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1.
利用质量分离的低能离子束沉积技术,得到了非晶碳膜.所用离子能量为50—200eV,衬底温度从室温到800℃.在沉积的能量范围内,衬底为室温时薄膜为类金刚石,表面非常光滑;而600℃下薄膜主要是石墨成分,表面粗糙.沉积能量大于140eV,800℃时薄膜表面分立着高度取向的、垂直衬底表面、相互平行的开口碳管.用高分辨电子显微镜看到了石墨平面的垂直择优取向,离子的浅注入和应力是这种优先取向的主要机理.
关键词:
非晶碳
表面形貌
质量分离低能离子束 相似文献
2.
采用微区Raman散射分析方法研究化学气相沉积法制备的金刚石膜的横截面.金刚石膜从衬底面到生长面不同位置具有不同特征的Raman谱,依此对膜中的金刚石、石墨和非晶碳成分进行分析.衬底面附近区域对应金刚石膜生长过程的成核阶段,非晶碳成分含量较高,相应于1200—1600cm-1波段较大的散射强度和存在较强的荧光背底.膜厚增大,非晶碳成分中sp3结构成分首先减少,而sp2结构成分和石墨成分的减少相对缓慢.而生长面附近区域只有比较单纯的晶体金刚石
关键词: 相似文献
3.
采用微波等离子体化学气相沉积方法(microwave plasma chemical vapor deposition, MPCVD)在高沉积气压(34.5 kPa)下制备多晶金刚石,利用发射光谱(optical emission spectroscopy, OES)在线诊断了CH4/H2/O2等离子体内基团的谱线强度及其空间分布,并利用拉曼(Raman)光谱评价了不同O2体积分数下沉积出的金刚石膜质量,研究了金刚石膜质量的均匀性分布问题。结果表明:随着O2体积分数的增加,C2, CH及Hα基团的谱线强度均呈下降的趋势,而C2,CH与Hα谱线强度比值也随之下降,表明增加O2体积分数不仅导致等离子体中碳源基团的绝对浓度下降,而且碳源基团相对于氢原子的相对浓度也降低,使得金刚石的沉积速率下降而沉积质量提高。此外,具有刻蚀作用的OH基团的谱线强度却随着O2体积分数的增加而上升,这也有利于降低金刚石膜中非晶碳的含量。光谱空间诊断发现高沉积气压下等离子体内基团分布不均匀,特别是中心区域C2基团聚集造成该区域内非晶碳含量增加,最终导致金刚石膜质量分布的不均匀。 相似文献
4.
利用强流脉冲离子束技术在Si基体上快速大面积沉积类金刚石(DLC)薄膜.电压为250kV,束流密度为250A·cm-2,脉宽为80—100ns,能流密度为5J·cm-2的离子束(主要由碳离子和氢离子组成)聚焦到石墨靶材上,使石墨靶材充分蒸发和电离,在石墨靶的法线方向的Si基体上沉积非晶的碳薄膜.Raman谱分析显示,所沉积薄膜为类金刚石薄膜.随着靶材与基体之间距离的减小,薄膜中sp3碳成分含量增加,同时硬度值也有所增大,并且薄膜的摩擦系数和表面粗糙度增加.x射线光电子能谱(XPS)分析显示薄膜中的sp3碳
关键词:
强流脉冲离子束
类金刚石薄膜
XPSRaman谱分析 相似文献
5.
6.
分别采用具有和不具有弯曲弧磁过滤器的两种真空阴极弧离子镀方法,在不同工艺参量下制备了类金刚石碳膜.采用Raman光谱和X射线光电子能谱(XPS),分析了不同工艺参量下的类金刚石碳膜的键结构,通过对Raman光谱的D峰、G峰和C1s电子结合能峰位、强度的对比,详细讨论了沉积工艺参量对类金刚石碳膜结构的影响.研究发现,不同工艺下具有高强度D峰Raman光谱的类金刚石碳膜,其C1s电子结合能却分别位于284.15,285.50eV,表明高度石墨化和高度金刚石化两种状态类金刚石碳膜,都可以形成具有高强度D峰Raman光谱曲线
关键词:
类金刚石碳膜
Raman光谱
X射线光电子能谱 相似文献
7.
以CF4和C6H6的混合气体作为气源,在微波电子回旋共振化学气相沉积(ECRCVD)装置中制备了氟化非晶碳薄膜(aC:F),并在N2气氛中作了退火处理以考察其热稳定性.通过傅里叶变换红外吸收谱和紫外可见光谱获得了薄膜中CC双键的相对含量和光学带隙,发现膜中CC键含量与光学带隙之间存在着密切的关联,在高微波功率下沉积的氟化非晶碳膜具有低的光学带隙和较好的热稳定性.
关键词:
氟化非晶碳膜
光学带隙
退火温度
热稳定性 相似文献
8.
采用分子动力学(MD)模拟方法,从原子尺度上研究了离子束辅助沉积(IBAD)类金刚石(DLC)薄膜过程中离子束入射角对薄膜结构的影响.重点讨论了不同的离子束入射角所对应的薄膜表面模型,平均密度和sp3键含量.结果表明,离子束斜入射加强了入射原子的水平动能,从而加强了原子水平迁移;Ar离子斜入射时C原子迁移率均比垂直入射大,薄膜密度和sp3键含量都比垂直入射小.不同的离子束入射角随着到达比和入射能的变化,对薄膜结构的影响不同.离子束斜入射时可以得到不同结构的膜.
