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利用飞秒泵浦一探测技术,在77K温度下测量了ZnSe-ZnS多量子阱材料的光学吸收非线性时间特性,其上升时间为10ps,恢复时间为14ps,讨论了其产生机制为带填充。 相似文献
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采用生长ZnS和ZnSe单晶膜的AP-MOCVD系统,以电子级二甲基锌(DMZn)和电子级10%稀释在H2中的H2Se和H2S为原材料,二次钯管净化的氢气为载气,衬底选用(100)GaAs和(111)CaF2,以微机程序控制电气线路的开关,交替生长ZnS和ZnSe薄层,制备出了垒宽和阱宽都为10nm,周期为100的ZnS—ZnSe超晶格多量子阱结构。 相似文献
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量子阱非线性光学研究进展 总被引:1,自引:0,他引:1
综述了量子阱非线性光学领域近年来实验工作的进展,重点介绍了共振增强的二阶和三阶非线性效应、光折变效应、量子阱光调制器和IV族材料的非线性过程,指出该领域发展迅速,应用前景十分广阔。 相似文献
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ZnSe/ZnS多量子阱激子光学双稳性 总被引:2,自引:0,他引:2
用MOCVD在CaF_2衬底上生长的ZnSe/ZnS多量子阱材料,在77K下用N_2激光泵浦染料获得的宽带光脉冲进行了非线性光学测量,首次观察到ZnSe/ZnS多量子阱的激子光学双稳性,据分析这是由激子的能带增宽效应引起的增强吸收光学双稳性. 相似文献
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报道了常压金属有机化学汽相淀积(MOCVD)制备的Zn0.7Cd0.3Se/ZnSe单量子阱的光泵浦受激发射性质。在77K下观测到了n=2的重空穴激子发光峰和n=1的重空穴激子吸收峰。在77K脉冲激光泵浦下受激发射阈值功率密度为116kw/cm2。认为受激发射机理可能是激子局域态的空间填充。 相似文献
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近年来,随着宽禁带Ⅱ-Ⅵ族半导体激光器取得突破性进展[1],对ZnSe基超晶格与量子阱的受激发射也进行了广泛的研究[2,3],同时对电场调制下的ZnSe基超晶格的受激发射也有过报导[4].但对于电场调制下的ZnCdSe/ZnSe基单量子阱的激射行为研... 相似文献
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用常压MOCVD法在GaAs衬底上生长了Zn1-xCdxSe-ZnSe多层结构.通过X-射线衍射谱和光致发光等方法判断,表明该材料为多量子阱结构.从室温下的透射光谱上可以观察到这种多量子阱中的n=1的激子吸收峰,并观测到起因子激子的ns量级的光学双稳态. 相似文献
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(001)和(111)取向的张应变量子阱光学特性的比较 总被引:4,自引:1,他引:4
以(001)和(111)价带Lutinger-Kohn哈密顿量为基础,讨论了这两种取向的量子阱的能带结构、态密度(DOS)、跃迁矩阵元和增益特性。由于材料结构的各向异性,(111)取向的量子阱在平行生长面内有较小的重空穴有效质量,无应变和压应变激光器可以很好地利用这一点。而(001)取向的量子阱虽有较小的平面内轻空穴有效质量,但并不比(111)量子阱的小多少;加上(001)量子阱的价带耦合效应强,使其DOS比(111)量子阱的大,在相同载流子注入下,张应变(111)量子阱的增益系数比相应(001)量子阱的要高。所以张应变(111)量子阱激光器仍然比相应的(001)量子阱激光器性能要好。可以认为匹配和压应变的(111)激光器优异的性能不仅来自小的面内有效质量,也来自于弱的价带耦合效应。 相似文献
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用分子束外延在GaAs衬底上生长了CdSe/CdMnSe多量子阱结构.利用X射线衍射(XRD)、变密度激发的PL光谱、变温度PL光谱和变密度激发的ps时间分辨光谱研究了CdSe/CdMnSe多量子阱结构和激子复合特性.讨论了随温度升高辐射线宽展宽和辐射复合效率降低的机理.发现不同激发密度下发光衰减时间不同,认为它的机理可能是无辐射复合引起的.在该材料中观测到激子激子散射发射峰,它被变密度激发和变温度PL光谱所证实.
关键词:
CdSe/CdMnSe
量子阱
光学性质 相似文献
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GaN非线性光学效应研究进展 总被引:1,自引:0,他引:1
本文简述了对非线性光学材料的一般要求,详细介绍了GaN材料的极化效应,以及因此而具有的良好非线性光学效应。以波长转换为例说明了它在未来全光网络中的应用前景。 相似文献
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本文给出了CaAs衬底上生长的ZnSe-ZnS应变超晶格的室温Raman分析,观测了该超晶格中ZnSe子层和ZnS子层的纵光学振动模(LO),首次发现在一些样品中ZnSe子层的纵光学声子模LOZnS出现红移,另一些样品中LOZnSe出现蓝移,而ZnS子层的LOZnS总是向低波数方向移动,并利用限制效应和应变效应给出了解释。 相似文献