也谈磁场强度H与磁化电流的关系

本文也谈磁场强度Ｈ与磁化电流之间的关系；并依据亥姆霍兹定理推导了Ｈ仅与传导电流有关的一般条件。     

分布在电容器极板上的传导电流的磁场

本文通过两个实例说明在某些特殊情况下如何求得电容器极板上电流的磁场，并分析极板电流对总磁场的影响．     

光导开关中的感生电流与传导电流

利用数值方法对线性条件下横向光电导开关的感生电流和传导电流进行了计算和比较.结果表明在特定的实验条件下，感生电流才会对输出电脉冲产生较大的影响.分析了超快光电导开关在不同实验条件下传导电流与位移电流对输出电脉冲的影响.根据该结论，给出非线性模式下，光电导开关电脉冲超快上升沿小于载流子以饱和速度在电极间渡越所需时间的现象. 关键词： 光电导开关 传导电流 位移电流     

磁场强度H与磁介质无关的充要条件及其应用

推导出磁场强度H与磁介质无关的充要条件，获得了一种计算有介质存在时磁感应强度B分布的简单方法．     

电位移矢量仅与自由电荷有关的充要条件及其应用

利用矢量场的唯一性定理直接给出了电位移矢量仅与自由电荷有关的充要条件；阐明了一个很有用的结论。     

电位移矢量D仅与自由电荷分布有关的条件

本文用比较便于接受的方法从理论上导出 D 仅取决于自由电荷分布的充分条件,同时得出此时 D=ε_0E_0。的结论.     

关于磁场强度H的进一步讨论

本文首先阐明磁场强度Ｈ与哪些物理量有关，并指明磁化电流分布和介质分布的区别与联系；其次论证了Ｈ与磁化电流分布无关和Ｈ只与传导电流分布有关的条件以及两者的区别与联系．     

也论电位移矢量D仅与自由电荷分布有关的条件

电位移矢量是一辅助矢量，它的引入为计算一些介质问题提供了方便．但由于普物中的静电场介质问题，绝大多数为均匀介质问题，这就使学生常常产生“电位移矢量仅与自由电荷分布有关”的误解．文献［１］对此问题作了说明，但其推导和结论都有些不足．本文试图给出Ｄ仅与电荷分布有关的一般条件式，并对各种电介质进行分析，最后对有关问题做出简略说明．     

H=B0／μ0的判据与静磁场的两种物理图象

本指出：在均匀介质情况下Ｈ＝Ｂ０／μ０的判据可简化为Ｂｎ＝０；在介质图象下，“Ｈ仅与自由电流和介质的分布有关，而与磁化电流无关”的结论并不错。本还举例说明了静磁场中两种物理图象的应用。     

电位移矢量仅与自由电荷有关吗?

一九八二年出版的《研究生入学物理试题汇解》一书第267页上写道:“由电介质中的高斯定理 D·ds=∑q可知,D仅与自由电荷的分布有关.用D来描写电介质中的电场时,可以不必考察束缚电荷的分布”.我认为这种提法并不恰当,例如均匀电场E0中放一中性介质球,球表面的束缚电荷产生的场E′是不均匀的,因而总场 E=E0 E′也不均匀,如图1所示.在球外的真空中,D=ε0E≠ε0E0,可见D不仅与激发E0的自由电荷的分布有关,而且也可能与束缚电荷的分布有关.原因是高斯定理只反映矢量场的一个侧面,单靠它不能把矢量场的分布完全确定下来.为了确定电位移矢量…     