关键词:
类金刚石薄膜
入射角
离子束辅助沉积
分子动力学模拟 相似文献
9.
10.
采用原子力显微镜(AFM)、俄歇电子能谱(AES)和显微压痕分析等手段对射频等离子体增强化学气相沉积法制备的掺氮类金刚石(DLC:N)薄膜的微观结构和力学性能进行了研究.结果表明,随着含氮量的增加,DLC薄膜的AFM表面形貌中出现了几十纳米的颗粒,原子侧向力显微镜和AES分析表明这种纳米颗粒是x大于0.126的非晶氮化碳CNx结构.这种非晶DLC/CNx的纳米复合结构,减小了薄膜的内应力,从而提高了薄膜与衬底的附着力.
关键词:
类金刚石碳膜
微观结构
附着特性 相似文献
11.
通过对Al2O3陶瓷衬底进行碳离子预注入,大大降低了Al2O3陶瓷衬底上金刚石薄膜的应力,且金刚石薄膜中的压应力随碳离子注入剂量的增加而线性下降.通过对Al2O3陶瓷衬底注入前后的对比分析表明,高能量的碳离子注入Al2O3陶瓷衬底以后,并没有产生过渡层性质的新相,而是大量累积在Al2O3晶格的间隙位,使Al2O3晶格发生畸变.而且,随着碳离子注入剂量的增加,Al2O3基体内晶格畸变加剧,注入层残余压应力也随之上升.当金刚石薄膜沉积以后,在降温的过程中衬底这部分残余应力得到释放,从而部分弛豫了金刚石薄膜中的
关键词:
金刚石薄膜
应力
离子注入
Al2O3陶瓷 相似文献
12.
13.
在0.6keV Ar+高剂量(~1022/cm2)辐照石墨表面,借助于高分辨透射电子显微镜(HRTEM),发现有六方金刚石纳米晶产生.它们的平均直径介于1—50nm之间,而且晶粒个数约随其直径的增大而直线减少.有趣的是,晶粒具有两种结构模式:直径小于10nm的晶粒为单晶结构,而直径大于10nm的为多晶结构.基于受离子轰击过程特点制约的六方金刚石晶粒成核和成长观点,讨论了这种双重结构的形成性质.
关键词:
离子轰击
六方金刚石纳米晶 相似文献
14.
系统研究了磷离子注入并在不同温度退火后的纳米金刚石薄膜的微结构和电学性能.研究表明,当退火温度达到800 ℃以上时,薄膜呈良好的n型电导.Raman光谱和电子顺磁共振谱的结果表明,薄膜中金刚石相含量越高和完整性越好,薄膜电阻率越低. 这说明纳米金刚石晶粒为薄膜提供了电导.1000 ℃退火后,薄膜晶界中的非晶石墨相有序度提高,碳悬键数量降低,薄膜电阻率升高.薄膜导电机理为磷离子注入的纳米金刚石晶粒提供了n型电导,非晶碳晶界为其电导提供了传输路径.
关键词:
纳米金刚石薄膜
n型
磷离子注入 相似文献
15.
Applying a proper negative bias-voltage onto the substrate, on which diamond lilm is deposited by chemical vapor deposition technique, can greatly improve the nucleation density. While nucle-ation enhancing, both the ion bombardment and electron emission may play an important role sepa-rately. However, for the highest nucleation density, both of the two effects must act together. 相似文献
16.
离子辅助沉积氧化物薄膜的光学特性 总被引:1,自引:1,他引:0
考察了不同离子、离子能量、离子束流密度等制备参数对离子辅助沉积的TiO_2、ZrO_2和SiO_2薄膜的折射率、吸收和激光损伤阈值等光学特性的影响。 相似文献
17.
18.
Electrical and structural properties of diamond films implanted by various doses of oxygen ions 下载免费PDF全文
Oxygen-doped diamond films are prepared by implanting various dose
oxygen ions into the diamond films synthesized by hot filament
chemical vapour deposition, and their electrical and structural
properties are investigated. Hall effect measurements show that
lower dose oxygen ion implantation is beneficial to preparing n-type
diamonds. The carrier concentration increases with the dose
increasing, indicating that oxygen ions supply electrons to the
diamonds. The results of AES spectrum indicate that oxygen ions are
doped into the diamond films, and the O-implanted depth is around
0.1μm. Raman spectrum measurements indicate that the lower
dose oxygen ion implantation at 1014cm-2 or 1015cm-2 is favourable for producing less damaged O-doped
diamond films. 相似文献
19.
This paper presents a study on polycrystalline diamond (PCD) polished by dynamic friction polishing (DFP) with the aid of advanced dual beam FIB (focused ion beam) microscopy. After disclosing a variety of wear tracks by DFP using electron imaging in combination with the ion channelling effect, a dual beam FIB was successfully employed at wear track sites to specifically create both the large cross-sectional specimen for microanalysis and thin foil for nanoanalysis. The study concluded that the polished PCD subsurface was free from microscale cracking. However, the attached debris layer on the top surface contained metal oxides and non-diamond carbon phase with inhomogeneous distributions of C, Fe, Cr, Ni, Si and O across the layer. An attached layer directly above a diamond grain was composed of essentially amorphous carbon, suggesting that a direct phase transformation from diamond crystalline to amorphous occurred during DFP. 相似文献