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层状高温超导体的临界电流理论 总被引:1,自引:0,他引:1
本文提出了一个关于层状高温超导体临界电流密度Jc的理论,对于强各向异性高温超导体,讨论了临界电流密度随温度的磁场的变化,得到了临界电流密度在低温区和强钉扎区随温度线性减小;而在高温区和弱钉扎区则随温度指数衰减的结果。 相似文献
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通过对少量Zn掺杂Bi2212单晶样品不同温度下的磁滞回线的测量,根据Bean临界态模型得到了样品在不同温度和磁场下的临界电流密度.发现不同温度下的临界电流密度与磁场的关系可以用Jc(H,T)=Jc(0,T)exp(-Hα)进行拟合,并且拟合参量α随温度的上升而增大,而在Pb掺杂和纯Bi2212单晶中α值基本上是不随温度变化的.将得到的Jc与Pb掺杂和纯Bi2212单晶的结果进行比较,发现在相同的温度和磁场下Zn掺杂样品具有最高的临界电流密度,表明少量Zn掺杂使得样品的临界电流密度得到提高.Zn掺杂对Bi2212体系临界电流密度的提高主要来源于在材料中引入了有效的涡旋钉扎中心,而Pb掺杂体系中Jc的提高是体系的层间耦合增强导致的结果. 相似文献
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铁基超导体是在2008年由Hosono发现的一种新型超导材料, 由于其具有上临界场高、各向异性小、临界电流密度大等优点, 在世界范围内引起了广泛关注. 以Ba1-xKxFe2As2为代表的FeAs-122系超导体具有结构简单、合成温度低、单晶容易制备等优点, 是物理学家和材料学家关注的焦点. 本工作在获得最优化掺杂的Ba1-xKxFe2As2单晶(Tc = 38.5 K)基础上, 通过分析其在不同磁场条件下电阻温度变化关系、不同温度条件下的磁滞回线等数据, 系统的研究了Ba1-xKxFe2As2单晶磁通钉扎力和磁通钉扎机理. 研究发现Ba1-xKxFe2As2超导体具有非常高的磁通钉扎势, 其中9 T的外场条件下, 其在H//c轴和H//ab面的钉扎势分别为5800 K和8100 K, 展示出良好的应用前景; 通过进一步分析发现, 其磁通钉扎机理应是由于晶格内部的小尺寸缺陷引起的电子平均自由程变化而导致的δl钉扎. 相似文献
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对Sm(CobalFe0.1Cu0.1Zr0.033)6.9合金, 经810℃等温时效后以0.5℃/min逐渐冷却, 在600℃-400℃温度区间淬火, 研究了不同淬火温度下的磁滞回线、磁畴和矫顽力温度系数β. 发现时效600℃淬火后磁滞回线出现台阶状, 说明畴壁中应存在两处钉扎. 随淬火温度的降低, 合金的室温矫顽力显著增加, 磁滞回线的台阶消失. 通过磁畴形貌发现时效600℃淬火后的磁畴接近条形畴, 1:5相中Cu分布相对均匀, 形成的畴壁钉扎较弱, 从而使磁滞回线出现台阶, 决定矫顽力的畴壁钉扎位于两相界面处; 随时效淬火温度的降低, 磁畴逐渐细化, 畴壁1:5相中的畴壁能降低, 形成了较强的内禀钉扎, 并决定材料的矫顽力, 两相界面处的畴壁钉扎被掩盖. 对不同温度淬火合金的高温矫顽力研究表明, 最强的畴壁钉扎位于两相界面处时, 矫顽力随温度升高逐渐增加, 矫顽力出现温度反常现象; 最强的畴壁钉扎位于1:5相中心时, 矫顽力随温度升高逐渐衰减. 当测试温度达到500℃后不同淬火温度样品的矫顽力几乎相同, 此时最强畴壁钉扎均在两相界面处. 相似文献
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本文中,我们提出了一个关于含有多种钉扎中心的层状高温超导体在其单个钉扎中心的钉扎机制的理论,并讨论了具有两种钉扎中心的层状高温超导体的钉扎机制和临界电流密度.我们发现在强、弱钉扎中心之间存在着相互竞争,并解释了临界电流密度在低场区域随磁场增加而迅速降低的现象. 相似文献
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采用人工掺杂Y-211相的方法以及熔融织构生长结合顶部籽晶工艺制备了不同211粒子含量的 准单畴熔融织构的YBCO块材料,样品致密度高,体密度大于62g/cm3,机械强 度好,振动样品磁强计测量结果表明,样品在温度30K、磁场06T下,其Jc仍 达到123×106A/cm2.在温度70K、磁场2T条件下,Jc 仍高达135×104A/cm2,而且临界电流密度对磁场不敏感.扫描电 子显微镜分析也表明,Y-211相的人工掺杂,能改善织构样品的生长状况,减小微裂纹,同 时,掺杂的Y-211粒子能作为强的钉扎中心,因此,这种工艺能精确地控制样品中Y-211粒子 的含量,所制备的样品中Y-211粒子分布越均匀,尺寸越小,其钉扎效果越好.从大量实验结 果比较得出,1∶05是最佳的掺杂比例.
