退火对Co35(SiO2)65颗粒膜巨磁电阻效应的影响

采用多靶离子束溅射镀膜机制备了一系列不同退火温度的Co₃₅(SiO₂)₆₅（体积百分数）颗粒膜样品,发现样品的巨磁电阻效应随着退火温度T_a的升高而单调下降.应用磁力显微镜对样品的磁结构进行了观测,发现随着退火温度的升高,近邻的Co颗粒的磁矩倾向于平行排列,形成磁畴结构,从而导致Co₃₅(SiO₂)₆₅颗粒膜巨磁电阻效应单调下降. 关键词：     

用原位x射线小角散射研究块体非晶合金Zr55Cu30Al10 Ni5的结构弛豫

应用同步辐射x射线小角散射法在原位对块体非晶合金Zr₅₅Cu₃₀Al ₁₀Ni₅在等温退火过程中的微结构变化进行研究.实验表明：在等温退火过程中电子 密度涨落反映了晶化之前的结构弛豫过程；在一定的退火温度下、随退火时间的增加，拓扑短程序弛豫与化学短程序弛豫之间存在一个电子密度均匀化的过程；导致这两种弛豫过程转变的退火时间与退火温度有关，温度越高，所需的退火时间越短. 关键词： 原位x射线小角散射 块体非晶合金 等温退火 结构弛豫     

Fe-Cu-Nb-Si-B合金磁导率与温度关系

研究了不同温度（300—610℃）退火后的Fe_73.5Cu₁Nb₃Si_13.5B₉合金初始磁导率μ_i与温度Ｔ的关系（μ_i-T曲线）．实验结果表明，μ_i-T曲线可划分为三种类型，其对应的退火温度分别为：T_a≤460℃，480℃≤T_a≤580℃，590℃≤T_a≤610℃． 关键词：     

非晶态Fe13.3Ni69.6B16.2Si0.9的结构驰豫

本文讨论了非晶合金Fe_13.3Ni_69.6B_16.2Si_0.9的结构弛豫动力学及可逆弛豫过程,研究了各种热处理引起居里温度T_c的变化。发现经长时间退火后T_c趋于平衡值且动力学可通过弛豫时间连续谱加以描述。可逆弛豫过程可用CSRO来说明,并且某一物理量的可逆变化并不意味着整个结构的变化是可逆的。 关键词：     

块体非晶合金Zr55Cu30Al10Ni5 结构弛豫的研究

应用同步辐射小角x射线散射和差示扫描量热分析对块体非晶合金Zr55₅₅Cu 30₃₀Al10₁₀Ni5₅结构弛豫进行了研究.实验结果表 明：经340℃、不同时间退火后的非晶内 部的电子密度涨落随退火时间的延长先增大而后减小；玻璃转变温度附近焓弛豫峰的表观激 活能则随退火时间的延长先减小而后增大.结果反映了随退火时间的延长，块体非晶合金内 部类液体区不断减少及类固体区不断增加的过程. 关键词： 小角x射线散射 块体非晶合金 结构弛豫     

CO2跨临界系统在冷藏车上的应用研究

采用CO₂双缸滚动转子压缩机搭建冷藏车用制冷机组，在焓差室内测试车厢温度(T_a)、压缩机频率(f)与排气压力(P_d)对排气温度(T_d)、制冷量(Q₀)和能效比(COP)的影响，分析机组用于冷藏车的可行性，适用的冷藏车类型及最佳运行方式.结果表明：名义工况下，Q₀=1.47 kW,COP=0.91,满足运输用制冷机组标准.在环境温度T_w=30℃,车厢温度T_a=0℃时，机组最大制冷量为Q₀=2.43 kW,因此机组可适用于车厢容积18m³内的D类冷藏车.用于上述冷藏车时，机组最佳运行方式为：预冷工况下，车厢温度T_a>5℃时，采用f=140 Hz,P_d=10 MPa运行；车厢温度T_a≤5℃时，采用f=140 Hz,P_d=9 MPa运行；运输工况下，采用f=80 Hz,P_d<...     

