酸性镀铜及表面镀（涂）覆工艺

镍，元素符号Ni，原子量58．7，密度8．88g／cm^3，Ni^2 的电化当量1．095g／AH。     

酸性蚀刻液工艺报告

为配合国内PCB产业的飞速发展而开发的HCL／NaClO3再生型酸性蚀刻系统。随着PCB产量的提升、产品的精密度越来越高、安全生产日益重要、环保的要求越来越苛刻,传统的HCL／H2O2再生型酸性蚀刻系统逐渐不能满足PCB产业的需求和环保要求,我司的HCL／NaClO3的酸性蚀刻系统具有更安全、环保、低酸度、低成本、蚀刻速度快、侧蚀小等诸多优点。     

PCB酸性镀锡工艺研究

本文概述了一种可应用于PCB行业中的酸性镀锡工艺,测试了工作液及镀层的相关性能,并简要概述一种提高锡层可焊性的方法。     

高厚径比小孔镀工艺参数选择

一、概述 随着电子计算机运算速度的迅速增加,高密度电子组件应运而生,从而促进了表面安装技术(SMT)的迅速发展;而SMT在电子工业上的应用,又鞭策了多层印制线路板(MLB)向着精细导线、高密度、多层次、大面积、小孔化发展。于是,一般的印制板电镀工艺技术已不能满足高档多层板制作需要。在这种情况下,高厚径比(板厚/孔径≥5,且孔径φ≤0.5mm)MLB小孔镀技术在国外迅速发展,并日趋完善。根据《印制电路制造》(PC FAB)资料介绍,MLB的前沿工艺。     

浅析电镀工艺对渗镀影响

近几年来,线路板印刷在单位面积内线路密度越来越大,线宽越来越精细。渗镀对这类线路影响最至命,一旦有渗镀就会产生短路,短路直接影响成品合格率。渗镀产生主要原因有:图形转移工序贴膜前处理、贴膜前温度、贴膜压力、曝光能量。本文从电镀工艺中分析导致渗镀的原因:镀铜前处理、电镀锡缸阴阳面积比。     

InSb元件表面镀抗反射保护膜工艺

一、前言InSb(锑化铟)元件表面镀制抗反射保护膜层,其好处大概可以归纳为以下四个方面: 1.降低元件表面的反射损失,提高元件的探测能力。     

高反膜镀制工艺研究的新进展

叙述了近几年国内外的研究进展,包括高反膜几种不同的制备工艺,如电子柬蒸发沉积、离子束辅助沉积、离子束溅射沉积和溶胶-凝胶沉积法等,分析了各种制备方法及工艺的特点;针对高反膜的抗激光损伤阈值低从而影响激光器输出功率的问题,讨论了提高损伤阈值的途径;最后归纳了各种制备工艺的优缺点,并探讨了进一步提高薄膜反射率的可能性。     

Cu镀Au腔体气密性封装工艺研究

Cu镀Au腔体是微波器件常用封装载体之一。在目前应用中,Cu镀Au腔体微波器件的气密性封装一直是工程化技术难题,大幅影响了微波器件的可靠性和使用寿命。对基于Cu镀Au腔体的微波器件进行了气密性封装研究,探讨了Cu镀Au腔体实现气密性封装可能的工艺路线。通过比较激光封焊和真空钎焊等传统气密性封装工艺方法,提出了＂小孔密封...     

硅二极管引线镀锡工艺及镀液维护

该文针对影响硅二极管引线镀锡质量问题，以镀锡工艺及镀液维护进行了研究探索，选择了酸性光亮剂镀锡工艺及其相应的镀液维护方法，经技术检测和生产实践证明；采用该工艺生产硅二极管，不但产品质量好，而且有较大的经济效益。     

热镀锌工艺中助镀剂温度监控系统设计

为了实现热镀锌工艺中,对助镀剂温度的实时监测和控制,设计了一种基于单片机的温度监控系统。系统以AT89S52单片机为控制核心,利用新型一线制温度传感器DS18820测量温度值,用液晶显示器LCD1602显示并实现助镀剂温度的监控和报警处理。根据工程需要设定测温范围为60-70℃,测量精度为0．5℃。用户可以自定义报警上、下限,一旦温度超过极限值,单片机便启动蜂鸣器报警及继电器执行电路。实践证明该系统精度高、报警及时、工作稳定、成本低,有较好的实用价值。     

铝合金化学镀Ni-P合金层退镀工艺探讨

介绍了一种化学镀Ni-P合金层的退镀溶液配方，对Ni-P合金层退镀液对金属基体的腐蚀量进行了测定，并对退镀反应的机理进行了初步的探讨。     

FSI国际在上海宣布推出全新PlatNiStrip^TM镍铂薄膜工艺镍铂薄膜工艺

目前，FSI国际有限公司在上海宣布推出一项新的研发成果，这项新的镍铂去除工艺旨在帮助集成电路制造商在65nm技术节点实现自我对准金属硅化物的形成。FSI使用其ZETA喷雾式清洗系统开发出了这项PlatNiStrip^TM工艺，并且与领先的集成电路制造商合作，在65nm试验线设备上对该工艺进行了验证。这项低成本的工艺可以在标准的ZETA系统上采用行业环准的化学品实现。     

硅二极管引线镀锡工艺及镀液维护

该文针对影响硅二极管引线镀锡质量问题，对镀锡工艺及镀液维护进行了研究探索，选择了酸性光亮剂镀锡工艺及其相应的镀液维护方法，经技术检测和生产实践证明；采用该工艺生产硅二极管，不但产品质量好，而且有较大的经济效益。