稳恒磁场中B和H的联系与区别

要讲清磁感应强度和磁场强度的联系和区别，就要从历史上磁荷观点和磁的电流观点来讨论B和E，最后讨论这两种观点的等效性。     

空间电荷限制流与传导电流的定量关系

从空间电荷限制流假设、Poisson方程及电子正则动量守恒关系出发,推导了平板形、同轴圆柱和共顶点同轴圆锥三种导体构形的空间电荷流随传导电流变化的广义Poisson方程,给出了求解方法及解的基本特征,分析比较了三种导体构形空间电荷限制流的基本性质。通过推导,计算和分析可得：各种电压条件下传导电流对空间电荷限制（SCL） 流的作用效果不一样,电压越高传导电流提高磁绝缘程度的作用越显著;当几何因子(即高阻抗)较小时其它两种导体的SCL流与平板形相差较大,几何因子较大时与平板形十分接近;同样电压条件下负极性的SCL流比平板形小、正极形正好相反,而相同几何因子条件下同轴圆筒的SCL流比共顶点同轴圆锥的小;在分析研究低阻抗MITL时,采用SCL流的平板近似不会带来大的误差。在描述时变脉冲作用于MITL时,可以通过对SCL流随电压、传导电流变化的曲面函数插值的方法确定各个时刻的磁绝缘状态。     

空间电荷限制流与传导电流的定量关系

 从空间电荷限制流假设、Poisson方程及电子正则动量守恒关系出发,推导了平板形、同轴圆柱和共顶点同轴圆锥三种导体构形的空间电荷流随传导电流变化的广义Poisson方程,给出了求解方法及解的基本特征,分析比较了三种导体构形空间电荷限制流的基本性质。通过推导,计算和分析可得：各种电压条件下传导电流对空间电荷限制（SCL） 流的作用效果不一样,电压越高传导电流提高磁绝缘程度的作用越显著;当几何因子(即高阻抗)较小时其它两种导体的SCL流与平板形相差较大,几何因子较大时与平板形十分接近;同样电压条件下负极性的SCL流比平板形小、正极形正好相反,而相同几何因子条件下同轴圆筒的SCL流比共顶点同轴圆锥的小;在分析研究低阻抗MITL时,采用SCL流的平板近似不会带来大的误差。在描述时变脉冲作用于MITL时,可以通过对SCL流随电压、传导电流变化的曲面函数插值的方法确定各个时刻的磁绝缘状态。     

两种均匀磁介质分界面上有长载流导线的场和电流分布

分析两种均匀磁介质分界面上有长载流导线的场和电流分布，指出磁感应强度B=B(r)φ径向对称分布是由径向对称分布的总电流j=j(r)ez(包括传导电流和磁化电流)所激发,探讨了传导电流的分布与磁感应强度B、磁场强度H和磁化电流的分布的关系。     

论匀速运动有限长带电直导线的位移电流

通过研究匀速运动有限长带电直导线的位移电流,发现了位移电流和传导电流之间密切关联.     

均匀外场中介质球壳的场分布

应用轴对称情形下Laplace方程在球坐标系中的通解,根据边值关系,求出了在均匀外场中介质球壳各区域的势函数,讨论了场分布特点,并由此得到了介质球壳的磁屏蔽效果.     

带电正多边形盘轴线上的电场和磁场

利用直接积分方法,得到了均匀带电正多边形盘轴线上电场强度的解析表达式,以及均匀带电旋转正多边形盘轴线上磁场强度的解析表达式.     

电磁学实验中一个值得注意的问题

用定性的方法 ,分析了圆平行板电容器两极板间磁场的起源 ,并结合物理学史 ,深入浅出地说明了“用圆平行板电容器内部的磁效应来验证位移电流的存在”的演示实验的错误所在。     

Vibrational transition spectra of H2＋ in a strong magnetic field

Vibrational transition spectra of H2+ in an ultra-strong magnetic field are determined. The validity of Born-Oppenheimer approximation is analyzed based on one-center method and B-spline basis sets. It is shown that Born-Oppenheimer approximation is reliable for the investigation on the ground state and low excited states of H2+ subjected to the strong magnetic field. Furthermore, it is found that the vibrational transition spectra from 1σ g , 1π u , and 1δ g states lie in infrared, visible, and ultraviolet ranges with increasing magnetic field strength.     

几种参数对磁流变抛光的影响

以所建立的磁流变抛光的数学模型为基础 ,通过实验研究了抛光时间、运动盘的速度、工件与运动盘形成的间隙大小、磁场强度等参数对磁流变抛光的影响。具体做法是改变磁流变抛光的一种参数 ,而使其余的参数保持不变 ,得出该参数与磁流变抛光去除函数关系的曲线图 ,进而揭示了工件的材料去除函数随该参数的变化规律。