轻离子反射系数的标度公式

最近发现，轻离子输运行为具有显著的标度特性，可用一个称为标度输运截面的参数来标定。本文利用这个重要的性质，给出了以标度输运截面为自变量的轻离子粒子数反射系数和能量反射系数的普适拟合公式。此公式具有非常好的单值对应关系，相比之下，经常应用的约化能ε作为标度参数的反射公式，因其分散度大而相形见绌。 关键词：     

低能轻离子输运的单参数描述

低能离子输运的一个重要特点是它有可能被一个简单的参数所确定，我们发现离子的标度输运截面即是具有这种重要性质的参数。这种单值对应关系反映了不同能量的不同靶一离子的组合在输运上的内在相似性。本文给出了标度输运截面的定义，讨论了此标度参数标定离子输运行为的理论依据。同时通过应用离子输运双群模型所作的大量计算检验了单参数标定离子输运行为这一结论。最后给出以标度输运截面为自变量的离子反射系数和平均投影射程的经验公式。 关键词：     

化合物和合金中离子投影射程分布矩的计算(Ⅱ) 轻离子(Z_1≤10)的射程分布矩

本文根据离子在固体材料中电子阻止截面的实验资料,给出了低能Li~+,Be~+,B~+,C~+,N~+,O~+,F~+,Ne~+等离子在固体中电子阻止截面S_e的经验公式。这些经验公式既能够很好地反映电子阻止本领的Z_1和Z_2振荡、又能正确地给出S_e随离子能量E的变化关系。用这种以实验为基础的S_e经验公式和符合于WHB势的核散射函数,计数了从H~+到Ne~+十种轻离子在非晶Al_2O_3,SiO_2,20/25/Nb不锈钢,LiNbO_3和UO_2等材料中的投影射程分布的一次至三次矩。将计算值与近几年的实验测量及其他人的计算结果进行了比较,在低能端,我们计算的平均投影射程R_p与实验符合得更好。     

用双群模型研究表面位垒对离子反射的影响

低能离子在固体表面上反射,对于理解等离子体与聚变堆第一壁相互作用是十分重要的,当离子能量低于千电子伏以下时,表面位垒对离子反射的影响逐渐变得重要起来,本文应用轻离子输运双群模型,考虑了直方表面位垒对输运方程边界条件的影响,得到考虑了位垒影响的离子反射系数,结果表明,当离子能量下降到10倍固体表面位能以下,由于表面位能将引起轻离子反射系数明显减少。 关键词：     

化合物和合金中离子投影射程分布矩的计算(Ⅱ)——轻离子(Z1≤10)的射程分布矩

本文根据离子在固体材料中电子阻止截面的实验资料,给出了低能Li⁺,Be⁺,B⁺,C⁺,N⁺,O⁺,F⁺,Ne⁺等离子在固体中电子阻止截面S_e的经验公式。这些经验公式既能够很好地反映电子阻止本领的Z₁和Z₂振荡、又能正确地给出S_e随离子能量E的变化关系。用这种以实验为基础的S_e经验公式和符合于WHB势的核散射函数,计数了从H⁺到Ne⁺十种轻离子在非晶Al₂O₃,SiO₂,20/25/Nb不锈钢,LiNbO₃和UO₂等材料中的投影射程分布的一次至三次矩。将计算值与近几年的实验测量及其他人的计算结果进行了比较,在低能端,我们计算的平均投影射程R_p与实验符合得更好。 关键词：     

低能电子在固体表面背散射系数的直接Monte Carlo方法模拟

应用单次碰撞的直接Monte Carlo方法计算能量范围从100 eV~10 keV的电子在固体Al,Si,Au表面的背散射系数,其中低能电子在固体中的弹性散射和非弹性散射截面分别应用Mott散射截面和Born近似下的广义振子强度计算模型得到.通过与压缩历史Monte Carlo方法的模拟计算结果及实验值的比较,结果表明,对于100 eV~10 keV范围的低能区电子,采用直接方法计算得到的电子背散射系数与实验值符合较好,直接方法比压缩历史方法更适合于能量在10 keV以下的电子输运计算.     

