厚胶光刻中光敏化合物浓度空间分布研究

厚胶光刻过程是一个复杂的非线性过程，其光刻胶内光敏化合物(PAC)浓度空间分布是影响显影面形的主要因素。根据厚层胶光刻的特点，结合光化学反应机理，利用角谱理论，分析了在曝光过程中光刻胶内衍射光场和PAC浓度的空间分布随时间的动态变化，以及后烘(PEB)过程对PAC浓度空间分布的影响。该方法数值计算结果准确，且速度快。数值模拟表明，其内部衍射光场分布与PAC浓度分布是一个动态的、非线性的相互影响过程；后烘工艺可平滑PAC浓度空间分布；PAC浓度空间分布是影响浮雕面形边沿陡度的一个重要因素。     

紫外线厚胶光刻技术研究及应用

紫外线厚胶光刻技术已广泛应用于 3D微机械结构的制作。本文选用AZ4 6 2 0和SU 8两种光刻厚胶 ,采用德国卡尔·休斯公司的MA 6双面对准光刻机 ,对紫外线光刻工艺条件进行了对比研究 ,结果表明 ,负性光刻胶SU 8的光敏性好 ,胶结构图形的侧墙较陡直 ,能够实现较大的深宽比 ,为复杂结构的三维微机械器件的制作提供了保证。     

紫外线厚胶光刻技术研究及应用

紫外线厚胶光刻技术已广泛应用于3D微机械结构的制作.本文选用AZ4620和SU-8两种光刻厚胶,采用德国卡尔*休斯公司的MA-6双面对准光刻机,对紫外线光刻工艺条件进行了对比研究,结果表明,负性光刻胶SU-8的光敏性好,胶结构图形的侧墙较陡直,能够实现较大的深宽比,为复杂结构的三维微机械器件的制作提供了保证.     

紫外线厚胶光刻技术研究及应用

紫外线厚胶光刻技术已广泛应用于3D微机械结构的制作.本文选用AZ4620和SU-8两种光刻厚胶,采用德国卡尔*休斯公司的MA-6双面对准光刻机,对紫外线光刻工艺条件进行了对比研究,结果表明,负性光刻胶SU-8的光敏性好,胶结构图形的侧墙较陡直,能够实现较大的深宽比,为复杂结构的三维微机械器件的制作提供了保证.     

负性化学放大胶的光刻模型及模拟

在Ferguson的负性化学放大胶（CAR）后烘反应动力学模型基础上，增加了后烘过程中光致酸扩散模型，通过后烘模型的简化，得到了简化的后烘反应扩散动力学模型。将模拟图形与Ferguson的实验图形进行了比较，结果显示，简化的后烘反应扩散动力学模型比单纯的后烘反应动力学模型更准确，且程序运行占用的电脑资源更少。另外，通过不同曝光时间下的显影过程模拟，清晰地反映了光刻胶显影的过程，其结果与实际相符，对实际光刻工艺有较好的参考意义。     

厚胶光刻工艺技术

本文通过对SU-82075负性光刻胶技术的研究，初步解决了厚胶工艺中易出现的胶的均匀性问题，并研究了厚胶曝光工艺。用EVG620型曝光机获得了厚度为100μm、高分辨率的厚胶图形。     

厚胶光刻工艺技术

通过对Ma-P100正性厚胶光刻技术的研究，初步解决了厚胶工艺易出现的胶的均匀性问题，厚胶长时间曝光工艺，用普通曝光机获得了厚度为60μm，分辨率为20μm的厚胶图形。     

一种通过光刻工艺实现细线宽的厚膜布线技术

采用传统厚膜布线工艺通常可实现150 μm的线宽,而达到50 μm以下的线宽是非常困难的.文章介绍了一种利用光刻技术结合厚膜工艺实现10～50 μm线宽的技术,并给出了该项技术在实际产品中的应用实例.     

厚铝芯片制造工艺的光刻对准效果改善

对于厚铝芯片的制造工艺,由于光刻对准标记上覆盖了厚的铝层,对准标记形貌轮廓会变得模糊,这会导致光刻对准出现困难,对偏的问题将变得常见。为了解决此问题,提出了多种改善方法,首先采用叠加标记法,通过将不同层次的对准标记进行叠加,增大了标记的台阶,对准标记的轮廓变得比原来清晰。其次是局部溅射法,通过夹具保护对准标记,确保标记不被厚铝覆盖,因此厚铝将不会对对准标记产生任何影响。最后是剥离工艺法,通过光刻胶保护对准标记,使之不被厚铝覆盖,因此,对准标记形貌将会保持清晰。这些方法在工艺和原理上是不同的,它们适用于不同的环境。通过这些方法,基本可以解决厚铝工艺中光刻对准困难的问题。     

