利用遗传算法的宽带电光相位调制器相位反转电极优化设计

本文提出了一种利用遗传算法对宽带电光调制器相位反转电极进行优化设计以获取平坦的频率响应的方法。这种遗传算法采用了直接基于电极图形的编码、交叉和变异操作。模拟计算表明,该算法对长度为1cm的电极能获得宽达100GHz的平坦的频率响应。     

PZT相位调制器温度漂移的控制

在光纤陀螺中,ＰＺＴ相位谳制器受温度变化影响会导致陀螺输出信号漂移。本文就这个问题提出一种解决方案,并通过实验进行验证。     

行波电光相位调制器输出响应的定量分析

从标量波动方程出发,采用傅里叶变换的方法,导出了行波电光相位调制器的时间域输出响应的计算公式。以高斯脉冲调制信号为例,定量计算并讨论了速度不匹配和微波衰减对输出相位调制信号的脉冲形状,峰值,半值宽的影响,所得到的结果,对行波电光调制器的实验研究有很好的参考价值,所给出的公式和方法适用于行波电光调制器的时间域定量分析。     

压电式光纤相位调制器相移系数测试

介绍了压电式光纤相位调制器的相移系数理论公式,提出了基于杨氏双缝干涉原理的相移系数测量方法。对测量方法的可行性进行分析,通过实验对测量方法进行了验证。实际研制了一个基于压电陶瓷环的光纤相位调制器件,实验测得的相移系数与理论分析结果基本一致。利用研制的压电式光纤相位调制器实现了两路准直光束之间的相位锁定,在远场实现了相干合成,干涉条纹可见度从3%提升至43%。     

压电式光纤相位调制器相移系数测试

介绍了压电式光纤相位调制器的相移系数理论公式,提出了基于杨氏双缝干涉原理的相移系数测量方法。对测量方法的可行性进行分析,通过实验对测量方法进行了验证。实际研制了一个基于压电陶瓷环的光纤相位调制器件,实验测得的相移系数与理论分析结果基本一致。利用研制的压电式光纤相位调制器实现了两路准直光束之间的相位锁定,在远场实现了相干合成,干涉条纹可见度从3%提升至43%。     

一种用于光学成像系统的新型液晶相位调制器

研制出新型平行排列的二维阵列液晶相位调制器(LCPM),利用此相位调制器在Zygo干涉仪上进行了泽尼克(Zernike)多项式的产生和畸变波前调制的实验。能够很好地产生泽尼克多项式的前2~8项面形,用16项泽尼克模式对畸变波前进行了调制,峰谷(PV)值可由调制前的0.831λ减小到调制后的0.444λ,均方根(RMS)由调制前的0.181λ减小到调制后0.066λ,斯特列尔比(Strehl ratio,SR)由调制前的0.257达到调制后的0.844。实验结果表明,在光学成像系统中,利用平行排列的液晶相位调制器,进行波前像差的调制可以使成像质量得到很好的改善。     

高精度纯相位液晶空间光调制器的研究

研制了平行排列液晶空间光调制器（LC SLM）。论述了平行排列液晶相位调制的理论,进行了计算模拟。对液晶空间光调制器相位调制特性和振幅调制特性进行了测量,实验结果表明,在整个灰度级范围内是纯相位调制的空间光调制器,并且调制的范围可达到0．6λ。在ZYGO菲佐干涉仪上进行了精度特性的研究,得到了非常好的结果,在1cm^2的面积上,进行了畸变波前的调制,其精度峰谷值可达0．098λ,均方根值可达0．017λ。在此精度的基础上产生了π相位差的栅结构,证明了这种液晶空间光调制器可以很好的进行相位调制。     

纯相位液晶空间光调制器相位校正方法

利用泰曼-格林干涉系统,对纯相位液晶空间光调制器在808nm的相位调制特性进行了研究.为了提高其在大气湍流模拟时的仿真度,采用近似法和反插值法对相位调制曲线完成了线性校正,并对校正结果进行了对比分析.结果表明,虽然近似法校正简单易行,但经反插值法校正后,相位调制曲线的线性相关度更高,可达0.9916,校正误差更低,仅为0.06rad.通过对校正方法和误差来源的分析发现,反插值法还具有优化灵活的特点,能进一步改善校正效果,更具应用价值.     

利用相关分析法测量空间光调制器的相位调制特性

基于一维干涉条纹图像的相关分析法可实现液晶空间光调制器相位调制特性的测试。给出了XGA2L11型电寻址液晶空间光调制器的相位现场测试原理、测试装置和测试步骤。利用范德卢格特型光电混合相关器对测试结果进行了实验验证。结果表明,该方法具有原理简单、适应性强和精度高等优点。     

基于聚合物网络液晶的近红外波段快响应相位调制器

相位型液晶空间光调制技术已经广泛应用于自适应光学、信息光学等领域,然而一直存在着响应速度较低的问题。为了提高相位型液晶空间光调制器的响应速度,采用聚合物网络液晶制备近红外波段亚毫秒响应相位调制器,并对其光散射特性和瞬态响应特性进行了研究。通过降低聚合反应温度并提高紫外(UV)固化照度,可以降低器件的光散射强度,实现较好的相位调制。在此基础上,初步研究了聚合物网络形貌对最大光散射强度的影响。在高电压加载下,聚合物网络的电致伸缩效应会极大降低聚合物网络液晶的响应速度,使其达到秒级,经分析认为通过采用高介电各向异性的液晶材料可以降低阈值电压,提高器件的响应速度。     

Single-step growth of InGaAsP/InP laser array on patterned InP substrate

Arrays of five InGaAsP/InP single mode junction-defined buried stripe heterostructure lasers are described. The laser arrays were grown on multi-channeled InP substrate by single-step liquid phase epitaxy. The buried double heterostructure and the lateral current confining structure were formed in the same growth process. InGaAsP layer growth is dominated by the preferred orientation, with (1 0 0) growth favored over other directions. As a result of low-temperature single-step growth, the device yield is high. These laser arrays are characterized by output power close to 0.6 W, high quantum efficiency, symmetrical far-field patterns and excellent linearity of the light–current curve. Stable single transverse mode operation obtained up to 600 mW emitted power.     

