选频元件谱线宽度对可调谐外腔半导体激光器的影响

在可调频外腔半导体激光器（ＥＣＬＤ）中，选频元件的响应函数具有一定的频谱宽度，本文研究了该宽度对外腔半导体体激光器的影响，导出了为实现外腔半导体激光器的连续调谐所需的该宽度上限的表达式，求得了该响应的峰值频率与振荡频率之间的差别。     

ZnSe－CdZnSe多量子阱F－P腔光双稳器件的室温皮秒反射式激子光双稳

ＺｎＳｅ－ＣｄＺｎＳｅ多量子阱Ｆ－Ｐ腔光双稳器件的室温皮秒反射式激子光双稳栗红玉，申德振，张吉英，范希武，杨宝均（中国科学院激发态物理开放研究实验室，长春１３００２１）（中国科学院长春物理研究所，长春１３００２１）近年来，半导体超晶格的光双稳器件由于...     

外腔式可调谐半导体激光器的光谱法求解

利用由射线法求得的光谱表达式，分析了外腔式半导体激光器的输出谱，并以此求得了普遍情况下阈值载流子密度的解析表达式，结合光谱表达式与载流子速率方程，求得了不同电流下腔内载流子密度与阈值的差值，从而可以不必诸光子数速度方程而获得外腔式半导体激光器的自洽解。     

ZnSe－CdZnse多量子阱光双稳器件的研制

本文采用电化学选择性腐蚀工艺对ＧａＡｓ衬底蚀孔，在其上获得了大面积具有光滑表面的Ⅱ－Ⅵ族半导体多量子阱外延膜．通过在其表面蒸镀反射膜，制成了高质量的Ｆ－Ｐ腔，制备出ＺｎＳｅ－ＣｄＺｎＳｅ多量子阱Ｆ－Ｐ腔光双稳器件．     

基于振动共振的随机共振控制

分析了非线性双稳系统在高、低两种不同频率信号作用下的动力学特性，给出了高频信号参数与双稳系统输出信号的信噪比和功率谱放大率关系的解析表达式，提出了基于振动共振的随机共振控制方法.理论分析和数值仿真结果表明，通过调节高频信号的幅值或频率大小，能有效地控制双稳系统输出信号的信噪比和功率谱放大率.     

压缩真空注入对光学双稳的影响

研究了注入压缩真空对介质为Ａ－型三能级原子的环形腔的双稳行为的影响。结果表明,压缩真空的注入明显增大了双稳迟滞环。可以注入适当的压缩真空来控制双稳。     

双张驰振荡SQUID的磁通—电压转换系数及热噪声

本工作用数值计算及拟合方法得到了双张弛振荡ＳＱＵＩＤ（ＤＲＯＳ）的磁通－电压转换系数及磁通热噪声表达式。在欠阻尼近似下本征磁通噪声与温度的关系为Ｔ＾３／５，与张弛频率近似有ｗｃ＾－１／２的关系。     

室温CdxZn1—xTe／ZnTe多量子阱光学双稳态的研究

研制了室温ＣｄｘＺｎ１－ｘＴｅ／ＺＮＴｅ多量子阱法布里－珀罗腔光双稳器件，并在该器件上观察到皮秒一级的室温激子光双稳。研究结果表明，ＣｄＺｎ１－ｘＴｅ／ＺｎＴｅ多量子阱光双稳器件的光双稳值和对比度分别为３６３ｋＷ／ｃｍ＾２和４：１。根据ＣｆｘＺｎ１－ｘＴｅ／ＺｎＴｅ多量子阱的吸收谱和激子非线性理论，归结了ＣｄｘＺｎ１－ｘＴｅ／ＺｎＴｅ多量子阱光双稳的主要非线性机理为激子的饱和和吸收。     

吸收型双稳半导体激光器的起振波长

从双稳半导体激光器上跳阈值处的谐振波长是所需阈值电流最低的波长这个物理事实出发，利用双稳半导体激光器的速率方程组，本文对双稳半导体激光器上跳阈值处的谐振波长进行了研究。文中还就一些器件参量对双稳半导体激光器上跳阈值处谐振滤长的影响进行了讨论。     

基于NOLF双稳效应对经DSF压缩后的超短光脉冲进行消基座

基于非线性FP腔（NOLF）双稳效应，提出一种利用掺铒光纤放大器（EDFA）及NOLF对经DSF压缩后的超短光脉冲进行消基座的方案.利用耦合模方程，分析了NOLF的消基座特性.结果表明，通过合理选择NOLF的反射率、入射脉冲的中心频率与NOLF的共振频率的失谐量及EDFA的增益，可使脉冲的基座能量比减小一半. 关键词： 超短光脉冲 消基座 非线性FP腔 光学双稳 掺铒光纤放大器     

