LnP5O14晶体中Tb3+和Eu3+的发光光谱特性

本工作测量了室温下TbP₃O₁₄和EuP₅O₁₄晶体的吸收和发射光谱。根据吸收光谱和Judd-Ofelt理论计算了Tb³⁺和Eu³⁺的实验和理论的振子强度。用最小二乘法拟合实验与理论的振子强度得到唯象强度参量Ω_λ。然后计算了Tb³⁺的⁵D₃→⁷F₅,⁵D₄→⁷F₄和⁵D₄→⁷F₆以及Eu³⁺的⁵D₀→⁷F₂,⁵D₀→⁷F₄的跃迁几率和寿命。同时用时间分辨光谱测量了不同温度下相应的荧光辐射寿命。计算与实验结果基本相符。理论和实验的结果表明Tb³⁺的⁵D₃态的寿命主要取决于⁵D₃→⁵D₄和⁷F₆→⁷F₀两能级对之间的电偶极-电偶极交叉弛豫。 关键词：     

Tb3+,Eu3+单掺杂、双掺杂SrSiO3的合成、结构表征与发光性能

采用液相沉淀法合成了铽单掺杂,铕单掺杂,铽、铕双掺杂的硅酸锶发光材料。其结构经X-射线衍射表征。研究了合成样品的激发、发光光谱。研究结果表明:在254nm波长紫外光激发下,SrSiO₃:0.04Eu³⁺的发光光谱中出现4个Eu³⁺的发光峰,分别为Eu³⁺的⁵D₀→⁷F₁（588、590nm）、⁵D₀→F₂（609nm）、⁵D₀→⁷F₃（626nm）、⁵D₀→⁴F₄（651nm）跃迁峰;SrSiO₃:0.04Tb³⁺的发光光谱中出现4个Tb³⁺的发光峰,分别为Tb³⁺的⁵D4→^F₆（488nm）、⁵D₄→⁷F₅（541、548nm）、⁵D₄→⁷F₄（584nm）跃迁峰;SrSiO₃:0.04Tb³⁺,0.04Eu³⁺发光体系中,Tb³⁺的共掺杂显著增强了Eu³⁺的特征发射,存在Tb³⁺→Eu³⁺的能量传递现象,结果表明有Eu³⁺和Tb³⁺两个发光中心。     

Eu掺杂Si纳米线的光致发光特性

利用Si(111)衬底, 以Au-Al为金属催化剂, 基于固-液-固生长机理, 在温度为1100℃, N₂气流量为1.5 L/min、生长时间为30–90 min等工艺条件下, 制备了直径约为100 nm、长度为数微米的高密度、均匀分布、大面积的Si纳米线(～10¹⁰ cm^-2). 对Si纳米线进行了Eu掺杂, 实验研究了不同长度的Si纳米线以及不同掺杂温度、掺杂时间等工艺参数对Eu离子红光发射的影响, 利用扫描电子显微镜和X射线衍射仪对Si纳米线表面形貌和Eu掺杂后Si纳米线的结晶取向进行了测量和表征; 室温下利用Hitachi F-4600型荧光分光光度计对样品的激发光谱和发射光谱进行了测试和分析. 结果表明: 在Si纳米线生长时间为30 min、掺杂温度为1000℃、 最佳激发波长为395 nm时, 样品最强荧光波长为619 nm (⁵D₀→⁷F₂); 同时, 还出现了576 nm (⁵D₀→⁷F₀), 596 nm (⁵D₀→⁷F₁), 658 nm (⁵D₀→⁷F₃)和708 nm (⁵D₀→⁷F₄)四条谱带.     