实时图像边缘增强空间光调制器

光学相关识别中首先需要一个把非相干到相干光进行转换的输入图像转换器，然后，再进入输入图像的边缘增强预处理，我们研制的光寻址单晶硅液晶光阀能够同时完成这两项功能。给出图像边缘增强的实验结果。     

1．55μmInGaAsP及其相应量子阱结构的LP-MOCVD生长

本文研究了用低压金属有机化合物汽相外延(LP-MOCVD)技术在(100)InP衬底上生长InGaAsp体材料及InGaAP/InP量子阱结构材料的生长条件。三甲基镓(TM63)、三甲基铟(TMh)和纯的砷烷(A8H3)、磷烷(PH3)分别用作Ⅲ族和Ⅴ族源,在非故意掺杂情况下,InGaAsP材料的载流子浓度为3.6×10¹⁵cm^-3;在液氦温度和室温下,与InP晶格匹配的InGaAsP光致发光半峰宽分别为19.2meV和63meV;对外延层的组分及厚度均匀性分别进行了转靶X光衍射仪,低温光致发光和扫描电子显微镜分析,对不同阱宽的量子阱结构材料测出了由于量子尺寸效应导致光致发光波长随阱宽增加而红移现象。     

场助InP／InGaAsP／InP半导体光电阴极异质结能带的计算

采用双曲型的渐变函数,同时考虑加偏压时引起的阴极表面空间电荷区的变化,对场助InP/TnGaAsP/InP半导体光电阴极异质结的能带结构进行了详细的分析和计算,得到了在不同材料参数时,异质结能带结构的分布曲线.计算结果指出了达到理想的异质结传输效率时,发射层的厚度和掺杂浓度、吸收层的掺杂浓度、异质结界面处渐变区宽度以及场助偏压应满足的条件.它有助于场助半导体光电阴极的结构设计和材料参数的选择.     

液相外延制备InGaAsP/InP掩埋异质结若干工艺问题的讨论

本文对InGaAsP/InP(DC-PBH)激光器掩埋异质结液相外延生长中的几个关键工艺问题进行了研究,提出了获得有利于沟道掩埋生长的理想沟道几何图形的新的腐蚀配方(Br_2/HBr),对二次外延再生长光刻腐蚀面损伤层和有害杂质的去除采用了阳极氧化工艺,同时探索了利用二次外延过程中Zn扩散来控制限制层(3)掺杂的新方法,在研究基础上制造了重现性好且性能良好的1.3μm激光二极管,室温时,阈值电流最低小于25mA,典型值为30mA,在60mA直流电流的驱动下,光输出功率高达12.5mW.     

InP/InGaAsP多量子阱自发辐射谱的解析函数

利用洛伦兹线型函数、高斯线型函数和Sech线型函数对InP/InGaAsP多量子阱自发辐射谱进行拟合,采用莱文贝格-马夸特算法,得到上述三种函数的解析表达式.研究结果表明:高斯线型光谱拟合函数的中心波长为1548.651nm,谱线半极大全宽度为61.42 nm,功率补偿为0.00212 mW,拟合优度为0.99191,残差平方和为2.26505×10~(-6).高斯线型拟合的拟合优度最大,残差平方和最小,且各数据点的残差值分布在±0.0001之间,分布比较均匀.高斯线型函数具有较高拟合度.     

1.25μm近红外场助光阴极材料InGaAsP/InP的液相外延

本文简要阐述了近红外场助光阴极的原理及对外延材料的要求。利用液相外延工艺并采用独特的掺杂技术生长出了用于近红外光电阴极的InP/InGaAsP 异质结结构。显微分析。x射线双晶衍射、电子探针、电化学C-V等测试结果表明外延层的结晶质量及电学性能符合设计的特殊要求,在此基础上制作的场助光电阴极量子效率在1.20μm处为3.5×10^-4,其响应波长可达1.25μm。     

一种新型的测量汽轮机内湿蒸汽两相流的集成化探针系统

汽轮机内湿蒸汽两相流中一次、二次水滴的参数和流场是密切相关的,但国内外迄今没有能同时测量这些参数的技术和设备。作者成功研制了能同时测量湿蒸汽两相流中一次、二次水滴和流场的集成化探针。该探针已在３５０ＭＷ汽轮机上进行了实测。本文介绍了该测量系统的原理和构成。     

光相位共轭对分布放大明孤子传输的控制作用

应用数值分析方法研究了在由分布式掺饵光纤放大器级联的传输线中利用反相位、非等振幅输入和光相位共轭器等对孤子间的相互作用和孤子自频率漂移的削弱作用。结果表明,反相对相位、非等振幅输入和光相位共轭器的联合作用可以几乎完全消除几个ps脉宽孤子间的相互作用和孤子自频率漂移,避免了孤子间的能量交换,使孤子光脉冲在由分布式掺饵光纤放大器级联的长距离传输线中稳定传输。