La0.7-xGdxSr0.3MnO3体系中的相分离

采用固相反应法制备了样品La0.7-xGdxSr0.3MnO3(x=0.00,0.20,0.30,0.40,0.50).通过测量样品的M～T曲线,ESR曲线,研究了La0.7-xGdxSrO0.3MnO3,体系中的相分离现象及相分离与CMR之间关系.结果表明:当x=0.30,0.40时,在PM-FM相变区产生相分离,并且磁电阻MR得到增强.研究结果表明:La0.7-xGdx Sr0.3MnO3中的相分离与Gd在A位的占位情况紧密相关,磁电阻MR的增强是在外磁场作用下,铁磁区扩大顺磁区减小引起的.     

La0.7-xDyxSr0.3MnO3(0.00≤x≤0.30)体系低温磁行为和电阻率的反常

通过测量样品的磁化强度-温度曲线、电阻率-温度曲线及磁电阻-温度曲线.研究了 Dy 掺杂(0.00≤x≤0.30)对 La_(0.7-x)Dy_xSr_(0.3)MnO_3 体系磁电性质的影响.实验发现,随 Dy 掺杂量的增加,体系磁结构从长程铁磁有序向自旋团簇玻璃态、反铁磁状态转变；x=0.20、0.30时的低温磁行为发生异常,电行为存在低温电阻率极小值现象.这些奇特现象不仅来源于掺杂引起的晶格效应,也来源于掺杂引起的额外磁性耦合.     

La0.7-xDyxSr0.3MnO3中的相分离和输运行为

通过测量样品的M-T曲线、 M-H曲线、 ESR曲线、ρ-T曲线和MR-T曲线, 研究了Dy掺杂(0.0≤x≤0.30)对La0.7Sr0.3MnO3磁电性质的影响. 实验结果表明 在TC处所有样品都经历了顺磁到铁磁的转变; 当T＜TC时, 掺杂样品进入自旋团簇玻璃态, 低温时显示出反铁磁性; x=0.20时, 样品在TC以上温区发生相分离; Dy掺杂引起的磁结构变化将导致CMR效应.     

稀土掺杂(Sm、Gd、Dy)对La0.7Sr0.3MnO3室温磁电阻效应的增强

用固相反应法制备了La0.7-xSmxSr0.3MnO3,La0.7-xGdxSr0.3MnO3和La0.7-xDyxSr0.3MnO3(x=0.00,0.10,0.20,0.30)系列样品.通过M～T曲线,ρ～T曲线,研究了用稀土离子替代La对La0.7Sr0.3MnO3居里温度Tc和磁电阻的影响.结果表明:稀土离子掺杂是改变钙钛矿锰氧化物居里温度和增强MR的有效途径;适量掺杂可以在室温附近产生大的磁电阻.     

La0.67-xSmxSr0.33MnO3(0.40≤x≤0.60)体系的TCR研究

通过测量La0.67-xSmxSr0.33MnO3(x=0.40,0.50,0.60)体系的M～T曲线和ρ～T曲线,研究了La位Sm掺杂对体系电阻温度系数 (TCR)的影响.实验结果表明:Sm掺杂引起的电阻率曲线急剧变化,导致大的TCR出现;TCR在x=0.40时出现峰值,随Sm掺杂的增加,TCR值逐渐减小.体系出现大的TCR,来源于Sm掺杂引起的晶格畸变和额外磁性.     

Cr掺杂对Nd0.7Sr0.3MnO3电磁性质的影响

我们对多晶样品Nd0.7Sr0.3Mn1-xCrxO3(x≤0.30)进行了X射线衍射谱、电阻温度关系和磁化强度测量.实验发现:随Cr掺杂量的增加,样品的电阻率变大,电阻峰温度和居里温度降低,这是由Cr的介入弱化了双交换作用所致;在x=0.10附近,电阻出现了双峰现象,在其M~T上没有发现与低温峰对应的磁性异常;在锰位磁矩与Cr含量的关系中发现,Cr掺杂对样品的磁性几乎无贡献;通过分析,我们用相分离的图象解释了有关的现象.     

La_(0.7-x)Gd_xSr_(0.3)MnO_3(x=0.20,0.30,0.40,0.50)的TCR研究(英文)

研究了La位Gd掺杂对La0.7-xGdxSr0.3MnO3(x=0.20,0.30,0.40,0.50)体系的电阻温度系数(TCR)的影响.实验结果表明:Gd掺杂将引起电阻率曲线的急剧变化,导致出现大的TCR;而且随Gd掺杂的增加,TCR在x=0.30出现峰值,然后随掺杂量增加逐步降低.体系出现大的TCR,来源于Gd掺杂引起的额外磁性耦合.     

