温差电效应及其应用

金属和半导体中存在电位差时产生电流,存在温差时产生热流。从电子论的观点来看,不论电流还是热流都与电子运动有关,故电位差、温度差、电流、热流之间会存在交叉关系,这就构成了温差电效应,又称热电效应。     

简易温差电效应演示仪制作

本文详细介绍了温差电现象的应用过程,并在实验教学中给予应用,给出了温差电效应演示仪的制作方法。     

边缘费米液体中的温差电效应

我们计算了边缘费米液体中的温差电系数，发现得到的理论表达式与ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ（δ＝０．５３和δ＝０．３５）上的正常态实验数据拟合得比较好。通过拟合我们得到了电荷和自旋激发与电子之间相互作用的有效耦合常数为０．６３３（对于δ＝０．５３）、０．６８５（对于δ＝０．３５），电荷和自旋激发的特征能量为１１４ｍｅＶ（对于δ＝０．５３）、１０６ｍｅＶ（对于δ＝０．３５）。我们还发现这些材料中的费米面非常     

灵敏电流计实验中的温差电效应

由于光点式灵敏电流计内部存在照明光源,系统很鸡避免温差,产生温差电流,从而引起光标附加偏转,本文以测量灵敏电流计常量和内阻为例,表明了温差电动势的存在,介绍了消除其影响的方法。     

非简并半导体中汤姆孙效应的量子统计表示

考虑到非简化半导体中载流子的能量是温度的函数，给出了非简并半导体中的汤姆孙系数，汤姆孙电动势和汤姆孙热的更附合实际的量子统计表示，揭示了半导体中汤姆孙效应的微观机理。     

温差电技术原理及在工科物理实验中的应用

简要介绍温差电技术的基本原理以及运用该原理设计、制作一些在工科物理实验中的装置。     

基于LABVlEW的温差半导体特性测量装置的研制

温差半导体作为一种新型的发电和制冷材料已经为人们所熟知,现有的温差半导体实验教学只能对半导体的特性进行简单的演示,无法进行定量的分析和计算,该装置基于LABVIEW通过第三方采集卡、温度传感器、电表以及温度控制器采集温差半导体制冷与发电的数据并进行分析处理,得出温差半导体的特性曲线和参数。该测量装置操作方便,可对温差半导体特性进行定量的分析和计算,有利于实验教学的改进。     

热电偶的温差电特性

利用UJ27c型直流电位差计,我们设计了一个用于热电偶测量的实验。中描述了电位差计实验中热电偶的温差电动势的测量、热电偶的温差电特性曲线以及实验的可行性及意义。     

温差电现象的进一步讨论

一般认为温差电动势与温差及导体的材料有关，与温度梯度无关。本文通过实验和理论两个方面证明了温差电动势与温度梯度也有关系。     

温差电偶参考端的温度补偿

本文对温差电偶的参考端提出一种温度补偿方法,使电偶的电动势不再受其参考端环境温度的影响,从而简化测温过程。本文并给出具体的补偿线路,以供读者选用。     

用温差电偶测量液体的比热容

利用温差电偶测量液体的比热容,既改进了传统的实验方法和仪器,又提高了实验的准确度和稳定性。     

半导体温差发电装置的性能研究

温差发电是一种绿色环保的发电技术, 它可以直接将热能转化为电能. 该技术具有体积小、 重量轻、 移 动方便和可靠性高等特点. 它可以利用太阳能、 地热能、 海洋温差、 余热和废热等热能进行能量的转换. 作为一种替 代选择, 温差发电技术具有巨大的潜力和良好的发展前景     

塞贝克效应与温差发电

 将两种半导体的一端结合在一起并使之处于高温状态(热端),而另一端开路且处于低温状态(冷端),则在冷端(T1)存在开路电压ΔV,这个效应称塞贝克效应。如图1所示。塞贝克电压ΔV与热冷两端的温度差ΔT成正比,即ΔV=αSΔT=αSΔ(T2-T1)(1)图1塞贝克效应其中αS称为塞贝克系数,其单位是V/K或μV/K。塞贝克系数由材料本身的电子能带结构决定的。     

半导体电热膜的性能及其应用前景

1半导体电热膜成膜及导电机理 1.1成膜机理 在SnCl4的水溶液中配入SbCl3的溶液,经雾化、高温(800℃～1000℃)分解,使其在基体(石英玻璃、陶瓷、微晶玻璃等)表面沉积,形成一层导电透明薄膜,反应如下     

多普勒效应对紫外吸收温差谱的影响

探讨了紫外吸收温差谱的形成,谱线加宽可能是其成因之一,不同的物质在不同的温度范围内其主导因素可能各异。分析了温度对多种谱线加宽的影响,并对多普勒效应致温差谱函数进行了理论推导。对于温差谱具有峰位不变和负峰等特征的一类物质,比如C₆₀和黄体酮等,得出的结果可对其给出很好解释,多普勒效应可能是这类物质紫外吸收温差谱形成的主要因素。     

电负反馈半导体激光器半经典理论

本文建立了电负反馈半导体激光器的半经典速率方程模型,导出此类激光器的FM噪声功率谱密度,从而证明电负反馈技术可压窄激光器线宽。在反馈带宽之内激光器的频偏功率比(CPR)减小(1+H)倍,而带宽以外则不受影响,因此这类激光器可用作直接调制FSK相干传输系统光源。由于激光器直接频率调制时相位延迟的限制,l/f型FM噪声是限制谱线压缩的主要因素。 关键词：     

硅基半导体多场耦合下的光传输及电调控特性分析

针对硅基半导体电光热多场耦合特性及电调控问题,引入泊松方程和载流子连续性方程来计算载流子输运过程的浓度分布,利用德鲁德-洛伦兹公式和K-K关系式考虑载流子浓度变化对于光折射率和吸收系数的影响,并根据电磁耗散求解热沉积项。通过对半导体基本方程、电磁波动方程和能量方程的耦合方程组进行有限元求解,模拟并分析了电光热三者耦合作用下硅基半导体介电属性及光传输行为随外加电压、载流子初始浓度、换热系数等影响因素的变化规律。研究指出了半导体P区表面反射光电场模随外加电压的降低而升高,随换热系数的增大而降低的规律。利用该机制给出了对反射光强空间分布进行电热调控的方案。     

温差电现象物理教学演示仪

利用半导体制冷片既可由温差产生电能输出又可由输入的电能制冷的原理,研制了可用于物理教学演示的温差电现象演示仪。