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用单辊急冷法制备了非晶态(Fe_(1-x)V_x)_(84)B_(16)(x=0,0.02,0.04,0.06,0.10)合金的薄带,分别用磁天平和四端引线法测量了饱和磁化强度和高温电阻率的温度关系。得到平均每个磁性原子的磁矩随V含量的增加近似线性下降,计算出每个Fe原子和每个V原子的平均磁矩分别为2.08μ_B和-5.08μ_B。居里温度T_c从x=0时的622K下降到x=0.10时的478K。利用自旋波激发公式:σ(T)=σ(0)(1-BT~(3/2)-CT~(5/2))得到,自旋波劲度系数D在75.4-81.8(meV·)之间(x=0-0.10),交换相互作用范围的平方平均值〈r~2〉从x=0.02时的4.4增加到x=0.10时的6.5。电阻率的测量得到,室温电阻率在155-127(μQ·cm)之间,晶化过程中电阻率的下降幅度随V含量增加而线性减小,其原因与晶化过程中的相变有关。 相似文献
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在80—380K之间对(Fe_(1-x)Cr_x)_(84)B_(16)(x=0.01—0.46)非晶态合金的绝对热电势S进行了测量,结果表明,磁性非晶合金的S(T)行为并不都是非线性并有一个浅的极小。少量Cr(x≤0.05)的加入使S的绝对值减小,并使S(T)的极小消失;当Cr含量较多时,样品磁性变弱,S(T)从典型的磁性非晶合金的非线性行为过渡到接近于非磁性非晶合金的线性行为。对x=0.15,0.25的样品,其居里点正落在我们测量的温度范围内,经过仔细的测量,在居里点T_c附近没有看到S的反常。 相似文献
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本文研究了(Fe_(1-x)Cr_x)_(84)B_(16)(X=0—0.5)非晶态合金的电阻率与温度(4.2—280K)的关系.实验结果表明,x=0—0.35的所有样品都出现了电阻率与温度关系的极小值.电阻率极小值的温度T_min在x=0.05时出现极大,然后随Cr含量的增加而下降,与饱和磁化强度σ_s(0)和居里温度Tc随Cr含量的变化趋势一致.x=0.05—0.2的样品,在TT_(min)的一段温区,电阻率符合T~2关系,其斜率随x的巨大变化认为是电子-声子散射和局部自旋涨落散射的共同结果.x=0.5的样品,在4.2相似文献
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用四端引线法测量了Fe_(100-x)B_x(12≤x≤24)、(Fe_(1-x)Co_x)_(84)B_(16)(0.02≤x≤0.08)和(Fe_(1-x)Ni_x)_(84)B_(16)(0.02≤x≤0.08)非晶态合金的电阻率与温度的关系。实验结果得到,这三个非晶态合金系列在低温区都呈现出电阻率极小,极小值的温度T_(min)都在20K以下。电阻率极小的出现认为是类Kondo效应的贡献。在T>T_(min)温区,电阻率与温度的关系用推广的Ziman理论作了解释。 相似文献
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本文叙述了用偏振中子衍射方法对Fe_83B_17非晶合金和中子衍射方法对Ni_64B_36非晶合金的结构研究。由实验数据计算了每种合金的偏干涉函数(PSF) S_(ij)(Q),和偏简约径向分布函数G_(ij)(r)。并得到原子短程结构上的各项参数。在此基础上,讨论了这一类非晶态合金的结构模型,计算了其一种模型简单单元的中子衍射散射强度,并和实验所得的结果作了比较。 相似文献
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研究了(Fe1-xWx)84.5B15.5(x=0—0.1)非晶态合金的电阻率ρ与温度T(4.2—300K)的关系。实验结果表明,在所研究浓度区域内均出现电阻率与温度关系的极小值,电阻率极小值的温度Tmin在x=0.06时出现峰值。用x=0.02—0.1浓度区域内,当Tmin时,又出现了电阻率与温度关系的极大值,电阻率极大值的温度Tmax在26—35K之间。低温电阻率反常现象与类Kondo效应及局域磁矩之间RKKY相互作用有关。
关键词： 相似文献
