区域熔炼法制备YBa_2Cu_3O_(6 x)的非对数磁弛豫

考虑到有效钉扎势U(J)与临界电流密度的非线性关系,将U(J)展开为三级泰勒级数,最后推导出一个普遍适用于描述高温超导体磁弛豫的等温衰减方程,并用这一方程研究了具有高J_c,强钉扎的区域熔炼法制备YBa_2Cu_3O_(6 x)的磁弛豫,而且对目前被普遍采用的几个钉扎模型进行了讨论.     

掩模法制备高TcYBa2Cu3O7Josephson边缘结

本文利用脉冲激光沉积的定向性和掩模的阴影效应，原位沉积Ｎ－ＹＢＣＯ作为势垒层制备了高ＴｃＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７Ｊｏｓｅｐｈｓｏｎ边缘结，在６０Ｋ，微波辐照观察到明显的Ｓｈａｐｉｒｏ台阶，在Ｔｃ附近，Ｉｃ∽（１－Ｔ／Ｔｃ），ｎ＝１．８８。     

熔融织构块材和单晶YBa2CU3O7在63—75K的磁驰豫性质

本文研究了熔融织构块材和单晶YBa2Cu3O7在液氮温区63－75K的磁驰豫性质。在此温区常数ωa是与温度相关的，平均有效结合能作为电流密度的函数和Zeldov模型一致。     

MOD法在BaPbO_3/LaAlO_3上沉积YBa_2Cu_3O_(7-σ)层的研究

实验配制了一种新型的YBCO前驱溶液,经过旋转涂覆和适当的热处理工艺,在单晶LaAlO3(100)基底和以BaPbO3为缓冲层的LaAlO3基底两种结构上外延生长YBa2Cu3O7-σ(YBCO)超导层。XRD结果表明:在两种结构上均生长了单相的YBCO层,YBCO晶粒沿垂直于基底表面的c轴方向外延生长。这种择优性在以BaPbO3为缓冲层的YBCO结构中更加明显。SEM结果表明,在两种结构上均形成致密的YBCO层。     

YBa_2Cu_3O_(7-x)分子筛的制备与应用

用不同原料或加入添加剂的方法研究了 YBa2 Cu3O7- x( YBCO)对氧的“呼吸”性能的影响。研究发现 ,加入 5 %～ 1 0 %的萘作为添加剂是提高 YBCO分子筛除氧效果的有效途径。利用加萘的YBCO分子筛已经生产出高纯氮气     

YBa_2Cu_3O_(7-δ)超导体磁弛豫

我们用振动样品磁强计研究了多晶和熔融织构 YBa_2Cu_3O_(7-δ)样品磁弛豫特性.发现在液氮温度77K 下,两种样品的零场冷磁化强度 M 仍随时间 t 呈对数衰减.表明 P.W.Ander-son 的经典磁通蠕动理论在该温度下适用于高 T_c 氧化物超导体.实验还给出了磁弛豫S=-((?)M)/((?)lnt)随外场的变化关系.对于多晶样品,当外场 B>B~*(穿透场),S 正比于 B~(-α),文中对这一关系进行了解释.     

含不同211相颗粒的区域熔炼YBa2Cu3O6＋x样品的临界电流

在５５－７８Ｋ的温度范围内，最大磁场为２．３Ｔ下，用ＶＳＭ测量了含Ｙ２ＢａＣｕＯ５颗粒的区域熔炼ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ６＋ｘ的磁滞回线。利用Ｂｅａｎ模型计算了磁临界电流密度，发现Ｊｃ与外加磁场Ｈ有一普适关系。实验结果能用集体钉扎理论解释。我们同时发现Ｙ２ＢａＣｕＯ５（２１１）颗粒在磁通钉扎中有很大作用，在较高增场下，随２１１相颗粒含量的增加，样品的Ｊｃ下降越缓慢。     

用电阻法研究氧在YBa_2Cu_3O_(7-x)中的扩散

用测量电阻法,在等温条件下在544℃至810℃温区研究了 YBa_2Cu_3O_(7-x)失氧过程中氧的扩散.当T>700℃时扩散激活能为1.47_eV/atom;当 T<700℃时为0.90_eV/atom.两温区的差异可能与氧在四方和正交两种结构中扩散机制不同有关.     

YBa_2Cu_3O_(6+ε)中超导相和非超导相的结构

采用单晶 X 射线衍射研究了 YBa_2Cu_3O_(6+ε)晶体中正交非超导相和正交高 T_c 超导相的原胞结构.发现非超导相到超导相的转变与 O(1)的占据率大于0.5,相应ε大于0.6有关,并且超导相中 T_c 的提高也与 O(1)的占据率增大到1有关.O(1)的出现,使晶胞参数 b 增长,a、c 缩短,Cu(2)-O(2)-O(3)层畸变增大.我们用原子簇计算的结果说明了结构变化的原因,也用分子轨道从头计算的结果说明了 T_c 的提高.     

