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采用有机小分子TBPe(2,5,8,11-tetratertbutylperylene)以不同比例掺入MEH-PPV(poly[2-methoxy-5-(2-ethylhexyloxy)-1,4-phenylenevinylene])作为发光层,研究了TBPe不同掺杂比例对器件性能的影响,进而对发光强度进行优化。对于所制备的ITO/PEDOT∶PSS/MEH-PPV/TBPe/Al有机电致发光器件,TBPe的最优蒸镀厚度为0.5 nm,其发光强度相对于标准器件提高了325%。ITO/PEDOT∶PSS/MEH-PPV∶TBPe/TBPe/Liq/Al有机电致发光器件的最优掺杂比例为MEH-PPV∶TBPe=100∶30(质量比),其发光亮度相比于未掺杂器件提高了44%。在上述器件的基础上增加Alq3层提高电子注入,分别制作了Liq和LiF作为修饰层的ITO/PEDOT∶PSS/MEH-PPV∶TBPe/TBPe/Alq3/Liq/Al和ITO/PEDOT∶PSS/MEH-PPV∶TBPe/TBPe/Alq3/LiF/Al多层器件,发光亮度分别达到4 162 cd/m2和4 701 cd/m2。所有器件的电致发光波长均为580 nm,为MEH-PPV的发光,TBPe的掺杂对MEH-PPV的发光起到了增强作用。 相似文献
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针对新型芴类小分子材料6,6′-(9H-fluoren-9,9-diyl)bis(2,3-bis (9,9-dihexyl-9H-fluoren-2-yl) quinoxaline) (BFLBBFLYQ)和空穴传输材料N,N′-biphenyl-N,N′-bis-(3-methylphenyl)-1, 1′-biphenyl-4,4′-diamine(TPD)及二者混合体系的荧光光谱和吸收光谱进行了测试表征,制备了结构为indium-tin oxide (ITO)/BFLBBFLYQ∶TPD/Alq/Mg∶Ag的双层有机电致发光器件。研究发现,BFLBBFLYQ∶TPD混合薄膜存在一个不同于单独分子薄膜的低能量发射光谱,发光峰在530 nm处,与tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum(Alq)薄膜的荧光光谱相同,亦与结构为BFLBBFLYQ∶TPD/Alq双层器件的电致发光光谱相同。鉴于荧光染料4-(dicyanomethylene)-2-tert-butyl-6(1,1,7,7-tetramethyljulolidyl-9-enyl) -4H-pyran(DCJTB)的吸收光谱与Alq的荧光光谱有很好的重叠,利用Forster能量传递理论,将DCJTB红色染料引入双层器件,通过调节掺杂位置,考察器件的发光光谱情况,进而对BFLBBFLYQ∶TPD/Alq双层器件的载流子复合区域进行了研究。结果表明,双层器件的载流子复合区域位于BFLBBFLYQ∶TPD/Alq界面附近的Alq层内。 相似文献
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采用对比使用掺杂系统的有机电致发光器件(OLEDs)在不同偏置电压下电致发光(EL)光谱的方法,观察了主体材料8-hydroxyquinoline aluminum(Alq3)中掺杂红色荧光染料4-(Dicyanomethylene)-2-t-butyl-6-(1,1,7,7-tetramethyljulolidyl-9-enyl)-4Hpyran(DCJTB)发射光谱的变化,研究了偏置电压对掺杂系统中载流子复合区域的影响。另外,通过对比采用不同主体材料的掺杂系统的电致发光(EL)和光致发光(PL)光谱,讨论了主体材料Alq3和N,N′-diphenyl-N,N′-bis(1-naphthyl)(1,1′-biphenyl)-4,4′-diamine(NPB)不同的掺杂效果。结果表明,随着偏置电压的增大,使用掺杂系统的器件中载流子复合区域逐渐向空穴传输层(HTL)移动,作为主体材料应具有高的能量传递效率,且应对染料具有低的浓度猝灭效应。 相似文献
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氧化石墨烯作为共蒸镀掺杂材料在OLED中的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
通过共蒸镀掺杂的方法,分别用氧化石墨烯和NPB掺杂作为空穴传输层以及氧化石墨烯和Alq3掺杂作为电子传输层和发光层,制备了两种不同的有机电致发光器件。器件性能测试结果表明:相对于未掺杂的参比器件,氧化石墨烯与NPB共蒸镀掺杂的器件性能降低,与Alq3共蒸镀掺杂的器件性能提高。其中,氧化石墨烯掺杂量为Alq3的10%时,器件发光亮度为掺杂前的1.2倍,电流效率为掺杂前的2倍。这一工作为进一步提高OLED性能提供了新的途径。 相似文献
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将新型稀土配合物TbY(m-MBA)6(phen)2*2H2O掺杂到导电聚合物PVK中改善了配合物的成膜性和导电性, 作为发光层应用于有机电致发光. 分别制作了器件(1) ITO/PVKTbY(m-MBA)6(phen)2*2H2O/LiF/Al和以Alq为电子传输层的器件(2) ITO/PVKTbY(m-MBA)6(phen)2*2H2O/Alq/LiF/Al. 研究了两种器件的电致发光性能, 得到了最大效率为0.88 cd*A-1的器件. 研究了铽配合物与PVK共掺杂体系的激发光谱和光致发光谱, 发现两者之间存在着能量转移, 说明Y3+的存在促进了PVK到Tb3+的能量传递. 文章就器件的发光特性和掺杂体系的能量传递进行了初步讨论. 相似文献
