低温磁控溅射有机衬底和玻璃衬底ZnO:Al透明导电膜的结构及特性

利用射频磁控溅射法在有机薄膜衬底和7059玻璃衬底上制备出了具有良好附着性的低电阻率的ZnO:Al透明导电膜,对在低温（25～210℃）下制备薄膜的结构和光电特性进行了比较研究. 铝掺杂的氧化锌薄膜是多晶膜,具有六角纤锌矿结构,最佳取向为（002）方向.薄膜的最低电阻率分别为1.0×10^-3和8.4×10^-4Ω·cm,在可见光区的平均透过率分别达到了72%和85%.     

氢化非晶氧化硅薄膜的微结构及光致发光的研究

采用等离子增强化学气相沉积 (PECVD)技术制备了一组氧含量不同的氢化非晶氧化硅 (a-SiO_x∶H)薄膜 ,室温下在 5 5 0～ 90 0nm的波长范围内观察到了两个强的发光带 :一个是由峰位在 6 70nm( 1 85eV)左右的主峰和峰位在 835nm( 1 46eV)的伴峰组成的包络 ,另一个只能在氮气氛中 1 1 70℃退火后的样品中观测到 ,峰位大约在 85 0nm .通过对红外谱和微区Raman谱的分析 ,认为这两个发光带可能分别与存在于薄膜中的a-Si原子团和Si纳米晶粒有关.     

两步浸渍法制备发光多孔硅及NO2的作用

用两步浸渍染色法在单晶硅片上制备了室温光致发光多孔硅,膜层均匀,其等效折射率在2.0—2.4之间,测量了荧光激发谱和荧光发射谱以及Fourier变换红外透射谱,结果表明:浸渍染色多孔硅与阳极电化多孔硅特征一一对应,指出染色多孔硅的形成动力是中性NO₂的传递电子的催化作用,HNO_3的氧化和HF的氢化共同作用形成的化学染色多孔硅与阳极电化多孔硅具有相似的红外透射谱,分析了斑秃染色层的成因,认为染色多孔硅中有偏硅酸混合体的成分。     

Si(001)衬底上APCVD生长3C-SiC薄膜的微孪晶及含量

利用X射线双晶多功能四圆衍射仪,对在Si(001)衬底上使用常压化学气相方法(APCVD)生长的3C-SiC进行了微孪晶的分析.Φ扫描证明了3C-SiC外延生长于Si衬底上,生长的取向关系为：(001)_3C-SiC//(001)_Si,［111］_3C-SiC//［111］_Si.3C-SiC的{111}极图在χ=15.8°出现了新的衍射,采用六角相{10^{1010}晶面的极图以及孪晶SiC(002)的倒易空间Mapping分析了χ=15.8°处产生的衍射为3C-SiC的孪晶所致,并利用ω扫描估算了孪晶的含量约为1%.     

激光诱导Cl2与Si(111)表面反应产物的角分布研究

利用1064nm波长激光诱导Cl₂/Si(111)反应研究气-固表面反应的动力学,采用角分辨飞行时间质谱技术测得该反应的初始产物为SiCl₂,比较了1064和355nm不同波长激光诱导反应所得产物的通量及其平动温度的空间角分布,并认为它们之间的差异是由于不同波长激光引起性质不同的脱附过程所致。     

纳米硅光学特性的研究 *

结合微区Raman谱 ,研究了镶嵌在SiO₂ 基质中纳米硅的吸收谱和光致发光谱 .观测到了吸收边随纳米硅尺寸的减小而蓝移的现象 .并发现在1.9～3.0 eV的能量范围内 ,纳米硅的吸收系数与能量的关系为一指数关系 ,这可能是间接带隙的特征 .在0.95～1.6eV之间存在次带吸收 ,这归因于包括非晶相在内的纳米硅表面态和缺陷态 .通过发光谱与吸收谱的比较 ,认为声子可能参与了发光过程 .     

纳米硅薄膜的研制

使用大量氢稀释硅烷,严格控制PECVD系统中的工艺参数,分别沉积出a-Si:H,nc-Si:H 以及μc-Si:H薄膜.使用HREM,Raman及X射线谱,探讨了nc-Si:H膜的结构特征.结果表明,它已符合国际上对于固体纳米材料的认识.由于结构上的新颖性,使它具有一系列鲜为人知的物性.     

