法拉第磁致旋光效应及应用

本文简介了法拉第磁致旋光效应的物理学基础，以及由此原理研制的在自动化工程中常用的两种器件：磁光调制器、磁光隔离器。     

激发态,光调制器

激发态光调制器(见图1)是由惰性高聚物制成。它的优点是:仅具有微米小的尺寸;调制时反应灵敏;存在着千兆级调制频率;仅用半导体激光的功率(如10mw)就能调制;还有它的简易可行性。此光调制器在光通信和光计算领域里有着应用前景。比如它能替代电光装置的一些功能,对构成光集成系统     

磁光克尔和法拉第效应的完整测量

简单叙述了克尔效应和法拉第效应的原理，并从光谱学研究的角度，对克尔和法拉第旋转角和椭偏率完整磁光参数的若干种实验测量作了介绍和讨论；讨论了一种可供实用的傅里叶磁光谱分析法，可以用较少的并且是无色散的光学元件，通过旋转检偏器，对出射光强随检偏角变化的关系，作傅里叶变换，就可直接可见光区求得完整的克尔和法拉第磁光参数，同时还给出了具体的实例和测量研究的结果。     

新型偏振光谱仪调制器的简易装调方法

提出了一种适用于新型偏振光谱仪调制器实验室装调的简易方法。介绍了该方法的理论依据,基于该方法完成了调制器的实验室装调实验。为了验证该方法的有效性,用装调完成的调制器搭建了新型偏振光谱仪实验装置,通过测量得到了由调制器形成的载波信号,并用该载波信号对实验装置的测量数据进行了解调处理。结果表明:在有效测量波段内(525~700nm),以卤钨灯为光源的平行光管直接输出光的偏振度<10%;经过线偏振器起偏后,输出光的偏振度值接近100%。与理论分析的结果一致,验证了该方法的可行性。     

双光束磁光存贮中信号读出的偏振态分析

利用琼斯矩阵分析了双光束磁光存贮中信号读出系统偏振态的传输情况，推导了读出信号的表达式，分析了偏振分束镜与光盘盘基的相位延迟对读出信号的影响。     

弹光调制器准单色光波偏振测量与仿真

弹光调制器(Photoelastic Modulator,PEM)互差频调制的新型偏振测量方法,能够同时实现三个斯托克斯光谱偏振参数测量,克服了现有方法的无法用阵列探测器有效采集,调制频率高的缺点,保留了原有弹光调制器偏振测量的优点。文章以光学系统的准单色光的偏振特性以及常用的偏振分析方法为基础,引入了Stokes矢量来表示入射光波的偏振特性。分析了弹光调制器实现偏振测量新方法的原理,利用三个弹光调制器工作在互相差异的频率上,对偏振光进行差频调制,产生载有偏振信息的低频分量,再通过锁相放大即可得到偏振信息,并给出利用MATLAB模拟仿真实现Stokes参量复原的过程。理论分析及仿真结果证明了该方法在理论上的可行性。     

无铅In-BCVIG单晶及其磁光特性

用无铅助熔剂法生长了掺铟的铋钙钒铁石榴石(Bi_3-2xCa_2xFe_5-x-yIn_yV_xO₁₂单晶,采用本文所述的助熔剂,均长出了线度在10mm以上的晶粒完整、包容物很少的高质单晶。选用x=0.90,y=0.12的单晶,在0.7—2.2μm波长范围内测量了法拉第磁光旋转角θ_F和光吸收系数α。我们的结果表明无铅In-BCVIG单晶是磁光优值(M=(│θ关键词：     

实时图像边缘增强空间光调制器

光学相关识别中首先需要一个把非相干到相干光进行转换的输入图像转换器，然后，再进入输入图像的边缘增强预处理，我们研制的光寻址单晶硅液晶光阀能够同时完成这两项功能。给出图像边缘增强的实验结果。     

单晶硅空间光调制器

详细介绍快速响应单晶硅空间光调制器件的结构、工作机理、制作工艺、性能参数。空间光调制器的极限分辨率为４０ｔｐ／ｍｍ，口径为４０ｍｍ，在９３０ｍｍ写入光灵敏度为２０μＷ／ｃｍ＾２，响应时间为１５ｍｓ，给出该器件的应用实例。     

基于宇称-时间对称结构的磁光调制器

提出一种基于周期性宇称-时间（PT）对称结构的磁光调制器,该结构由在中间的水基MnFe₂O₄磁流体层和两侧周期性PT对称单元构成,利用磁流体的磁光效应,实现具有增益的高消光比光调制。利用传输矩阵法对结构进行仿真分析,结果表明,对于波长处于结构禁带低透射区域的入射光波,在以1550 nm为中心从1513 nm到1587 nm的波长范围内,调制器对入射光最大增益接近25 dB,消光比最高接近60 dB,最低可达30 dB,同时入射光波透射率和波长移动的平均调制灵敏度最大分别可以达到74.51 dB和108.2 nm。     