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沉积亚单层荧光染料提高有机发光器件的发光效率 总被引:2,自引:1,他引:1
结合掺杂薄层作为发光探针层的方法和亚单层(sub-monolayer)有机发光技术,利用沉积在有机发光器件发光层中的亚单层奎丫啶酮(Quinacridone,QAD)分子作为探针,同时改变QAD层的位置,对有机发光器件中激子的形成与扩散进行了研究,器件结构为ITO/NPB(60 nm)/ Alq3(x nm)/QAD(0.05 nm)/Alq3[(60-x) nm]/LiF/Al(其中x=0,2.5,5,7.5 nm).通过对各器件不同条件下的电致发光谱、发光强度和发光效率的对比研究,得到在x=5 nm处引入亚单层QAD可以使QAD分子通过能量转移而获得的激子数量最多,进而可以实现高效率的发光. 相似文献
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将黄光磷光材料bis[2-(4-tertbutylphenyl)benzothiazolato-N,C2’]iridium (acetylacetonate) [(t-bt)2Ir(acac)]超薄层作为黄光发光层,两个蓝光磷光染料iridium(Ⅲ) bis(4’,6’-difluorophenylpyridinato)tetrakis(1-pyrazolyl)borate (FIr6)和bis[(4,6-difluorophenyl)-pyridinato-N,C2’](picolinate) iridium (Ⅲ) (FIrpic)掺杂层作为蓝光发光层,制备了三元发光层的白光有机电致发光器件。该器件具有三元磷光染料分子协同发光特性,并且利用合适厚度的隔层,将三线态激子束缚在各自激子复合区域内,获得了稳定电致发光光谱,CIE色坐标为(0.29±0.01, 0.34±0.01),处于理想的白光区域。通过器件电学特性的测试,验证了磷光染料在三元发光层器件中电致发光作用的机理,同时结果表明,三元发光层器件由于稳定的激子复合区域而有效减弱了器件效率滚降现象。 相似文献
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制备并研究了基于3种小分子荧光材料的白光有机电致发光器件。发光层采用红色发光材料DCJTB掺杂绿光材料Alq3构成混合发光层,与OXD-7构成的蓝色发光层形成异质结的结构,并以NPB为空穴注入层。通过改变结构参数详细研究了发射光谱及其色坐标的电场依赖性。通过分析载流子注入/传输特性,控制激子的复合区域等措施得到了色坐标稳定性好、光谱丰富的高性能白光电致发光器件。经过优化的器件结构可以覆盖更大的可见光区域,当电压从9 V增加到13 V时,色坐标仅从CIE(x,y)=(0.364,0.314)偏移到CIE(x,y)=(0.332,0.291),具有较好的色稳定性。 相似文献
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Chromaticity-tunable white light emission from organic multiple-quantum-well structure 总被引:1,自引:0,他引:1
Organic multiple quantum wells (MQWs) white light emitting devices are fabricated in which blue fluorescent dye, a trimer of N-anylbenzimidazole (TPBI) and orange fluorescent rubrene doped tris (8-hydroxyquinoline) Aluminum act as quantum-well light emitting layers between triphenyldiamine derivative (TPD) potential barrier layers, and aluminium complex (Alq) act as an electron transporter and green emitter. The injected carriers are confined in different quantum wells and Alq layer. The white light emission comes from a combination of photons generated in different light emitting layers. The Commission Internationale de l' Eclairage (CIE) coordinates of the emitted light are tuned by increasing the number of TPBI wells due to its low fluorescent efficiency compared with rubrene. 相似文献
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有机薄膜电致发光器件结构与发光特性的研究 总被引:4,自引:0,他引:4
