传导电子的弱局域化现象

本文介绍了近年来固体物理领域的活跃课题之一——传导电子的弱局域化现象．弱局域化是传导电子在低温下的一种反常行为，如电阻随温度的下降而对数上开，负磁致电阻等．这种现象在二维系统（如半导体电子反演层或金属薄膜）中尤为明显．本文通过分析传导电子的干涉效应说明了弱局域化现象的物理本质，并着重介绍了二维（或准二维）系统的理论和实验结果．     

用X射线旋进照相研究(Bi_(2-x)Pb_x)Sr_2CuO_y(0.1≤x≤0.6)晶体结构

关键词：     

非晶光子晶体中的光子局域化

利用多重散射方法计算并研究了二维光子晶体随着无序度变化的光子局域化.通过控制方形单元随机旋转角度以控制光子晶体的无序度.研究发现，随着无序度的增加光子通带的透过率逐渐降低，而光子禁带中的透过率逐渐上升，即无序导致的局域化逐渐由光子带边向光子禁带中心和光子通带的中心扩展.而且光子通带中的平均透过率随无序度的增加呈e指数下降. 关键词： 非晶 光子晶体 无序 光子局域     

纳米NiAl合金的输运性质与电子局域化

测量了不同相对密度的纳米ＮｉＡｌ合金在４．２－７７Ｋ温度范围的电阻率和部分磁阻。实验发现纳米ＮｉＡｌ合金的电阻温度系数随相对密度的减小由正变到负，在相对密度７０％的样品中出现电阻极小。分析绌人有负温度系数的样品的导电是变程跃导电。结果表明材料纳米化后电阻率的变化不仅反映了界面体系增大而导致电阻率增大，而且也反映了纳米化后传导电子局域化，以及磁散射对纳米ＮｉＡｌ合金输运性质的影响。     

D_2~+强场解离的电子局域化随激光波长的非线性变化

研究了周期量级激光脉冲的波长变化对氘分子离子D_2~+强场解离过程中电子局域化的影响.通过求解波恩,奥本海默近似下关于核波包演化的双能级含时薛定谔方程,发现电子局域化的不对称性对激光波长有反常的依赖关系.电子局域程度随着波长的增加呈现增强的趋势,但在某些波长范围内电子局域化出现了显著的衰减.导致电子局域化程度被削弱的直接原因是在某些波长下不同振动态的电子局域化对脉冲载波包络相位的响应出现了反相抵消.分析表明,当波长发生变化时,决定电子局域化的核运动和电子运动在外场作用下出现不一致的运动响应,最终导致了电子局域化的非线性变化.     

无序系统中电子局域态分布

本文应用一种计算无序系统中电子本征态的方法,求得了含有2000个粒子的无序系统中电子局域态的分布,并结合态密度、计算误差进行了分析讨论。所得结果表明,在不同的能量范围内局域态的分布不同,分布可遍及整个系统,且与无序度有关。 关键词：     

Bi_(1.9)Sb_(0.1)Sr_2Ca_2Cu_(2+x)O_y 的超导特性(x=0,0.4,0.8,1.0,1.2,1.6)

文中报道了 Bi_(1.9)Sb_(0.1)Sr_2Ca_2Cu_(2+x)O_y,系列的交流磁化率测量及 X 射线衍射结果,发现超导转变温度对于 Cu 的组份非常敏感,当 x=0.4时,样品在136.5K 出现抗磁性,其 X 射线衍射图中新相衍射峰较85K 超导相的峰更强,因此 Cu 的价态和配位数在形成高和 T_c 超导相中起着至关重要的作用.     

Sb掺杂引起Ru1222体系中的空穴局域化

本利用X射线衍射、电阻率测量等实验手段对Rul-xSbxSr2Gdl．4Ce0.6Cu2O10-δ（Ru1222)体系的结构和正常态性质进行了研究．结果表明，Sb掺杂明显抑制超导电性，这可能是由于Sb掺杂引起体系无序度增加，另一方面，Sb在Ru位的掺杂可加剧RuO6八面体的变形，从而使CuO2面的空穴载流子被磁捕获或磁散射的程度增加．Sb掺杂导致载流子被无序散射和磁捕获或磁散射，这些都会阻碍载流子的运动，使载流子局域化．样品在铁磁转变点温度以下的正常态电阻率可由可变程跃迁模型很好地描述．发现局域化长度随着掺杂而降低，这表明空穴局域化程度随着无序度的增加而提高．样品在铁磁转变点温度以上的正常态电阻率可由小极化子跃迁模型很好地描述．     

