膜超导转变温度达到90K,77K自场下的临界电流密度(Jc)为2MA/cm2.     

Pt/TiO_2催化剂的载体结构对甲醇催化氧化性能的影响（英文）

二氧化钛载体包括二氧化钛纳米管阵列(TNTAs)和二氧化钛纳米线阵列(TNWAs)两种,载体的结构不同对催化性能有一定的影响.然而,Pt负载在TNTAs和TNWAs催化性能的比较鲜有报道.本文通过微波法制备了Pt/TNTAs和Pt/TNWAs两种催化剂,结果表明,Pt/TNTAs催化甲醇氧化效果要优于Pt/TNWAs.相较于Pt/TNWAs,Pt/TNTAs的优越催化性能可能与纳米管的限域效应有关.可见,载体的结构对催化剂的性能有很大的影响.     

Be掺杂对InGaAsN/GaAs量子阱性能的提高（英文）

InGaAsN/GaAs量子阱中进行铍(Be)元素重掺杂能显著提高其光学性质,并且发光波长发生了红移。X射线衍射摇摆曲线清楚地证实了铍掺杂抑制了InGaAsN(Be)/GaAs量子阱在退火过程中的应力释放。对比退火前,退火后的没有进行铍掺杂的量子阱样品的量子阱的X射线摇摆曲线衍射峰明显向GaAs衬底峰偏移;而对于掺铍的量子阱样品而言,这样的偏移要小很多。     

锰铬掺杂对陶瓷表面结构和性能的影响

针对95氧化铝陶瓷薄弱的沿面耐压能力开展体掺杂改性实验研究，以95氧化铝陶瓷瓷料为基料，选择Cr2O3和MnCO3作为添加剂制备掺杂样品，并对陶瓷样品开展了性能参数测试及沿面耐压、体击穿、金属化等实验研究，探讨锰铬掺杂对陶瓷表面结构和性能的影响。     

锌离子对聚乳酸结晶和热性能的影响（英文）

本文发现了Zn(Ⅱ)离于掺杂可以加快聚乳酸的结晶过程.测试了三种Zn(Ⅱ)盐(ZnCl_2、ZnSt和ZnOAc),并与其它离子Mg(Ⅱ)和Ca(Ⅱ)进行对照.FT-IR以及变温拉曼光谱分析发现,经Zn(Ⅱ)离子掺杂后,聚乳酸的结晶度和结晶速率均增加,差示扫描量热技术以及X射线衍射分析也进一步证实.差示扫描量热技术测定PLA/ZnSt-0.4 wt%材料的结晶率达到22.46%,PLA/ZnOAc-0.4wt%材料的结晶率达到24.83%.