近紫外激发具有颜色可调的Er3+/Eu3+共掺BiOCl荧光粉

本文采用固相法在500℃合成了Er³⁺/Eu³⁺共掺BiOCl 荧光粉, 并通过XRD, SEM, 吸收, 激发和发射光谱研究了其结构、形貌和发光特性. XRD 和SEM结果表明在500℃下即可成功合成纯四方相片层结构的Er³⁺/Eu³⁺共掺BiOCl荧光粉. 吸收光谱表明掺杂Er³⁺/Eu³⁺离子使BiOCl形成杂质能级; 激发光谱显示该荧光粉具有来自于基质BiOCl价带(VB)到导带(CB)跃迁的优异宽带近紫外激发特性. 在380 nm近紫外光激发下, 同时获得了Er³⁺离子和Eu³⁺离子的特征发射峰, 其中发光中心位于410 nm (²H_9/2→⁴I_15/2), 525 nm (²H_11/2→⁴I_15/2), 554 nm (⁴S_3/2→⁴I_15/2), 673 nm (⁴F_9/2→⁴I_15/2)的发射峰来自于Er³⁺离子的跃迁, 而581 nm(⁵D₀→⁷F₀), 594 nm (⁵D₀→⁷F₁), 622 nm (⁵D₀→⁷F₂), 653 nm (⁵D₀→⁷F₃), 699 nm (⁵D₀→⁷F₄)的发射峰则来自于Eu³⁺离子的跃迁. 值得注意的是, 与传统Er³⁺/Eu³⁺掺杂的材料不同, 该荧光粉还具有独特高效的紫光(Er³⁺)和长波红光(Eu³⁺)发射特性, 分析表明这与BiOCl的结构有关; 并且通过改变掺杂浓度, 实现了发光颜色由黄绿光→黄光→橙红光的调节. 研究结果表明Er³⁺/Eu³⁺共掺BiOCl荧光粉有望成为一种潜在的近紫外激发白光LED荧光粉.     

绿色荧光粉NaCaPO4：Tb3+的制备与发光特性

采用高温固相法合成了适用于UVLED芯片激发的NaCaPO₄:Tb³⁺绿色荧光粉并对其发光性质进行了研究。该荧光粉的发射峰位于418,440,492,545,586,622nm,分别对应Tb³⁺的⁵D₃→⁷F₅、⁵D₃→⁷F₄、⁵D₄→⁷F₆、⁵D₄→⁷F₅、⁵D₄→⁷F₄、⁵D₄→⁷F₃能级跃迁。其中位于492,545nm的发射峰最强,样品发射很好的绿光。主要激发峰位于380~400nm之间,属于4f→4f电子跃迁吸收,与UVLED芯片的发射相匹配。考察了Tb³⁺掺杂浓度和Li⁺,Na⁺和K⁺作为电荷补偿剂对样品发光性能的影响:Tb³⁺的最佳掺杂浓度为10%,以Li⁺的补偿效果最好。NaCaPO₄:Tb³⁺是一种适用于白光LED的绿色荧光材料。     

二氧化锆纳米材料中Eu3+的发光特性

研究了掺1mol%Eu³⁺的二氧化锆纳米材料随退火温度变化的发光性质，得到退火温度为600和800℃的样品中Eu³⁺的⁵D₀→⁷F₂发射在604nm处，这种现象不多见. 几种经不同退火温度处理的纳米材料样品在紫外光的照射下，稀土离子Eu³⁺的⁵D₀→⁷F₂发射的发光逐 关键词： 二氧化锆 纳米材料 3+')" href="#">Eu³⁺ 发光     

TmP5O14晶体的上转换发光的研究

报道室温下TmP₅O₁₄晶体在脉冲DCM染料激光激发下产生的紫外和深紫色上转换发光现象.测量发现在300—500nm波长范围内主要有两组上转换荧光,一是较强的¹D₂→³H₆,³F₄的360和450nm的双光子荧光,另一是¹I6→³F₄的347nm的三光于荧光,发现了由 关键词：     

ZnAl2O4：Tb3+荧光粉的合成、结构及其光学性能研究

通过溶胶-凝胶法制备出不同Tb³⁺掺杂浓度和不同二次煅烧温度下的ZnAl₂O₄:Tb³⁺荧光粉, 并利用X射线衍射(XRD)和荧光光谱等对样品进行了表征。由XRD结果可知,当Tb³⁺掺杂的摩尔分数不大于9%,二次煅烧温度在600℃以上时,所得粉体为结晶性良好的尖晶石相。在紫外光激发下,ZnAl₂O₄:Tb³⁺荧光粉的发射光谱由位于488 nm(⁵D₄→⁷F₆)、542 nm(⁵D₄→⁷F₅)、587 nm(⁵D₄→⁷F₄ )和621.5 nm(⁵D₄→⁷F₃)的4个发射峰组成。研究发现,Tb³⁺的掺杂浓度和二次煅烧温度对样品发光强度有着重要影响,当Tb³⁺的摩尔分数为5%,二次煅烧温度为900℃时,ZnAl₂O₄:Tb³⁺荧光粉的发光最强,继续增加Tb³⁺掺杂浓度或提高煅烧温度,分别会出现浓度猝灭和温度猝灭现象。     