ZnAl2O4/α-Al2O3复合衬底的制备和GaN薄膜的生长

利用脉冲激光淀积法(PLD)在α-Al₂O₃衬底上淀积了ZnO薄膜, 通过ZnO和α-Al₂O₃固相反应制备了具有ZnAl₂O₄覆盖层的α-Al₂O₃衬底. X射线衍射谱(XRD)表明ZnAl₂O₄薄膜随反应时间由单一(111)取向转变为多晶取向, 然后变为不完全的(111)择优取向. 同时扫描电子显微镜(SEM)照片表明ZnAl₂O₄表面形貌随反应时间由均匀的岛状结构先变为棒状结构, 然后再变为突起的线状结构. 另外, XRD谱显示低温制备的ZnAl₂O₄在高温下不稳定. 在ZnAl₂O₄覆盖的α-Al₂O₃衬底上利用光加热低压MOCVD法直接生长了GaN薄膜. XRD测量表明随ZnAl₂O₄厚度增加GaN由c轴单晶变为多晶, 单晶GaN的摇摆曲线半高宽为0.4°. 结果表明薄ZnAl₂O₄覆盖层的岛状结构有利于GaN生长初期的成核, 从而提高了GaN的晶体质量.     

C3N4的制备与结构分析——I.Si衬底上的样品

采用偏压辅助热丝化学气相沉积方法,在Si衬底上合成晶态β-和a-C₃N₄材料.并观察到过渡层C_3-xSi_xN_y的形成.同时提出“晶格匹配选择生长条件”,对由C₃N₄六棱柱单晶棒组成的花状晶团的生长机理给出了定性的解释。     

信噪比(SN比)与动态特性

SN比的引入　象输出电压、强度、尺寸等参数那样,不取负的特性值时,其平均值和围绕平均值的偏差不少是有关系的。若平均值减少,这个围绕平均值的偏差也有减少的倾向。例如,输出电压减少时,随着误差因素的减小,标准偏差也大多是减小的。特别是,输出电压变成零时,偏差也为零。 所     

MOCVD方法制备的立方GaN/GaAs(001)中六角相含量退火行为的研究 *

采用高温热退火的方法 ,在不同条件下对低压MOCVD在GaAs( 0 0 1 )衬底制备的立方GaN薄膜进行处理 ,利用光致发光光谱和Raman散射光谱来研究六角相的含量变化 .报道了亚稳态立方GaN的六角相含量变化条件及其光学特征 .在GaN/GaAs之间存在一个界面层 ,高温退火时 ,来自界面层的TO_B,LO_B 声子的强度降低 ,而来自六角相的E₂ 声子增强 ,说明六角相含量增加 .样品原结晶质量欠佳是六角相含量变化发生的主要原因 .在较低的温度下 ,六角相含量没有明显变化 ,而且与退火时间无关 .     

CO与K在Cu(111)面上的共吸附及K—O复合物的形成

用HREELS方法对CO+K/Cu(111)共吸附系统(θ_k<0.18)的研究结果表明:在低温下(<200K),有两种不同的CO吸附状态,一种为受钾近程强相互作用下的吸附态;另一种为受钾远程弱相互作用的吸附态.在较高温度下(>200K)仅仅前者可以被观察到.根据ARUPS研究表明,受钾强相互作用下的CO分子有不同的电子态,而且吸附取向不再是直立在Cu(111)表面上.用O₂取代CO的实验结果肯定了CO和钾在Cu(111)表面上形成K—O复合物的可能.K—O复合物在钾覆盖度大于0.04时形成,即只有在钾处在退极化状态下才形成.     

镶嵌在氧化硅薄膜中纳米硅的Raman散射研究

系统研究了a- SiO_x 的Raman散射谱及其退火行为 ,并通过退火技术使Si从SiO_x 网络中分凝出来 ,形成纳米硅和SiO₂ 的镶嵌结构 .并利用Raman散射技术研究了这种复合薄膜中纳米硅的声子态 .发现在 1 0 0～ 6 0 0cm,sup>-1的波数范围内 ,纳米硅的Raman谱可用 5条Lorentz线得到很好地拟合 ,并对这 5条线的来源作了确认 ;观测到了在 6 0 0～ 1 1 0 0cm^-1范围内纳米硅的双声子散射 .研究结果表明 ,镶嵌在SiO₂ 介质中的纳米硅具有非晶硅相和纳米硅晶相共存的特点 ,两者均对Raman散射有贡献 .不仅观测到了声子限制效应使一级光学声子频率随纳米硅晶粒尺寸减小而红移这一现象 ,而且还发现 (与体硅相比 )声子限制效应对二级Raman散射具有增强效应 ,并对二级散射模的频率也会产生影响 .     