(La0.7Sr0.3MnO3)m(BiFeO3)n超晶格间隔的La0.7Sr0.3MnO3三明治结构制备及表征

采用射频磁控溅射的方法在SrTiO3(001,基片上制备了(La0.7Sr0.3MnO3)m(BiFeO3)n超晶格间隔的La0.7Sr0.3MnO3三明治结构.X射线衍射分析证明(La0.7Sr0.3MnO3)m(BiFeO3)n具有明显的超晶格结构.电流垂直于薄膜表面测得的电阻-温度关系表明.La0.7Sr0.3MnO3)m(BiFeO3)n超晶格薄膜在290 K有金属-绝缘体转变,略低于单层La0.7Sr0.3MnO3薄膜的转变温度.电流在0.01-10 mA范围内,观察到薄膜的峰值电阻随电流增大而减小,峰值变化率远大于单层La0.7Sr0.3MnO3薄膜,且随着超晶格周期厚度的增加而增大.低温下,电流-电压曲线表明其导电机制应主要为空间载子限制,且显示较大的电压偏置,表现出肖特基结的特性.     

钙钛矿结构La0.7Ca0.3MnO3-δ外延薄膜中氧的扩散

利用脉冲激光淀积方法，我们制备了外延La0．7Ca0．3MnO3-δ薄膜．实验发现，在30Pa氧分压下制备的薄膜晶格中仅有少量氧空位．可以通过高真空条件下的热处理(热处理温度为780℃)减少样品晶格中的氧含量．室温x射线衍射分析表明，在780℃通过高真空热处理的La0．7Ca0．3MnO3-δ外延薄膜结构不发生改变．通过延长高真空热处理时间可以逐渐减少外延薄膜样品晶格中的氧含量，这反映在样品晶格常数有系统变化及样品绝缘体-金属(I-M)转变温度降低．对样品电阻率．温度曲线的拟合表明，样品晶格中的氧含量是均匀的，这与X射线衍射分析的结果是一致的．通过长时间高真空条件下的热处理可以使样品的I-M转变温度低于10K，而短时间氧气氛中的充氧热处理可以使转变温度回复．这说明样品晶格中的氧扩散出和充入是有区别的．在同一外延薄膜样品可以反复通过高真空条件下的高温脱氧热处理和充氧热处理来改变样品中氧含量，这将方便于将薄膜性能与氧含量的关系进行比较、分析和讨论．     

Pr0.7(Sr1-xCax)0.3MnO3多晶体系中的小极化子性质

采用基于柠檬酸体系的溶胶-凝胶法制备了Pr0.7(Sr1-xCax)0.3MnO3系列的多晶块材, 同时还用脉冲激光沉积技术(PLD)在SrTiO3(100)衬底上外延生长了同一系列的薄膜, 系统研究了它们的晶格结构和电输运行为. 多晶和薄膜样品都具有正交晶格结构, 电输运行为在居里温度TC以上的高温顺磁相都很好地符合了绝热小极化子模型. 用绝热小极化子模型对两者的电阻率温度曲线进行拟合, 多晶和薄膜样品的拟合结果在定性上是一致的. 随着Ca掺杂量的增加, 极化子跳迁能Ehop变大,ρ0先减小后增大. 实验结果说明, 只要多晶样品制备的质量好, 缺陷、晶界的影响可以大大降低, 多晶样品的电输运行为也能表现出本征的小极化子性质.     

（La0．6Nd0．4）0．7Sr0．3MnO3薄膜的厚度依赖的结构与输运性

厚度为6～100 nm的(La0.6Nd0.4)0.7,Sr0.3MnO3(LNSMO)薄膜是由脉冲激光沉积生长在SrTiO3[STO(001)]衬底上.X-射线衍射(XRD)线扫描、ω-摇摆曲线和倒空间衍射显示,随着膜厚(t)的变化,薄膜的结构经历了由完全应变到部分弛豫的变化.电阻测量显示存在两个不同的厚度依赖的金属-绝缘体转变温度(Tp),对于应变的薄膜(t≤17 nm),Tp敏感地依赖于双轴应变和膜厚;而对较厚的薄膜(t≥35nm),Tp对于膜厚是较小敏感的.这个厚度依 赖的输运性的变化可被解释为菱形LNSMO的角度畸变诱导的应变和弛豫.我们的结果表明金属-绝缘体转变温度和相分离都受薄膜的应变态控制.     

La4/3(Sr1-xBax)5/3Mn2O7的电输运性质研究

本文主要介绍用溶胶-凝胶法制备的Ba离子掺杂的双层钙钛矿锰基氧化物La4/3(Sr1-xBax)5/3Mn2O7(00.4范围内,低温电阻值随烧结温度增加而减小.出现这种反常行为的结果可能是由于随着Sr逐步被Ba离子取代而引起的失配效应造成结构相分离所致.     