白光LED用红色荧光粉Sr2EuxGd1-xAlO5的制备及其发光性质

用高温固相反应法合成了Sr₂Eu_xGd_1-xAlO₅红色荧光粉,研究了荧光粉的晶体结构和发光性质。在紫外光和近紫外光激发下,样品的发射光谱由Eu³⁺的⁵D₀→⁷F_J(J=0,1,2,3,4) 特征发射组成,其中Eu³⁺离子的⁵D₀→⁷F₁(λ=590 nm)和⁵D₀→⁷F₂(λ=622 nm)跃迁发射的强度最大。当Eu³⁺离子的摩尔分数为 0.75时,样品的发光最强。研究结果表明,Sr₂Eu_xGd_1-xAlO₅荧光粉是一种在近紫外芯片白光LED上有应用前景的红光荧光粉。     

绿色发光粉CaBa2(BO3)2 ∶ Tb3+的 制备和发光特性

采用高温固相法合成了绿色荧光粉CaBa₂(BO₃)₂ ∶ Tb³⁺ 并对其发光特性进行了研究。发射峰值位于496, 549, 588, 622 nm,分别对应Tb³⁺的⁵D₄ →⁷F₆、⁵D₄ →⁷F₅、⁵D₄ →⁷F₄、⁵D₄ →⁷F₃ 能级跃迁。其中以496 nm和549 nm的发射峰最强,样品呈现很好的绿色发光。 主要激发峰位于200~300 nm之间,属于4f⁷5d¹宽带吸收。考察了Tb³⁺掺杂 浓度和Li⁺ , Na⁺ 和 K⁺ 作为电荷补偿剂对样品发光性能的影响,几乎不发生浓度猝灭现象,Li⁺的补偿效果最好。还确定了原料CaCO₃、BaCO₃、H₃BO₃的最佳配比,当H₃BO₃过量3%时,合成的晶体发光亮度最好。     

SryBa1－yFCl0.5Br0.5:Sm2+在光谱

本文对无机光谱烧孔系列材料SryBa1－yFCl0.5Br0.5:Sm2+中不同组份的样品(y=0,0.25.0.5,0.75.1.00)4f5d能带的激发光谱、不同温度下5D2、5D1、5D0→7F0跃迁的荧光衰减进行了测量,研究了组份的变化对4f5d能带的位置,5D2、5D1、5D0→7F0跃迁的几率和烧孔效率的影响,并得出结论:在该系列材料中,随组份y的增加,4f5d带与5DJ能级更加接近,5D0→7F0的电子跃迁几率增大,烧孔效率提高。     

三价铕离子配合物的激光光谱研究

利用高灵敏度的时间辨激光光谱技术研究了在配位场作用下Ｅｕ＾３＾＋的直接激发与发特性。Ｅｕ＾３＾＋的直接激发光谱（特别是７Ｆ０－５Ｄ０的超灵敏跃迁）及其发射光谱随不同的配合物的变化，同时观测到与配位对称性及配位强度有联系的７Ｆ１－５Ｄ０磁偶极跃 迁的分裂。在对７Ｆ０－５Ｄ０跃迁共振与非共振的１０ｐｓ激光脉冲的激励下，都可以立即观察到５Ｄ０－７ＦＪ（Ｊ＝２，３，４）的发射，说明Ｅｕ＾３＾＋的５Ｄ０能态     

BaFClxBr1－x:Sm2+中5D2→7F0跃迁几率及其对烧孔效率的影响

本文以BaFClxBr1－x:Sm2+中5D2→7F0的跃迁几率随x变化为中心对BaFClxBr1－x:Sm2+体系4f5d带的激发光谱、5D2→7F0跃迁的荧光衰减随温度的变化特性、5D2→7F0的跃迁几率等进行了研究。从而得出结论:在BaFClxBr1－x:Sm2+中,随Br含量的增大,4f5d带与5D2能级更加接近,使7F0→5D2的吸收截面增大,从而可能提高在5D2:能级烧孔的效率。     

SBN晶体中Eu~(3+)激发态~5D_0的无辐射跃迁

通过测量~5D_0→~7F_2发射带的荧光寿命与晶体温度的依赖关系,研究了Eu~(3+)激发态~5D_0的无辐射跃迁.结果表明,~5D_0→~7F_2带的温度淬灭效应主要是由于电荷转移态的最低能量太低,~5D_0态易被热激活至电荷转移,然后通过电荷转移无辐射弛豫至~7F_2态.     