低速离子在固体中的电子阻止本领

本文介绍了低速离子在固体材料中电子阻止本领的理论发展情况。着重介绍了有效电荷理论和根据有效电荷理论,由氢离子在材料中的电子阻止截面标度各种重离子在同种材料中电子阻止截面的方法。 用电导理论导出了低速离子贯穿价电子气的阻止截面公式,并给出了一套有效电荷比的经验公式。利用这套公式求得的电子阻止截面Se的值,既符合实验上发现的Se随z_1或z_2振荡的规律,又符合Se随入射离子能量的变化关系。     

低速离子在固体中的电子阻止本领

本文介绍了低速离子在固体材料中电子阻止本领的理论发展情况。着重介绍了有效电荷理论和根据有效电荷理论,由氢离子在材料中的电子阻止截面标度各种重离子在同种材料中电子阻止截面的方法。 用电导理论导出了低速离子贯穿价电子气的阻止截面公式,并给出了一套有效电荷比的经验公式。利用这套公式求得的电子阻止截面Se的值,既符合实验上发现的Se随z_1或z_2振荡的规律,又符合Se随入射离子能量的变化关系。     

离子碰撞过程中电荷转移的理论研究

用经典轨道蒙托卡罗(CTMC)方法计算离子与氢原子碰撞过程电荷转移截面,并计算俘获电子的n(n为主量子数)壳层分布。对于多电荷离子的碰撞过程,利用约化变量得到了截面的q标度规律。计算结果与实验测量符合得很好。     

多层介质中的离子射程分布

本文提出了一种计算多层介质中注入离子深度分布的新方法。该方法把Monte Carlo模拟与输运方程的数值解法相结合,取其各自的优点,考虑了离子在界面处的反射,给出多层介质中射程分布表达式。理论与实验比较表明,两者符合得很好。 关键词：     

高剥离氩离子电子碰撞电离参数评估

基于可以得到的理论和实验数据,对利用准相对论组态平均近似系列程序包计算的类氢、类氦、类锂氩离子的碰撞电离原子参数进行了评估.发现对基态类氢、类氦和类锂氩离子的碰撞电离,在不考虑共振过程的情况下,我们的加交换的准相对论扭曲波方法的计算结果是可靠的.但对于激发态的碰撞电离过程,还有待于可靠的数据比较.此外对不同离化度的离子有很好的类氢近似标度规律.     

注入离子在无定形固体靶中投影射程分布的统计特性

用基于两体碰撞近似的动态蒙特-卡罗模拟方法和Boltzmann输运方程近似解法,研究注入离子在无定形固体靶中投影射程分布的统计特性.讨论注入物理参数对表征射程统计分布的平均投影射程、分布的标准偏差、偏度和峰度等的影响.计算结果与有关实验数据比较符合得较好. 关键词：     

低和中等电离度离子的电子碰撞电离截面的扭曲波计算

利用扭曲波Born交换近似方法计算了Ne⁺，…，Ne⁶⁺的电子碰撞电离截面，计算结果同实验和其他理论结果相一致.为满足实际应用需要，给出了高精度的拟合公式.还讨论了扭曲波Born交换近似方法对低电离度离子的适用性以及交换势的引进对计算结果的影响. 关键词：     

基于联合分离原子模型的电离理论

采用微扰静态(PSS)模型近似处理极化和结合能效应，并引入了相对论效应、能量损失效应和库仑偏转效应修正的ECPSSR理论是描述直接库仑电离过程最成功的理论，但对于低能离子入射时， 其结果明显低于实验值. 采用联合分离原子(USA)模型替代ECPSSR中的PSS模型，考虑分子轨道效应得到了基于USA模型的电离理论——MECUSAR理论. 对部分碰撞系统进行了计算，得到的碰撞截面与实验结果基本符合. 结合OBKN(Oppenheimer-Brinkman-Kramers formulas of Nikolae 关键词： X射线产生截面 离子-原子碰撞 电子俘获     