Pr0．45（Ca1-xSrx）0．55MnO3体系调带宽引起的磁相变及电输运性质转变

采用固相法制备了Pr0．45（Ca1-xSrx）0．55MnO3（x=0．0,0．2,0．4,0．6,0．8,1．0）多晶样品．通过测量样品的X射线衍射（XRD）谱、磁化强度-温度（M～T）曲线、电阻率-温度（ρ～T）曲线,研究了Sr^2＋替代Ca^2＋对Pr0．45Ca0．55MnO3体系磁性和电性的影响．实验发现：...     

La0.3Ca0.7Mn1-xWxO3(x=0.04,0.08,0.12)体系的电子自旋共振谱研究

用固相反应法制备了La0.3Ca0.7Mn1-xWxO3(x=0.04,0.08,0.12)多晶材料,测量了样品的p～T曲线及ESR谱,对ESR谱的归一化强度和线宽进行了研究.结果表明:当x≤0.08时,ρ～T曲线出现弯折点,体系出现电荷有序(CO)相,体系随温度降低发生顺磁(PM)-电荷有序(CO)-反铁磁(AFM)变化;当x=0.12时,ρ～T曲线没有出现弯折点,CO相融化,自旋序主要是顺磁(PM),但存在CO相的残留.x≤0.08样品的线宽在高于Tco的温区几乎不随温度变化,体系处在顺磁态,铁磁关联较弱;在低于Tco的温区,电子的局域化程度增强,线宽随温度的降低而增加.     

不同生长方向的La0.7Sr0.3MnO3薄膜结构及性能研究

利用磁控溅射方法,在(100),(110)和(111)LaAlO3(LAO)衬底上制备得到了不同生长方向的La0.7Sr0.3MnO3(LSMO)薄膜并对其结构及磁电学性能进行了系统研究.结果表明:LSMO薄膜完全按LAO衬底取向生长;(111)生长方向的薄膜由于晶格畸变程度最小,磁畴方向能较好的保持一致性,从而具有最大的磁饱和强度值;高的磁有序度减弱了巡游电子eg的自旋无序相关散射,有效降低了电阻.但外加磁场后电阻变化不明显,最大磁电阻值只有5.1%.     

EXAFS study of intermetallics of the type RGe2 (R=La,Ce, Pr,Nd, Sm,Gd, Tb,Dy, Ho,Er and Y) Part I: Determination of Ge-Ge distances

A study of theEXAFS associated with theK x-ray absorption discontinuity of germanium in pure germanium and in the rare-earth germanides RGe₂ (where R=La, Ce, Pr, Nd, Sm, Gd, Tb, Dy, Ho, Er and Y) has been carried out. The Ge-Ge distances have been obtained in these compounds. Considering the phase to the RGe₂ system, the bond lengths in these compounds have been determined. The values obtained by us for the RGe₂ compounds (R=La, Ce, Pr, Nd, Sm, Gd, Dy and Y) agree with those obtained earlier by crystallographic methods. The bond lengths for the compounds TbGe₂, HoGe₂ and ErGe₂ are also being reported.     

EXAFS study of intermetallics of the type RGe2 (R=La,Ce, Pr,Nd, Sm,Gd, Tb,Dy, Ho,Er and Y) Part II: Determination of Ge-R distances

The extended x-ray absorption fine structure (EXAFS) associated with the GeK x-ray absorption discontinuity in pure germanium and in the intermetallics RGe₂ (R=La, Ce, Pr, Nd, Sm, Gd, Tb, Dy, Ho, Er and Y) has been studied. The Ge-R distances in these compounds have been determined by comparing the experimental phase shifts with the theoretical ones. The Ge-R distances in the compounds TbGe₂, HoGe₂ and ErGe₂ are being reported for the first time in this work.     

高温高压下Ba_(1-x)La_xTiO_3(x=0.0-0.5)的合成与结构相变的研究(英文)

本文首次采用高温高压固相反应法合成类钙钛矿化合物Ba1－xLaxTiO3（x＝0．0，0．1，0．2，0．3，0．4，0．5）。XRD谱的测量结果表明，在压力为2．8GPa，温度为850℃下，稀土La在BaTiO3中的替代导致结构从立方到四方到正交的结构转变，因此，Ba1－xLaxTiO3体系体现结构转变规律和丰富的物相结构。     

Dy3+,Sm3+和Ce3+离子在M3La2(BO3)4(M=Ca,Sr,Ba)中光谱性质的研究

本文报导了Dy3+,Sm3+和Ce3+离子在M3La2(BO3)4(M=Ca,Sr,Ba)基质中的激发与发射光谱;研究了Dy3+离子黄蓝发射的相强度随基质化合物的组成和结构的不同而呈现的变化规律;讨论了Sm3+离子电荷迁移激发带的能量与基质中近邻阳离子的关系并分析了Sm3+和Eu3+离子4f电子构型对电荷迁移带能量的影响。本文还给出了Dy3+,Sm3+和Ce3+离子发光的浓度淬灭值。