YBa_2Cu_3O_(7-x)的高温氧呼吸特性

采用热分析仪和高温静态吸附等实验研究了 YBCO材料的氧的呼吸特性。实验表明 ,该材料对氧有强烈的选择吸附性 ,并且呼吸过程可以很好的重复。提出了把 YBCO做为除氧分子筛的设想。     

熔融织构法制备Y-Ba-Cu-O(123)块状样品的交流磁化研究

对熔融织构法制备的Y-Ba-Cu-O(123)块状样品作交流磁化研究,并与一般烧结样品进行比较,结果发现,对应一般烧结样品的晶粒和晶界,在交流磁化率虚部上有两个峰,而对织构(即定向排列生长)较好的样品,其交流磁化率虚部上仅有一个对应晶粒峰,对于有一定织构但织构不理想的样品,其交流磁化率虚部上也有两个峰,不过它们对立于不同方向生长的晶粒,未观察到频率效应,表明损耗与磁通运动有关。 关键词：     

YBa_2Cu_3O_(7-δ)中的磁有序和超导电性

我们在一块 Y-Ba-Cu-O 的薄膜上发现存在两次电阻转变,其一发生在120K 到室温的某一温度,另一个转变总是发生在90K.微型磁扭摆实验及 A.C 磁化率实验表明发生在较高温区的电阻跃变伴随着磁有序化;而发生在90K 的跃变是超导转变.作者认为发生在高温区的磁有序与氧空位的完全有序和 Cu^(3+)/Cu^(2+)的比值有关.     

YBa_2Cu_3O_(7-δ)超导带材短样的制备和特性研究

用不同的方法制备YBa_2CuO_(7-δ)银包套超导带材短样。分别测量其超导临界参数。发现用稀硝酸腐蚀掉样品外面的银套,再经过一定时间、温度的热处理,使样品的临界电流密度J_c和超导转变温度T_c都有一定的提高。利用x射线衍射和扫描电镜对制备测试样品的过程进行了分析研究,讨论了超导临界性能提高的原因。     

液氦温区La2/3Ca1/3Mn1-xCuxO3(x=0.15)体系的磁电阻弛豫效应

实验上研究了液氦温区Ｌａ２／３Ｃａ１／３Ｍｎ１－ｘＣｕｘＯ３（ｘ＝０－１５）单相多晶样品给定磁场下的电阻随时间的变化,发现磁电阻随时间变化并非遵从对数规律而是呈指数型变化行为．对这一指数型磁电阻弛豫行为的可能起因进行了讨论,指出这是与Ｍｎ位上Ｃｕ掺杂将额外磁性杂质引入到样品中有关 关键词：     

YBa_2Cu_3O_(7-δ)熔融织构样品的磁响应研究

对YBa-2Cu-3O7-δ熔融织构样品在不同温度、不同磁场-不同外场扫描速率下进行了磁滞回线测量，获得了电流密度J(T，B)，lnE-lnJ曲线以及热激活能U\-0(T,B)随温度、磁场的变化关系，从而分析了该样品磁响应特性, 特别是第二峰（简称峰）受外场扫描速率的影响，探讨了峰形成的真正原因，以及影响峰位置、大小的各种因素.     

YBa_2Cu_3O_(6+ε)中超导相和非超导相的结构

采用单晶 X 射线衍射研究了 YBa_2Cu_3O_(6+ε)晶体中正交非超导相和正交高 T_c 超导相的原胞结构.发现非超导相到超导相的转变与 O(1)的占据率大于0.5,相应ε大于0.6有关,并且超导相中 T_c 的提高也与 O(1)的占据率增大到1有关.O(1)的出现,使晶胞参数 b 增长,a、c 缩短,Cu(2)-O(2)-O(3)层畸变增大.我们用原子簇计算的结果说明了结构变化的原因,也用分子轨道从头计算的结果说明了 T_c 的提高.     

高温超导薄膜(Y0.6Ho0.4)Ba2Cu3O7-δ/SAT/MgO的制备

用脉冲激光沉积法在先在ＭｇＯ衬底上制备一层Ｓｒ２（ＡｌＴａ）Ｏ６薄膜作为过渡层,再制备（Ｙ０．６Ｈｏ０．４）Ｂａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ超导薄膜,新超导薄膜的零电阻温度Ｔｃ０为８９Ｋ,临界电流密度Ｊｃ为２．３＊１０＾６Ａ／ｃｍ＾２（７７Ｋ）,用Ｘ射线衍射仪及扫描电子显微镜分析了薄膜特性。     

YBa_2(Cu_(1-x)Sn_x)3O_(7-y)超导体的磁弛豫和钉扎

我们制备了一组 YBa_2(Cu_(1-x)Sn_x)_3O_(7-y)多晶超导样品,在77K 时测量了它们的磁滞回线和增场磁弛豫率,计算了它们的钉扎势 U_0结果表明,在相同制备工艺条件下,掺锡样品的钉扎势比不掺锡(x=0)样品的高.结合 TEM、X-射线衍射和喇曼谱分析结果,我们认为YBa_2Cu_3O_(7-y)超导体中的位错不是主要钉扎中心,掺锡样品中的β-Sn 正常粒子可能是有效的钉扎中心.     

YBa_2(Cu_(1-x)Fe_x)_3O_(7-δ)超导体结构相变及其超导电性的研究

我们对YBa_2(Cu_(1-x)Fe_x)_3O_(7-δ)(0≤x≤0.07)超导体的结构相变与超导电性进行了系统研究。x射线衍射分析表明样品在x≈0.04时存在一个从正交晶到四方晶的结构相变过程,原胞体积随铁的组分增加而变大。R-T曲线测量得到零电阻温度随铁组分的增加迅速下降到液氮温度以下,零电阻温度T_c(O)随x增大而减小且在结构相变点没有突变。微结构分析表明从正交晶到四方晶的相变过程伴随着孪晶现象的消失。