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利用电弧熔炼制备了 (Nd1 xErx) 2 Co1 5 5V1 5(x=0— 1 0 )化合物样品 .通过x射线衍射分析和磁性测量研究了Er替代Nd2 Co1 5 5V1 5中的Nd时对化合物结构和磁性的影响 .研究结果表明 ,低Er含量 (x <0 4 ) ,化合物为Th2 Zn1 7型结构 ;高Er含量时 (x >0 5 ) ,化合物转变为Th2 Ni1 7结构 ;Er含量为x =0 4和 0 5时 ,两种结构共存 .两种结构的晶胞参数a ,c和晶胞体积V随着Er含量的增加都呈现递减的趋势 .随着Er含量的增加 ,(Nd1 xErx) 2 Co1 5 5V1 5化合物的居里温度和饱和磁化强度都单调下降 .(Nd1 xErx) 2 Co1 5 5V1 5化合物的室温各向异性由低Er含量时的易锥型转变为高Er含量时的易轴型 .x =0— 0 5的化合物在温度升高时发生自旋重取向转变 ,自旋重取向温度Tsr随Er含量的增加而减小 相似文献
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对非晶态Fe_9(1-x)Cu_xZr_10(x=0,4,6,8,10,15,20)合金的低温电阻率、热电势率、高温电阻率和循环退火过程中的电阻率进行测量,结果表明:样品低温电阻率在T_c.附近出现极小值,可用相干交换散射模型说明,热电势率在77—380K间为负值,可用Motts-d散射模型解释:高温电阻率与温度关系和Ziman理论不一致,是相分离的结果;可逆和不可逆结构弛豫分别与CSRO和TSRO有关
关键词： 相似文献
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非晶态Fe_(90-x)Cr_xZr_(10)合金的相干交换散射效应 总被引：1，自引：0，他引：1
用四探针法在1.5—300K温度范围测量了非晶态Fe_(90-x)Cr_xZr_(10)(x=0,2,7,10,13,16和20)合金的电阻率与温度的关系。观察到所有样品在其居里温度附近都呈现出电阻率极小值。对这一实验结果用相干交换散射模型作了定性解释。 相似文献
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用中子相干非弹性散射测量了Fe_3Si在14K的自旋波色散关系。从自旋波二次方色散关系得到低温下自旋波劲度系数D_0=270meV·A~2。用Heisenberg模型可进一步导出Fe_3Si的有效交换积分J_(eff)。从磁化强度的温度依赖关系也获得了一个自旋波劲度系数D_m(O)。从两种不同方法获得的劲度系数的比较中发现在Fe_3Si中可能存在着Stoner激发,与早先工作相联系,本文还给出了从14K直到居里温度自旋波劲度系数D的温度依赖关系。 相似文献
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本文研究了金属玻璃(Fe_(1-x)CO_x)_(78)Si_(10)B_(12)的磁化感生各向异性、应变感生各向异性随成分和温度的变化。磁化感生各向异性常数K_(um)为正值,x=0.7时为最大;不可逆的应变感生各向异性常数K_(usi)为正值,x=0.5时为最大;可逆的应变感生各向异性常数K_(usr)除了x>0.975区均为负值,在x=0.7时为最大;感生各向异性常数在温度变化时与M_s~α成正比,α在3.4和7.5之间随成分和退火工艺而变化。用短程有序模型解释了部分实验结果。 相似文献
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用超导量子干涉器(SQUID)磁强计对稀释磁性半导体Zn_(1-x)Mn_xSe(0.1≤x≤0.50)的低温低场直流磁化率作了测量,测量温度从4.2K到30K,测量磁场为15Oe。当x≥0.30时,从磁化率-温度曲线的浑圆峰值,观察到了自旋玻璃的转变。自旋玻璃的转变温度T_f,对x=0.30,0.40,0.50,分别为10.5K,16K,19.5K。给出了顺磁相和自旋玻璃相的相图。比较了Zn_(1-x)Mn_xSe和Cd_(1-x)Mn_xSe的自旋玻璃转变温度,发现对同样的Mn离子浓度,Zn_(1-x)Mn_xSe的T_f高于Cd_(1-x)Mn_xSe的T_f,用交换作用的理论作了讨论。 相似文献
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本文报道非晶态Fe_(13)Ni_(67.2)P_(4.5)B_(15.3)合金的磁化强度与温度和磁场关系的测量结果。在居里温度附近样品的磁特性符合二级相变规律,得到临界指数β=0.39±0.02,γ=1.56±0.06,δ=5.20±0.1,样品的居里温度T_c=(180.4±0.2)K。在实验误差范围内,临界指数β,γ,δ满足γ=β(δ-1)关系,在168—192K温度范围,实验数据满足二级相变的磁状态方程。当T>270K时,样品顺磁磁化率服从居里-外斯定律,由居里-外斯常数c计算出有效顺磁磁矩 P_(eff)=3.19μ_B。 相似文献