精确标定光弹调制器的新方法

针对现有光弹调制器标定方法的不足,提出了一种精确标定光弹调制器的新方法。首先利用起偏器、波片、光弹调制器和检偏器构成标定光路,通过寻找探测信号基频分量的极大值进行粗略标定,使光弹调制器的峰值延迟量处在1.841rad附近。然后撤走波片形成光弹调制器的精确标定光路,在检偏器旋转90°前后获得探测信号的直流分量和二次谐波分量。最后利用这两种探测信号的直流分量和二次谐波分量精确地计算出光弹调制器的峰值延迟量。实验验证了此光弹调制器标定方法,实验结果表明其标定误差仅为0.7%。在此光弹调制器标定方法中,光弹调制器的标定精度和入射光强、电路参量无关。同时,标定要求的峰值延迟量小,非常适合于光弹调制器在其使用波长范围长波段的标定。     

用于产生太赫超宽边带光谱的新型电／光调制器

报道了利用周期性的极转技术制作准速度匹配型电／光调制器，并以这种调制器产生超宽边带光谱的结果。电光晶体ＬｉＴａＯ３的极性分布周期的反转之后，在１６．２５ＧＨｚ的调制频率下，实现了微波与光波的准速度匹配，可以不局限于调制频率的高低，从而在增加相互作用长度的前提下充分提高调效率，调制度已达到５７ｒａｄ，产生的宽边带光谱的半值全宽为１．８５ＴＨｚ。     

15GHz马赫－陈德尔型Ti：LiNbO_3行波幅度电光调制器

比较了四种马赫－陈德尔调制器的结构特性，表明Ｚ切共面波导（ＣＰＷ）是最好的一种结构。用阶跃倒相电极设计了新型电光光波导幅度调制器，研制了包装式带尾光纤的有５段例相电极的马赫－陈德尔调制器。在１．５３２μｍ波长上，该器件调制带宽为１４．８ＧＨｚ，半波电压为１４Ｖ，消光比为２１．３ｄＢ，光纤－器件－光纤插入损耗７．６ｄＢ。     

一种新型SOI Mach-Zehnder干涉型电光调制器的设计

在超紧缩双曲锥形3dB多模干涉耦合器的基础上,设计了一种新的Silicon-on-insulator (SOI) Mach-Zehnder干涉型电光调制器.与传统的Y分支器相比,双曲锥形3dB耦合器的制作容差大,而长度缩短了近30%,使得整个器件的尺寸大幅减小.调制区采用横向注入的PIN结构,模拟结果表明:当外加偏压为0.86V时,器件的调制深度最大,此时注入电流为13.2mA,对应的器件功耗为11.4mW.     

电光调制器的温度特性及其最优化设计

利用线性电光效应的波耦合理论对铌酸锂晶体电光调制器的温度特性进行研究,给出了不同光波波矢和晶体光轴夹角情况下电光效应的温度变化特性,发现可以利用角度调节来克服电光调制器的温度敏感性;在此基础上,进一步对电光调制器进行了最优化设计,得到一个半波电压小(几十伏)、零场泄漏几乎为零(零电压出射光强和入射光强比为0．0027)、消光比达到365．6、温度性能稳定而且不需要透明电极的一个设计。     

级联线性化光调制器

阐述了级联线性化光调制器的线性化原理，详细给出了调制器参数的选择方法，与预畸变线性化的调制器相比，级联线性化调制器具有性能稳定，调节方便等优点，具有推广的价值。     

双重干涉效应薄膜光学热光调制器的研究

对双重干涉效应反射式薄膜光学热光调制器进行了研究，基于双重干涉效应的分析方法，就相关参数对器件调制特性的影响进行了理论分析，并在实验上进行了有关测试，实际器件获得了高达９２％的调制深度。     

Traveling－Wave Electrooptical Modulator on Polymeric Film with Reversal Poling Structure

Ｔｒａｖｅｌｉｎｇ－ＷａｖｅＥｌｅｃｔｒｏｏｐｔｉｃａｌＭｏｄｕｌａｔｏｒｏｎＰｏｌｙｍｅｒｉｃＦｉｌｍｗｉｔｈＲｅｖｅｒｓａｌＰｏｌｉｎｇＳｔｒｕｃｔｕｒｅ￥ＺＨＯＵＹｉ；ＣＨＥＮＹｉｘｉｎ（ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＡｐｐｌｉｅｄＰｈｙｓｉｃｓ，Ｓ...     

一种用于光学成像系统的新型液晶相位调制器

研制出新型平行排列的二维阵列液晶相位调制器(LCPM),利用此相位调制器在Zygo干涉仪上进行了泽尼克(Zernike)多项式的产生和畸变波前调制的实验。能够很好地产生泽尼克多项式的前2~8项面形,用16项泽尼克模式对畸变波前进行了调制,峰谷(PV)值可由调制前的0.831λ减小到调制后的0.444λ,均方根(RMS)由调制前的0.181λ减小到调制后0.066λ,斯特列尔比(Strehl ratio,SR)由调制前的0.257达到调制后的0.844。实验结果表明,在光学成像系统中,利用平行排列的液晶相位调制器,进行波前像差的调制可以使成像质量得到很好的改善。