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多孔硅发光峰温度行为的研究 总被引:3,自引:0,他引:3
实验研究了多孔硅(Porous Silicon)光致发光峰随测量温度的变化,发现发光峰位随温度的移动与发光峰的能量有关。随温度升高,发光峰波长较长的样品它们的发光峰都移向高能,面发光峰能量较高的样品它们的发光峰都移向低能,发光峰波长位于740nm附近的样品,它们的发光峰与测量温度无关。对上术结果的起源作了讨论。 相似文献
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多孔硅发光机理的新探索 总被引:4,自引:0,他引:4
自从90年代初次发现多孔硅发射可见光的现象以来,人们在其发光机理和可能的技术应用上作了许多工作,而发光机理则是开发实用器件的重要前提,该文在对当前研究动态作介绍之后,分析了一个涉及载流子在约束态和表面态之间转移的综合的多孔硅发光模型,并在研究固态接触的多孔硅发光二极管结构的瞬态特性之后,提出了载流子注入,约束和复合机理的定性假设。 相似文献
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在制备出光致发光能量为2.7eV的发射蓝光多孔硅的基础上对它进行了较系统的研究:测量了它的光致发光时间分辨光谱,用傅里叶交换红外光谱分析了其表面吸附原子的局域振动模,研究了γ射线辐照对其发光的影响,并与发红、黄光的多孔硅作了对比,通过空气中长期存放、激光和紫外线照射的方法,研究了光致发光峰能量为2.7eV的多孔硅发光稳定性.我们及其它文献中报道的多孔硅蓝光发射的实验结果与量子限制模型矛盾,但能用量子限制/发光中心模型解释.我们认为多孔硅的2.7eV发光是多孔硅中包裹纳米硅的SiOx层中某种特征发光中心引起的.
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在微秒范围内测量了多孔硅的光致发光衰减,研究了衰减参数与发光波长、样品制备条件的关系,发现衰减参数与发射波长有关,但不依赖于样品制备条件。用发光三层模型解释了实验结果。 相似文献
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用电化学腐蚀法制备出多孔硅系列样品.室温下具有明亮可见的光致发光.增大电解电流或延长腐蚀时间,发光光谱明显地“蓝移”;提高样品测量温度,发光光谱也明显地“蓝移”。红外吸收光谱表明多孔硅中除了硅丝骨架以外,还含有H、F及O等元素,随着腐蚀时间的增加,F和O原子的相对含量增加.实验结果表明,多孔硅在可见光区的发光现象是一种量子尺寸效应. 相似文献
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多孔硅激光染料镶嵌膜的荧光光谱研究 总被引:3,自引:0,他引:3
本文对以多孔硅为载体,镶嵌激光染料形成复合膜的光致发光进行了研究,比较了镶嵌膜与其他不同状态下染料发光的差异,发现镶嵌染料荧光光谱线型较其他状态下明显趋于对称,同时考察了衬底情况的改变对镶嵌膜发光的影响。通过对实验结果的分析指出,这种硅基镶嵌膜中的染料的发光主要来自单体的荧光发射。 相似文献
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利用原子力显微镜(AFM)和光致荧光(PL)光谱对一系列直流腐蚀和脉冲腐蚀的多孔硅的微结构及发光特性进行了对比研究.表面和侧面的AFM结果表明,多孔硅表面呈“小山”状,有许多小的、突出的硅颗粒.在相同的腐蚀条件(等效)下,脉冲腐蚀的样品表面Si颗粒更加尖锐、突出,侧面的线状结构更明显,多孔硅层更厚.对应的PL谱,脉冲腐蚀的样品发光更强.量子限制效应的理论可以比较成功地解释这个结果
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氧化处理多孔硅的光致发光和发光衰减 总被引:3,自引:3,他引:3
用沸硫酸对多孔硅进行了处理,测量了它们的红外吸收光谱、光致发光光谱和发光衰减.对氢、氧的作用进行了讨论,发现氧的加入可使发光强度增加两个数量级,发光衰减变快.用三层发光模型对结果进行了讨论. 相似文献
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离子注入对多孔硅可见光发射特性的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
本文在前期对多孔硅发光机理研究的基础上,研究了离子注入对多孔硅光致发光的影响.实验表明离子注入除了可以降低多孔硅光致发光的强度外,还将使多孔硅的光致发光光谱谱峰产生蓝移、半高宽展宽,并在多孔硅发光谱带中产生一些发光减弱区和次峰结构.文中最后对实验现象做了解释. 相似文献