外腔半导体激光器中激光二极管端面反射率的谱特性分析

考虑到端面反射率与波长有关 ,且带宽有限的实验事实 ,以及增益谱随载流子密度变化的因素 ,着重分析了激光二极管 (L D)镀膜端面反射率带宽、极小波长位置参量对光栅外腔激光器 (ECL D)调谐范围的影响。分析表明 ,除了 L D镀膜端面剩余反射率值、外腔反馈效率等因素之外 ,增大反射率带宽、精确控制极小波长位置是进一步挖掘 ECL D调谐范围的有效措施。增大反射率带宽 ,可更有效地提高参考载流子密度 ,延伸长波长端调谐区域 ,抑制 F- P腔影响。在确定的条件下 ,优化后的极小波长位置对应于调谐范围的极大值。理论分析结果较好地解释了实验现象     

New Approach to Investigation of Tunable External Cavity Semiconductor Lasers

ＮｅｗＡｐｐｒｏａｃｈｔｏＩｎｖｅｓｔｉｇａｔｉｏｎｏｆＴｕｎａｂｌｅＥｘｔｅｒｎａｌＣａｖｉｔｙＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＬａｓｅｒｓ￥ＬＵＨｏｎｇｃｈａｎｇ；ＬＵＯＢｉｎ（ＳｏｕｔｈｗｅｓｔＪｉａｏｔｏｎｇＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｃｈｅｎｇｄｕ６１...     

Two-wave mixing in an erbium-doped fiber amplifier for modulation depth enhancement of optically carried microwave signals

We experimentally and theoretically analyze an original method based on two-wave mixing in an erbium-doped fiber amplifier for optical carrier reduction of microwave signals. 75% optical carrier attenuation has been observed, and a 10 dB modulation depth increase of the microwave signal is experimentally demonstrated. Moreover, calculated results are in good agreement with measurements and predict that up to 80% carrier attenuation is easily possible.     

Performance Improvement of Optical Single Sideband Signal Using an Integrated Mach-Zehnder Modulator

Abstract

A novel integrated Mach-Zehnder modulator consisting of three phase modulators to generate an optical single sideband with carrier signals in the radio-over-fiber system has been proposed. By adjusting the direct current voltage applied in the modulation arm, named the “direct current arm,” the power of the optical carrier in the optical single sideband signal is controllable, and the optimal carrier-to-sideband ratio of 0 dB can be achieved for any modulation index. The simulation results show that the receiver sensitivity can be greatly improved, and the radio-over-fiber system based on the proposed technique has better robustness.     

一种新型的光控光导半导体开关解析模型

建立了一个新型的光控光导半导体开关（简称光导开关）解析模型,该模型通过拉氏变换求解了连续性方程,考虑了载流子的表面复合和体复合效应、载流子输运过程中的载流五－载流子散射效应和漂移速度的负微分效应、光作用过程的丹倍效应和光的反射、光强随深度的衰减效应。计算了光导开关的几个重要参考并获得了开关电流和输出电压等的波形,。计算表明光电导的关系在所谓的“线性模式”下并非是严格线性的。最后将计算结果与实验结果进行了比较,两者相符较好。     

Velocity dependence of the free carrier optical absorption constant in polar semiconductors

The velocity dependence of the free polaron optical absorption constant has been determined on solving the Heisenberg's equations of motion for the polaron. It has been shown that an enhancement of the carrier velocity exhibits two main modifications of the optical absorption line shape: first, a small shift of the absorption threshold towards lower frequencies, second an important increase of the peak intensity.     

Picosecond time resolved reflectivity of direct gap semiconductors

The relaxation of optically excited hot carrier distributions in GaAs and CdSe has been measured by time resolved reflectivity measurements with sub-picosecond optical pulses from a mode-locked cw dye laser. A characteristic transient in the reflectivity has been interpreted by an analysis of the perturbed optical dielectric function. Estimated energy loss rates are 0.4 eV/ps for electrons and holes having mean energies in the range of 1 to 2 eV for GaAs at room temperature.     

自由载流子吸收损耗控制研究

利用数值方法研究了SOI脊形光波导损耗问题,重点讨论了PIN结构对自由载流子损耗控制的影响情况。研究表明SOI脊形波导在引入PIN结构后,偏置电压、入射光强和本征区宽度是影响自由载流子吸收损耗的主要因素,通过调整PIN结所加偏置电压、入射光强和本征区宽度,可以实现对脊形波导自由载流子吸收损耗的控制。计算结果可为硅基光调制器和拉曼激光器的设计制备提供一定的参考依据。