电子波在量子阱势垒上方的局域的束缚：一种法布里—珀罗电子滤波器

最近，电子态在量子阱垒上方的局域和束缚已为实验证实，这是电子的波动性和干波效应的一种直接实验证，试图介绍这种所谓“正能量”束缚态的形成机制，以引起我国学者注意。     

Bi_2Sr_2CaCu_2O_8单晶中的反常尖锋效应

使用牛津震动样品磁强计 (VSM)研究了Bi2 Sr2 CaCu2 O8单晶的磁滞回线 .在 2 0到 40K温度之间发现了反常的尖锋效应 ,随样品O含量的增加 ,发生尖锋效应的外场也相应提高 .可以认为在尖峰效应处发生了由涡漩物质的有序固态到无序固态的相变 ,在有少量点缺陷存在的BSCCO单晶相图上 ,Bsp线终止于 2 0K温度处 ,在 2 0K以下温区没有发生准格子到涡漩玻璃的相变 ,涡漩固相始终以准格子形式存在 ;可以认为尖峰效应是外场、温度、无序的复杂函数     

SURFACE ELECTRONS IN IONIC CRYSTALS

The properties of a surface electron in the ionic crystal are studied. The effective Hamiltonian and the ground state energy of the electron in a phonon field are derived. The two limiting cases of the effective Hamiltonian are discussed. The different meanings represented by the bulk and surface coupling constants for some ionic crystals are analysed.     

在硅晶体中由螺位错引起的电子散射

本文讨论硅晶体中由〈110〉螺位错引起的电子散射,用紧束缚近似只考虑s电子和p电子。用长波近似只考虑Γ附近的电子散射。此散射近似地服从基尔霍夫-惠更斯形式的积分方程。用规范变换和格林函数方法解出了散射方程。确认了在硅复杂能带的情况下也同单一能带的情况一样,在位错的下游侧出现电子波播及不到的影子。 关键词：     

压力对不同Tc的Bi2+xSr2Ca1-xCu2Oy单晶超导电性的影响

 在研究BiSrCaCuO超导单晶的过程中，我们发现材料的实际化学组分与理想的2212相配比组分有着一定的差别，正是这种成分偏析造成了样品的T_c与结构的不同。本文研究了在压力下不同T_c的样品随压力改变T_c的变化关系，发现偏析越大、T_c越低的样品的dT_c/dp也越大，而越接近理想组分，则dT_c/dp越趋于最小值，还可以从此推断出BiSrCaCuO理想单晶材料的T_c最佳值。压力对超导电性的这种影响可能与耦合链长的变化有关。     

Sr2Bi4Ti5O18的压致结构相变

 使用4∶1的甲醇-乙醇混合液作传压介质，利用金刚石对顶砧装置（DAC），研究了层状铁电体Sr₂Bi₄Ti₅O₁₈的在位高压拉曼光谱和压致结构相变（0～27 GPa）。发现在8.31 GPa，Sr₂Bi₄Ti₅O₁₈经历了一次结构相交。在23.13 GPa以上，Sr₂Bi₄Ti₅O₁₈似乎出现了压致非晶相交的先兆。并使用内模方法对Sr₂Bi₄Ti₅O₁₈的内模进行了指认。     

Optimization of intergrain connection in high-temperature superconductor Bi_2Sr_2CaCu_2O_x

A modified spark plasma sintering(SPS) technique was developed for the fabrication of Bi2Sr2 Ca Cu2Ox(Bi-2212)superconducting bulks with better intergrain connections. The influences of the modified SPS process on the microstructures, intergrain connections, and related superconducting properties were systematically analyzed. The modified SPS process can not only increase the final density of the bulk samples but also enhance the texture structures. Clean grain boundaries were obtained instead of the intergrain amorphous layers. Therefore the intergranular properties were obviously improved. Due to the better intergrain connections and the stronger flux pinning properties, the critical current densities of the Bi-2212 bulks obtained via the modified SPS process were greatly increased. The obtained improvements imply the possibility for the modified SPS technique to be used for enhancing the superconducting properties of the Bi-2212 tapes.     

高压处理对Bi1Sr1Ca1Cu2Oy超导电性的影响

本文在高T_c超导体Bi_1Sr_1Ca_1Cu_2O_y常压制备的基础上,研究了热压烧结和冷压处理对其形成、结构及超导电性的影响,并与常压结果进行了比较。结果表明,高压可以使样品的合成时间缩短,合成温度降低。但同时它也抑制了晶格参数较大的相(高T_c相)的形成,使小晶格参数的杂相含量增多。对于提高样品的超导电性而言,1.5 GPa是一个较好的压力点。     

OHMIC MOBILITY OF ELECTRONS IN SILICON

Ohmic mobility of electrons in Si has been theoretically studied as a function of temperature. In our theoietical model many-valley structure of Si conduction band, intra-valley scattering of acoustic phonons and impurities and intervalley scattering of pholons and electrons were included. The Green's function approach developed by Lei and Ting was extended to evaluate the Trictional forces resulting from several scattering mechanisms. The numerical results compared with experimental data and indicated the effect of intervalley electron-electron interaction on the mobility of electrons.     

三硼酸锂晶体中负晶的观察

采用光学显微镜、X射线形貌术以及激光散射层析等方法,对新型非线性光学材料三硼酸锂晶体中的一种特殊的包裹体——负晶进行观测和研究,揭示了它的本质和组成,探讨了它的形成机理。 关键词：