金属玻璃(Fe0.8Ni0.15Cr0.05)78Si8B14的起始磁导率减落现象

在77—553K范围内的不同温度下测量了金属玻璃(Fe_0.8Ni_0.15,Cr_0.05)₇₈Si₈B₁₄的起始磁导率减落。测量结果表明,减落的温度关系表现为一个具有单一弛豫峰的不对称谱。在273K下考察了减落的动力学行为。用Hesse-Rubartsch方法拟合动力学曲线得到一个左右不对称的单峰激活能谱,最可几激活能大约为1.40eV。考察了减落的退火效应及退火动力学行为,结果表明,在宽的温度范围内,减落呈现明显的退火效应,而且退火动力学行为近似服从lnt动力学。 关键词：     

a-Ge/Ag迭层中的临近效应和互扩散

本文研究了不同厚度Ag膜与2000?非晶Ge膜形成的迭层行为。发现随Ag膜厚度的减小,迭层的室温电阻率愈来愈小于相同厚度单层Ag膜的室温电阻率,实验在室温下得出明显的临近效应。当对这些迭层退火时,实验得到十分不同的电阻R_300K与退火温度T_a的关系以及不同T_a下各种R(T_a)-T的关系。由X射线衍射结构分析电子显微镜观察和电子探针扫描成分分析的结果,本文给这些退火过程中的新现象以物理解释。 关键词：     

非晶态超导合金Zr87.7Si12.3中结构弛豫和结晶化对超导

对非易态超导合金Zr_87.7Si_12.3,在适当的温度下进行了lh等时退火处理.测量了其结构、超导临界参量T_c,H_(C2)及其转变宽度ΔT_c,ΔH_c2等的变化.发现些与金属-金属型非晶态合金不同的变化规律,并结合在结构弛豫过程中所发生的拓扑短程有序化和化学短程有序化,以及相应的结晶化机制,对实验结果作了讨论. 关键词：     

等静压下0.75Pb（Mg1/3Nb2/3）O3-0.25PbTiO3陶瓷的介电性能研究

研究了等静压对0.75Pb（Mg_1/3Nb_2/3）O₃-0.25PbTiO₃（PMN-25PT）陶瓷介电温谱的影响,PMN-25PT剩余极化随等静压变化和等静压压致相变.结果表明,随着压力增加,PMN-25PT的介电峰值温度T_m降低,/+{dT_m}/-{dP}≈-4℃/kbar,极化弛豫增强;剩余极化随压力增加连续减小;介电常数对压力的依赖关系与对温度场的依赖相似,压力诱导PMN-25PT发生弛豫铁电—顺电相变,相变为宽化的渐变过程,频率色散和极化弛豫更加强烈和普遍. 关键词： 铌镁酸铅-钛酸铅 等静压 介电弛豫 压致相变     

Preexponential factor in variable-range hopping conduction in CuInTe2

We study the temperature dependence of the electrical resistivity in a single crystal of p-type uncompensated CuInTe₂ on the insulating side of the metal-insulator transition down to 0.4 K. We observe a crossover from Mott to Efros-Shklovskii variable-range hopping conduction. In Efros-Shklovskii-type conduction, the resistivity is best described by explicitly including a preexponential temperature dependence according to the general expression ρ=ρ₀T^αexp(T_ES/T)^1/2, with α≠0. A theory based on the resistor network model was developed to derive an explicit relation between α and the decay of the wavefunction of the localized states. A consistent correspondence between the asymptotic extension of the wavefunction and the conduction regime is proposed. The results indicate a new mechanism for a local resistivity maximum in insulators, not involving magnetic effects.     

非晶态超导体的2△0/(kBTc)和声子谱参量

提出了能够很好地描述非过渡金属无序和非晶态超导体的2Δ₀/(k_BT_c)与声子谱参量之间关系的一个公式:2Δ₀(k_BT_c=4.95[1-(T₀<ω>^1/2)/A(1/(λω₀)+1/(20λ<ω>)+1/(20<ω>))]。计算了大量已知声子谱的非晶和无序超导体的能隙2Δ₀对T_c的比,结果表明在百分之几的范围内与实验值符合。指出了非过渡金属和合金的非晶态超导体,既可以是一个2Δ₀/(k_BT_c)值远大于BCS理论值(3.53)的强耦合超导体,也可以是一个2Δ₀/(k_BT_c)值比BCS理论值还要小得多的弱耦合超导体。 关键词：     

Large negative magnetoresistance in thiospinel CuCrZrS4

We report on large negative magnetoresistance observed in ferromagnetic thiospinel compound CuCrZrS₄. The electrical resistivity increased with decreasing temperature according to the exp(T₀/T)^1/2, an expression derived from variable range hopping with strong electron-electron interaction. The resistivity under a magnetic field was expressed by the same form with the characteristic temperature T₀ decreasing with increasing magnetic field. Magnetoresistance ratio ρ(T,0)/ρ(T,H) is 1.5 for H=90 kOe at 100 K and increases divergently with decreasing temperature reaching 80 at 16 K. Results of magnetization measurements are also presented. A possible mechanism of the large magnetoresistance is discussed.     