利用重正化激子方法计算离域离子态或激发态的一阶分子性质

近年来,重正化激子方法已快速发展为一种新兴的低标度从头算激发态量子化学方法. 该方法假定大体系的整体激发态是其若干子体系局域激发态的线性组合,并利用有效哈密顿理论来高精度计算这些局域态之间的耦合. 在本文中,通过将有效哈密顿理论拓展到普适的有效算符方案,实现了重正化激子方法对于大体系离域电子态的一阶分子性质(如电荷布居、跃迁偶极矩)的高效计算. 对于四种不同的分子聚集体(氨、甲醛、乙烯、吡咯)的离域离子态和激发态的重正化激子计算测试证实：新方法可以同时实现大体系低能离域电子态的能量和波函数性质的高效高精度计算.     

利用重正化激子方法计算离域离子态或激发态的一阶分子性质（英文）

近年来,重正化激子方法已快速发展为一种新兴的低标度从头算激发态量子化学方法.该方法假定大体系的整体激发态是其若干子体系局域激发态的线性组合,并利用有效哈密顿理论来高精度计算这些局域态之间的耦合.在本文中,通过将有效哈密顿理论拓展到普适的有效算符方案,实现了重正化激子方法对于大体系离域电子态的一阶分子性质(如电荷布居、跃迁偶极矩)的高效计算.对于四种不同的分子聚集体(氨、甲醛、乙烯、吡咯)的离域离子态和激发态的重正化激子计算测试证实:新方法可以同时实现大体系低能离域电子态的能量和波函数性质的高效高精度计算.     

高剥离氩离子电子碰撞电离参数评估

基于可以得到的理论和实验数据，对利用准相对论组态平均近似系列程序包计算的类氢、类氯、类锂氩离子的碰撞电离原子参数进行了评估，发现对基态类氢、类氯和类锂氩离子的碰撞电离，在不考虑共振过程的情况下，我们的加交换的准相对论扭曲波方法的计算结果是可靠的，但对于激发态的碰撞电离过程。还有待于可靠的数据比较，此外对不同离化度的离子有很好的类氢近似标度规律。     

Monte Carlo方法计算背散射电子在固体中的空间分布

应用Monte Carlo方法,对不同能量低能电子作用下背散射电子在固体中的空间分布作了计算,电子的弹性散射用Mott截面描述、非弹性散射按文献[3]的方法由Streitwolf、Quinn及Gryrinski的公式计算,大量计算得出一些规律,为低能电子显微学研究提供一定依据。     

低速离子在固体中的电子阻止截面

在均匀电子气模型和微扰极限成立的条件下,给出了低迷离子在固体中的电子阻止截面公式。结果表明,低迷离子的电子阻止本领可以表示成只与入射离子性质有关的因子和只与材料性质有关的因子的乘积。这种简化阻止函数的形式被推广到一般的固体材料,从而得出相同速度的离子之间的有效电荷比基本与靶材料无关的结论。给出了一套计算重离子与氢离子有效电荷比的经验公式,由实验资料确定了公式中的参数。采用此有效电荷比公式以及低速氢离子的电子阻止截面数据,很容易计算出低速重离子的电子阻止截面。与实验比较表明,我们给出的公式能很好地描写实验上发现的Z_1和Z_2振荡,而且在实验误差范围内,能很好地描写电子阻止截面S_e随离子能量的变化关系。     

离子声波对电子输运的影响

从Balescu-Lenard碰撞项出发,得到了电子-电子通过交换离子声波对碰撞的贡献项,并计算了电子输运(热导)系数.计算结果表明,由于离子声波的作用电子热导系数有所下降 关键词： 电子输运 离子声波 Balescu-Lenard方程