关键词:
准单畴超导体
熔融织构
c')" href="#">临界电流密度Jc
磁通钉扎中心 相似文献
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在55-78K的温度范围内,最大磁场为2.3T下,用VSM测量了含Y2BaCuO5颗粒的区域熔炼YBa2Cu3O6+x的磁滞回线。利用Bean模型计算了磁临界电流密度,发现Jc与外加磁场H有一普适关系。实验结果能用集体钉扎理论解释。我们同时发现Y2BaCuO5(211)颗粒在磁通钉扎中有很大作用,在较高增场下,随211相颗粒含量的增加,样品的Jc下降越缓慢。 相似文献
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为了研究超导材料中高温超导相颗粒的钉扎行为,在Ar气保护条件下,采用固相反应法制备了质量百分比为0,3,5和10%Bi2Sr2CaCu2O8含量的MgB2块状样品.用X射线衍射和扫描电子显微镜对样品进行了显微结构分析;用物理性能综合测试系统振动样品磁强计(最大磁场9T)测量了所有样品在不同磁场下的直流M(T)曲线,并测量了不同温度下的准静态磁化曲线,通过Bean临界态模型分析出Jc(H)曲线.随着掺杂量的增大掺杂后Tc基本不变,转变宽度略为增大;相比于未掺杂样品,掺杂量为3 wt%样品抗磁信号和临界电流密度有较大提高.显微结构分析结果表明,部分Bi2Sr2CaCu2O8分解为Cu2O和其它杂相,有部分Bi2Sr2CaCu2O8颗粒保留在样品内部,成为有效的钉扎中心.最后本文对超导体中的高温超导相颗粒的钉扎行为进行了分析. 相似文献
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磁通钉扎性能对GdBa2Cu3O7-δ超导块材的实际应用具有重要的影响, 而引入合适的第二相粒子可以改善GdBa2Cu3O7-δ 超导块材的磁通钉扎性能.本文采用顶部籽晶熔融织构法成功地制备出纳米微粒BaFe12O19(<100 nm)掺杂的超导块材, 样品的最终组分为Gd123+ 0.4 Gd211+ x BaFe12O19 (x=0, 0.2 mol%, 0.4 mol%, 0.8 mol%)+ 10 wt%Ag2O+ 0.5 wt%Pt. 通过研究不同掺杂量的BaFe12O19微粒对GdBa2Cu3O7-δ 超导块材微观结构和超导性能的影响, 结果表明当掺杂量为0.2 mol%时, 样品的临界电流密度几乎在整个外加磁场下都有明显的提高.在零场下, 临界电流密度达到5.5× 104 A/cm2. 纳米微粒BaFe12O19不仅可以保持掺杂前的化学组成, 作为有效的钉扎中心存在于超导块材中, 并且能够改善Gd2BaCuO5粒子的分布和细化Gd2BaCuO5粒子, 使Gd2BaCuO5粒子的平均粒径由未掺杂时的1.4 μ m减小到掺杂后的0.79 μ m, 进而提高了超导块材的临界电流密度和俘获磁场, 明显提高了GdBa2Cu3O7-δ 超导块材的超导性能.临界温度TC也有所提升, 并能够维持在92.5 K左右. 该结果为进一步研究纳米磁通钉扎中心的引入并改善GdBa2Cu3O7-δ 超导块材的性能有着重要的意义. 相似文献
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在较宽的温度(4.2-80K)和磁场(0-8T)范围内测量了YBa2Cu3O7-δ和Y0.9Eu0.1Ba2·Cu3O7-δ样品的磁滞回线和磁弛豫,研究了其M(t),Jc(T)和Ueff(J)关系,并与现有的一些理论模型所预言的结果进行了比较。结果表明:(1)与YBa2Cu3O7-δ相比,Y0.9Eu0.1·Ba2Cu3O7-δ样品的有效钉扎势和无磁通蠕动时的临界电流密度有明显提高,表明Eu的部分替代引入了新的、具有更大的钉扎势的钉扎中心;(2)与其它模型相比,集体钉扎——蠕动理论对我们的实验结果作了更好的描述,因而本文为这一理论提供了新的实验证据。
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