从有机电致发光薄膜的发光机理出发,通过以Alq薄膜器件、PVK为空穴传输层和Alq为发光层的双层 及PVK掺荧光材料Perylene的双层薄膜器件的研制,从器件的电致姚谱、电流密度-电压特性、亮度-电压特性的曲线的测试结果,计算分析了器件的流明效率、量子效率,并对有机薄膜电致发光器件的结构与发光特性之间的关系进行研究,利用能级理论分析了器件的姚特性随器件的结构不同所具有的规律。实验表明,加入PVK 相似文献
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高亮度高效率蓝色聚合物发光二极管 总被引:7,自引:2,他引:5
蓝色聚合物发光二极管是人们关注的课题,前不久,我们报道[1]了利用ITO/PVCz/BBOT/Mg·Ag结构达到亮度1700cd/m2,量子效率0.2%的蓝色器件.在本文中我们报道以掺杂perylene(PRL)和triphenylamine(TPA)的poly(N-vinylcar-bazole)(PVCz)为空穴传输层,以PBD为空穴锁住层,Alq为电子注入层的器件,其亮度达6100cd/m2,量子效率达0.7500,流明效率0.451m/W的蓝色发光器件.就我们所知,这个亮度是蓝光中最高的亮度. 相似文献
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Organic single-quantum-well electroluminescent device 总被引:1,自引:0,他引:1
Huang Jingsong Xie Zhiyuan Yang Kaixia Li Chuannan Liu Shiyong Wu Fang Tian Wenjing Shen Jiacong 《Optical and Quantum Electronics》2000,32(2):117-123
A new kind of single-quantum-well electroluminescent (EL) device consists of a hole transport N,N-Bis(3-methyphenyl)-N,N-diphenylbenzidine(TPD) layer, and electron transport 8-(quinolinolate)-aluminum(Alq) layer and a light emitting layer of Alq doped with 5,6,11,12-tetraphenylnaphthacene (rubrene) has been fabricated by the multisource-type high-vaccum organic molecular deposition. The dopant rubrene is as a potential well, and the undoped Alq layer is as a barrier layer. The EL spectra shows the spectral narrowing and the emission peak energy blue-shift, and the efficiency and luminance of the device have been significantly improved. The experimental phenomena is explained as the result of recombination of carriers from the quantized energy state. 相似文献
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基于在聚合物中掺杂染料DCJTB的白色有机电致发光器件 总被引:1,自引:0,他引:1
将Alq3和DCJTB作为掺杂物与基质PVK按照不同比例混合共溶,旋涂成膜,制备了PVK∶Alq3∶DCJTB为发光层的结构为ITO/ PVK∶Alq3∶DCJTB/ BCP/Alq3/LiF/Al的器件,其中Alq3和BCP分别用作电子传输层和空穴阻挡层,PVK用作蓝光发光层和空穴传输层。保持PVK和DCJTB的质量比为100∶1不变,改变PVK和 Alq3的质量比,当PVK和Alq3的质量比为20∶1时,得到了效果较好的白光。器件在电压为14 V时,色坐标达到(0.33,0.36),在10~14 V范围内变化甚微。 相似文献
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本文用AES研究了P-InP/TiPdAu热处理前后的界面特性,结果表明:TiPd层对Au的内扩散和In的扩散有阻挡作用。以TiPdAu作InGaAsP/InP双异质结发光管的p面电极、镀Au作热沉,采用In焊料,研究了器件的可靠性问题,在室温大气气氛中;70℃存储,70~80℃带电老化,三种条件下长时间考核结果表明:器件的I-V特性正常,末见正向压降明显变化。还比较了Au-Zn材料作p面电极用TiPdAu作肖脱基势垒限制层制成的器件和用TiPdAu作电极材料制成的深Zn扩散型器件在老化过程中的特性变化,后二种结构的器件,在长期老化过程中,有源区中有大面积DSD生长和增殖。 相似文献
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研究了InGaAsP/InP双异质结发光管在老化,存储过程中的退化现象及其影响因素.有快慢二种退化模式,正向I-V特性变坏是产生突然退化的最主要因素,焊料的润湿不良是导致器件退化的原因之一;在70℃,85℃老化及存储过程中,个别器件有源区内有DSD产生并长大,这并不是引起突然退化的原因. 相似文献