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用分子束外延方法在GaAs(100)衬底上成功生长了高质量的Zn1-xMnxSe/ZnSe(x=0.16),超晶格结构,用X射线衍射和低温光致发光(PL)对其结构,应变分布以及光学性能进行了研究,结果表明,2K温度下,Zn1-xMnxSe/ZnSe超晶格的光致发光中主发光峰对应于ZnSe阱中基态电子和基态轻空穴之间的自由激子跃迁,而且其峰位相对于ZnSe薄膜材料的自由激子峰有明显移动。其中,当超晶 相似文献
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用分子束外延方法在GaAs(100)衬底上生长了Zn1-xMgxSySe1-y四元半导体合金薄膜.用X-射线衍射方法确定了外延层的结构和晶格常数.测量了这些样品在平行和垂直两种不同几何配置下的拉曼散射光谱并对其特性做了研究。从实验上观察到了四类不同的晶格振动模:类ZnSe的TO和LO模以及类ZnS和类MgS的LO模,实验发现:在ZnSe和ZnSSe中加入Mg使得类ZnSe的TO和LO模的振动频率下降;同时,也使类ZnS模的频率随S的增加率减小。 相似文献
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近年来,随着宽禁带Ⅱ-Ⅵ族半导体激光器取得突破性进展[1],对ZnSe基超晶格与量子阱的受激发射也进行了广泛的研究[2,3],同时对电场调制下的ZnSe基超晶格的受激发射也有过报导[4].但对于电场调制下的ZnCdSe/ZnSe基单量子阱的激射行为研... 相似文献
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运用分子束外延技术成功地生长出Zn1-xCdxSe/ZnSe超晶格,并对不同的样品进行了拉曼散射光谱的测试。获得了多达5级的ZnSe的LO声子峰和ZnSe的TO声子峰;同时还在频移为144cm^-1,370cm^-1处观测到了两个新声子峰,估计是来自于ZnCdSe的声学模和光学模。 相似文献
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Si/Ge应变层超晶格的椭偏光谱 总被引:2,自引:0,他引:2
测量了几种不同组分的(Si)M/(Ge)N应变超晶格材料的椭偏光谱(2.0~5.0eV),并得到了其介电函数谱;应用介电函数的临界点理论,研究了(Si)M/(Ge)N应变超晶格材料的光学性质。发现短周期Si/Ge应变超晶格除了具有明显的E1和E2带间跃迁外,还存在与应力和超晶格能带的折迭效应有关的跃迁峰,其能量分别位于2.3~3.0eV和3.3~4.0eV范围内 相似文献
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本文通过Ⅱ-Ⅵ族稀磁半导体超晶格ZnSe/Zn1-xMnxSe的光致发光谱的测量,对其应力效应进行了讨论。样品的组分x=0.2,0.3,0.4,测量温度为T=11 ̄300K。结果表明:由于应力效应,ZnSe/Zn1-xMnxSe超晶格中的激子能量随x值增加而发生红移。在相同组分下,不同阱、垒宽度比使应力的分布产生明显变化,从而影响超晶格中激子能量。实验与理论计算结果相一致。超晶格中光致发光峰随温度 相似文献
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蓝色显示材料及器件的研究 总被引:3,自引:1,他引:2
用H2和CS2还原法制备Ce:SrS发光材料,分析了两种方法对材料的结构及发光特性的影响,得到了最高亮度为950cd/m^2(1000Hz)的Ce:SrS薄膜电致发光(TFEL)器件;用高温固相法得到Ce:SrGa2S4荧光粉,用射频溅射沉积的Ce:SrGa2S4薄膜在600℃以上、H2S气氛下快速热处理可以改善薄膜结晶性能,提高杂质激发峰强度,得到好的光致发光(PL)发光性能,以陶瓷片作为基片同 相似文献
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本文给出了CaAs衬底上生长的ZnSe-ZnS应变超晶格的室温Raman分析,观测了该超晶格中ZnSe子层和ZnS子层的纵光学振动模(LO),首次发现在一些样品中ZnSe子层的纵光学声子模LOZnS出现蓝移,而ZnS子层的LOZnS总是向低波数方向移动,并利用限制效应和应变效应给出了解释。 相似文献
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本文给出了CaAs衬底上生长的ZnSe-ZnS应变超晶格的室温Raman分析,观测了该超晶格中ZnSe子层和ZnS子层的纵光学振动模(LO),首次发现在一些样品中ZnSe子层的纵光学声子模LOZnS出现红移,另一些样品中LOZnSe出现蓝移,而ZnS子层的LOZnS总是向低波数方向移动,并利用限制效应和应变效应给出了解释。 相似文献
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邝小渝 《原子与分子物理学报》1997,14(2):236-242
半导体晶体ZnO、CdS和CdSe具有相似的晶体结构,然而掺入其中的Fe(Ⅲ)离子却表现出完全不同的基态分裂特征,按顺序ZnO∶Fe(Ⅲ)→CdS∶Fe(Ⅲ)→CdSe∶Fe(Ⅲ)其重要的EPR参量D,将由负值转变成正值,这一变化将导致6A1基态中Kramers能级|±5/2〉、|±3/2〉、|±1/2〉的次序发生翻转。这种奇异的电子能级结构转换现象至1967年报道以来迄今未得到合理地解释。Hoshina猜想这一现象可能与配位体离子的自旋-轨道耦合系数有关。本文用共价自旋-轨道耦合机制来解释这一能级翻转现象并论证Hoshina猜想的正确性 相似文献
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首次在(100)GaAs衬底上成功地生长出ZnGa2Se4外延薄膜。用分子束外延技术在100GaAs衬底上制备Ga2Se3/ZnSe异质结时,用540℃以上的温度生长出ZnGa2Se外延层。 相似文献
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ICP-AES法分析水质的探讨 总被引:1,自引:0,他引:1
本文用ICP-AES(电感耦合等离子体-原子发射光谱法)测定水中Al、B、Ba、Be、Ca、Cd、Co、Cr、Cu、Fe、Mg、Mo、Mn、Ni、Pb、Sr、V、Zn等18种微量元素。方法简便、快速,只将样品简单酸化,即可测定。方法检出限为0.0005-0.5μg/mL。相对标准偏差<18% 相似文献