厚膜光刻工艺在PDP中的应用

简要介绍了表面放电型ACPDP制作工艺中电极、障壁和荧光粉的厚膜光刻技术,并对这些工艺中所存在的一些问题进行分析和讨论。     

厚膜混合集成电路孔金属化制造工艺探讨

随着电子产品技术含量的不断升级,对于厚膜混合集成电路的制造工艺提出了更高的要求,从而产生了孔金属化的制造工艺。文章主要阐述了孔金属化的原理和制造工艺,并结合多年的生产经验,对影响孔金属化制造的因素进行探讨和总结。     

LED 用厚膜电路制造工艺探究

叙述了LED用厚膜电路产品制作工艺的开发与试制过程,确定了LED用厚膜电路的高效高质的生产工艺,着重解决LED厚膜微电子技术的可靠性研究,以批量化生产应用为目标,从而实现打破国外技术垄断,推动我国LED厚膜电路技术进步的目的,为实现LED产品的市场化奠定基础。     

薄膜绝缘层对陶瓷厚膜电致发光显示器件的影响

采用丝网印刷技术，在Al2O3陶瓷板上印刷、高温烧结内电极及绝缘层制备出陶瓷厚膜基板，进而制备了新型厚膜电致发光显示器（TDEL），整个器件结构为陶瓷基板／内电极／厚膜绝缘层／发光层／薄膜绝缘层／ITO透明电极。对用不同薄膜绝缘材料制备的显示器件的特性进行测试、比较、分析，结果表明薄膜绝缘介质层对器件的阈值电压、发光亮度均有一定的影响，以复合绝缘层的性能最优。最后对器件的衰减特性进行了初步分析。     

厚多晶硅膜饱和掺杂工艺研究

文章主要介绍了通过对厚多晶硅膜进行饱和掺杂来制作低阻值多晶电阻的方法。分析了多晶硅掺杂扩散模式,其中A类扩散模式能够得到较低的多晶电阻。要使杂质以A类扩散模式掺入多晶硅中,需要采用炉管扩散的方式进行长时间的掺杂。受杂质固溶度影响,一定厚度的掺杂多晶硅电阻值是无法无限制降低的,要制作低阻值多晶电阻,需要淀积厚多晶硅薄膜。文章选择炉管扩散的方式,进行低阻值的多晶硅薄膜制作,并通过实验,证实该方法可以得到稳定、均匀、低阻值的多晶硅方块电阻。     

碳纳米管场发射阴极的厚膜工艺研究

研究了制备碳纳米管(CNT)场发射阴极的厚膜工艺,通过浆料配方和烧结工艺等方面的探索,在Si基底上制作了均匀、平整、场发射特性良好的CNT厚膜。CNT厚膜工艺研究表明,CNT浆料中银浆的最佳比例约为4.2％,最佳烧结温度为480℃(空气中),才能保证厚膜有较强的附着力,CNT又不至于全部氧化。银浆比例过大,则使高电压时场发射电流明显下降,通过对CNT厚膜的场发射特性测量得知,其开启电压为2．4V／μm,在5V／μm的电场下,场发射电流密度为27．8μA／cm^2,但发光显示情况不佳,通过使用含有机粘结剂的浆料,使显示发光情况得到了很大改善。     

烧结温度对厚膜电阻的影响研究

以钌系R-2200厚膜电阻浆料作为研究对象,探讨了烧结温度、保温时间和升温速率工艺因素对其阻值及电阻温度系数(TCR)的影响。利用导电机理模型和液相烧结模型,说明了烧结工艺对钌系厚膜电阻性能的影响。实验数据与SEM表明:厚膜浆料烧结温度在875℃时,结构均匀且致密性好;烧结温度过低时,结构不稳定,功能相没有形成导电网络;而烧结温度过高时,RuO2晶粒异常长大,导电链断裂,势垒升高。     

烧结工艺对PMS-PNN-PZT压电厚膜性能的影响

采用丝网印刷法制备了PMS-PNN-PZT四元系压电厚膜陶瓷材料。研究了压电厚膜的烧结温度、烧结气氛对其压电、介电等性能及微观结构的影响。用XRD和SEM分析材料的相组成、厚膜定位及显微结构,结果表明,在密封埋粉的PbO气氛中,烧结温度1060℃,保温时间2 h,制得一种性能良好的压电厚膜陶瓷材料。其中,该压电厚膜压电常数d33为240 pC/N,相对介电常数rε为1 112,机械品质因数Qm为1250,机电耦合系数kp为0.52。     

挠性板用高分子厚膜替代孔技术研究

文章介绍了几种不同的替代孔技术在多层挠性板上应用。报道了一种采用高分子厚膜替代孔的新技术,详细介绍这项技术的操作过程和测试方法,并测试了它应用于挠性板上的电学性能。在不同应用条件和操作环境的要求下,扩大了原材料的选择空间。     

基于不锈钢基板的厚膜电路制备技术

介绍了用丝网印刷法和低温烧结绝缘带转移法制备不锈钢绝缘基板的方法,比较分析了不同方法制得的不锈钢基板的绝缘性能,以及应用于Al2O3基板的浆料与绝缘带的相容性。还进行耐热冲击和自由落体试验,研究了不锈钢基板上介质覆盖层的结合强度。