脉冲激光制备薄膜材料的机理

给出脉冲激光作用块状靶材的烧蚀模型.根据能量平衡原理,导出烧蚀面的位置随时间的变化关系.利用绝热近似、温度连续性条件和能量平衡原理来获得烧蚀面与固液相界面边界条件.结合热传导方程,利用精确解与积分近似法相结合的方案,给出固液两相的温度分布与时间和位置的变化关系,以及固液相界面的位置随时间的变化规律,并将理论结果与实验数据进行比较.由流体动力学理论,得出了脉冲激光产生的等离子体的空间输运方程,将此方程与靶材烧蚀率公式结合起来,根据实验数据研究了不同激光功率密度和波长对KTN(KTa_0.65Nb_0.35O₃)薄膜沉积特性的影响,得到了一些有价值的结果,并对结果进行了详细的讨论.     

立方相GaN/GaAs(100)质量的X射线双晶衍射研究

利用DCXRD(X射线双晶衍射 ) ,PL谱 (光荧光 )和SEM (扫描电子显微镜 ) ,对在GaAs( 1 0 0 )衬底上用低压MOCVD方法生长的立方相GaN进行了深入研究 ,发现GaN的晶体质量和光学性质良好 .其X射线双晶衍射摇摆曲线 (Rockingcurve) ( 0 0 2 )衍射的FWHM(半峰宽 )为 40min ,其PL谱的FWHM为 1 2nm ,实现了高晶体质量和高光学质量的一致性 .这也是首次报道 1 5 μm以上立方相GaN外延膜光荧光的发光情况 .同时还用X射线三轴晶衍射估算了薄膜内应变和晶粒尺寸 .     

外P(ρ,σ)-集合的随机特性与应用(英文)

Based on the conception of P(ρ,σ)-set(XP ˉFρ, XPFσ), this paper studied the relation between outer P(ρ,σ)-set and outer P-set: give outer P(ρ,σ)-set and outer P-set relation theorem, outer P(ρ,σ)-set and numerical value σ relation theorem, outer P(ρ,σ)-set's range;studied other characteristics of outer P(ρ,σ)-set: give the finiteness theorem of outer P(ρ,σ)-set, the set chain theorem of outer P(ρ,σ)-set, the outer P(ρ,σ)-set probability interval finite partition theorem, and its corollary; also give generation, reduction, identification theorem of outer P(ρ,σ)-set, filter generation theorem of outer P(ρ,σ)-set; finally give its application.     

硅通孔(TSV)的工艺引入热应力及其释放结构设计

在3D SiP(三维系统级封装)的TSV(硅通孔)的工艺制造过程中,热应力会引发TSV周围的载流子迁移率的改变,进而改变3D系统级封装芯片的性能.针对这一问题,提出了一种TSV热应力释放槽结构,以期解决微机电系统(MEMS)应用的大尺寸TSV的热应力问题.在释放槽内外,硅衬底表面的应力得到有效隔离,表面应力大大降低.在结合可行工艺参数的基础上,通过数值模拟对比了3D与2D模型的区别、不同TSV材料的区别,计算应力释放槽的深度、位置、宽度等因素对硅衬底表面应力释放的效果,给出了TSV应力释放槽的布局建议.研究结果表明含有释放槽的TSV,释放槽外热应力可以减小至无释放槽情况下的40%~60%,保留区域的面积也相应降低.     

无规分形衬底上薄膜逾渗系统的1/f噪声功率谱

发展了一种用直流参量确定金属薄膜逾渗系统1/f噪声功率谱的方法,并运用这种新方法对淀积在具有无规自相似结构的α-Al₂O₃陶瓷自然断面上的低阻非平整Pt薄膜逾渗系统的噪声功率谱进行了深入系统的研究.结果表明:和通常的平整薄膜逾渗系统相比,这种非平整系统呈现更强烈的跳跃电导效应.     

Ge/ZnS(111)异质结能带偏移的同步辐射光电子能谱研究 *

利用同步辐射光电子能谱研究了Ge/ZnS(111)异质结界面的能带连接问题.芯能级谱显示出Ge原子与S原子在界面处存在反应.利用芯能级谱及价带谱技术,测量了该异质结的价带偏移.对于衬底温度为200℃条件下生长的异质结,其价带偏移为l.94士0.leV;而室温条件下生长的异质结,则为2.23土0.leV该实验结果与一些理论计算值进行比较,符合得较好.     

PI(Portfolio Insurance)投资者特性研究

根据期权定价理论,分析了投资组合保险策略与期权的关系及投资组合保险策略与凸收益函数的关系,通过建立投资组合保险模型,得出不同条件下购买投资组合保险投资者的特点如下:1)随着财富的增加他们的风险承受能力比市场一般投资者增加的快;2)他们的市场预期比一般市场投资者更乐观,并且受益于投资组合保险.