(Fe0.1Co0.55Ni0.3578Si8B14金属玻璃的晶化过程及压力的影响(Ⅱ)——晶化温度和晶化激活能

本文用高压下原位电阻测量法研究了3GPa以下(Fe_0.1Co_0.55Ni_0.35)₇₈Si₈B₁₄金属玻璃的晶化温度T_x,并用Kissinger法求得不同压力下金属玻璃的晶化激活能△E_x。测量结果表明,施加压力时这种合金的T_x并不是单调地、更不是线性地升高的,而是在上升的总趋势中还存在某些局部的转折。这和一些被广泛引用的结论是不同的。晶化激活能△E_x也随压力作类似趋势的变化。分析认为,压力促进晶化时的成核过程,而抑制晶核的扩散性长大。两者的综合作用是造成△E_x、从而也构成T_x非单调变化的原因。压力除了通过△E_x影响T_x以外,指数前因子的压力效应也可以使晶化温度产生重要的改变。 关键词：     

Influence of carbon concentration on structural, magnetic and electrical transport properties for antiperovskite compounds AlCxMn3

The structural, magnetic and transport properties of the antiperovskite AlC_xMn₃ (1.0≤x≤1.4) are investigated. It is found that the lattice parameter a increases monotonously with nominal carbon concentration x. The Curie temperature T_C increases with increasing x from 1.0 to 1.1 and then decreases with further increasing x. The highest T_C value is 364 K, about 70 K higher than that of stoichiometric AlCMn₃ reported previously. This may be attributed to a competition between the lattice expansion and the strong Mn 3d-C 2p hybridization. Below 100 K, the resistivity can be well described as ρ(T)=ρ₀+AT², corresponding to the electron-electron scattering. A increases with x, suggesting certain changes in the electronic structure, e.g. carrier density. Above 250 K, all ρ(T) curves depart from the linear dependence on temperature and seem to take on a tendency towards saturation.     

Effect of Mn-doping on the electrical properties of Cu2GeSe3

In this work we report the temperature dependence of the resistivity ρ of p-Cu₂GeSe₃ and manganese-doped p-Cu₂GeSe₃ at low temperature. It was found that for a intrinsic sample ρ obeys the Shklovskii-Efros-type variable-range hopping resistivity law in the temperature range from 4 to 63 K. This behaviour is governed by generation of a Coulomb gap Δ=78 meV in the density of localized states. We find a low activation term T₀=0.24 K, which is an indication of a large localization length ξ. For Mn-doped sample a metal-insulator transition (MIT) is observed at T=65 K. On the basis of the Mott criterion for metal-insulator transition, the critical carrier density n_c is determined. From the analysis of resistivity data it is concluded that Mn acts as acceptor impurity.     

La0.82Te0.18MnO3薄膜的输运特性和光诱导效应

用脉冲激光沉积法制备了非金属Te掺杂的钙钛矿锰氧化物La_0.82Te_0.18MnO₃单晶薄膜.该薄膜从83 K升温至373 K过程中发生金属-绝缘体相变，转变点温度为283 K.其电阻率在T<T_MI时符合电子-电子、电子-磁振子散射公式；在T>T_MI时为小极化子输运.薄膜在低温段连续激光(波长为532 nm，40 mW)作用下电阻率显著增大，电阻变化率在253 K达到最大值51.1%,该变化率远大于相同条件下的空穴掺杂材料；在高温段产生了较小的光电导，电阻变化率小于10%.这些现象主要与激光激励下自旋系统和小极化子的变化有关.La_0.82Te_0.18MnO₃薄膜在激光诱导下具有明显的与自旋相关的弛豫现象.激光开始作用时薄膜电阻率随时间的变化符合指数关系. 关键词： 0.82Te_0.18MnO₃薄膜')" href="#">La_0.82Te_0.18MnO₃薄膜 光诱导 输运特性 电子掺杂     

代位合金中的空穴扩散和有序化

本文根据空穴扩散促使有序化的观点导出决定恒温有序化几率的一个公式。这个公式中包括扩散系数,柯诺库夫温度及其他实验都可以直接测定的数量。引用了现有的这些数量的实验数据,证明所提出的有序化几率公式和实验结果是符合的。     

非晶态Fe87-xSixB13合金的磁化强度、电阻与温度的关系

本文研究了非晶态Fe_87-xSi_xB₁₃(x=0,9.6,14.5)合金的饱和磁化强度、电阻率与温度的关系。得到样品的居里温度T_C和晶化温度T_cr随Si含量的增加而明显提高。低温下的热磁关系符合布洛赫的T^3/2定律,计算出自旋波劲度系数D从x=0时的62meV·A²增加到x=14.5时的111meV·A²。从D值和Handrich理 关键词：