Efficient two-photon sensitized luminescence of europium （Ⅲ） complex based on hypersensitive transitions

Red frequency-upconversion fluorescence emission is observed in europium(Ⅲ) complex with encapsulating polybenzimidazole tripodal ligands, pumped with 930- and 1070-nm picosecond laser pulses. The lumines- cence of transition 5D0 →7F2 (612 nm) is induced by two-photon absorption of hypersensitive transitions 7F0 →5D2 (465 nm) and 7F1 →5D1 (535 nm). Analysis results suggest that the two-photon excitation strength of these hypersensitive transitions is increased dramatically owing to the C3 symmetry of the coordination field.     

Na5Eu(WO4)4单晶的光学性质研究

本文测定了Na5Eu(WO4)4单晶的吸收光谱,荧光寿命和荧光分支比,并计算了5D0→7FJ,的辐射跃迁几率、量子效率和发射截面。     

BaWO4∶Eu3+红色荧光粉的水热制备及其发光性能

采用水热法,通过变化水热反应时间制备出不同的BaWO₄∶Eu³⁺样品,利用XRD和SEM分析了样品的晶体结构和表面形貌,研究了基质晶体生长取向对BaWO₄中Eu³⁺离子特征发射的影响。实验结果表明:BaWO₄∶Eu³⁺样品在395 nm近紫外光或464 nm蓝光激发下发射578,592,612 nm的红光,其中612 nm(⁵D₀→⁷F₂)发射强度明显高于592 nm (⁵D₀→⁷F₁)。在水热温度160 ℃的情况下,所制备的样品均为四方相,不同的水热反应时间将影响晶体在各晶向的生长速度,进而影响晶体的对称性和发光性能。水热时间为10 h时的发射强度最大。     

NaYF4∶Eu3+, Tm3+, Yb3+材料中Stokes和反Stokes发光研究

合成了Eu3+,Tm3+和Yb3+掺杂的NaYF₄材料。360 nm光激发呈蓝色发光,峰值位于452 nm,对应Tm3+的1D₂→3F₄跃迁;395 nm光激发呈橙色发光,峰值位于591 nm,对应Eu3+的5D₀→7F₁跃迁;409 nm光激发呈红色发光,峰值位于613 nm,对应Eu3+的5D₀→7F₂跃迁;980 nm光激发呈蓝色和红色发光,发光峰位于474和646 nm。蓝光来源Tm3+的1G₄ →3H₆跃迁,红光来源Tm3+的1G₄→3F₄跃迁。在双对数曲线中,蓝光474 nm和红光646 nm的斜率分别为2.1和2.4,在980 nm光激发下,蓝光和红光发射都是双光子过程。还研究了材料的吸收光谱,并利用X射线衍射,扫描电镜测试了材料的物相结构和微观形貌。结果表明：NaYF₄∶Eu3+, Tm3+, Yb3+材料具有较规则的六方相结构,结晶良好。     

Eu3+掺杂5Li2O-1Nb2O5-5TiO2发光陶瓷的制备及性能研究

以Li2CO3、Nb2O5、TiO2和Eu2O3为原料,采用固相法制备Eu3+掺杂的5Li2CO3-1Nb2O5-5TiO2(LNT)发光介质陶瓷.通过密度、XRD和荧光光谱测试,对0.2%(质量分数)Eu2O3掺杂的陶瓷片进行性能表征.结果表明:1 120 ℃烧结致密的陶瓷片,其晶相结构为"M-相"与Li2TiO3两相复合构成;在400 nm的近紫外光激发下,样品有较强的橙光(592 nm)和红光(615 nm)发射,分别属于Eu3+的5D0→7F1的磁偶极跃迁和5D0→7F2的电偶极跃迁.     

纳米Gd2O3:Eu3+中Judd-Ofelt参数的实验确定

报道用Judd-Ofelt理论研究立方相纳米晶Gd2O3:Eu3+材料在77K下的光谱性质.以几乎不受周围晶场环境影响的5D0→7F1跃迁为参考，利用5D0→7F2和5D0→7F4跃迁，从实验上确定强度参数Ωλ(λ＝2，4).发现纳米Gd2O3:Eu3+材料晶场强度参数Ωλ随纳米晶粒径的变化而改变,与体材料相比有显著的不同.随微晶粒径减小，发射能级5D0的寿命变短、量子效率降低.这是因为微晶粒径越小，量子限域效应越强，表体比越大，在无序体调制的表面上表面缺陷作用增强而引起的.对电荷(Eu3+-O2-)迁移态和多声子过程另外两种无辐射通道也进行讨论. 关键词： 纳米Gd2O3:Eu3+ 强度参数 辐射与无辐射弛豫 量子效率