介质谐振器稳频晶体管振蓄器

本文利用开波导法对屏蔽情况下不对称放置的环形介质谐振器进行了区域划分,并将Itoh和Rudokas模型加以推广,用这种模型来分析环形介质谐振器中的电磁场,采用两种数学处理方法来求解其谐振频率,并编制了有关程序。将计算结果与已发表文献上有关数据比较,误差分别小于3.3%和1.2%,随后对传输型介质谐振器稳频振荡器电路作了分析。从导出的有关公式可知,振荡器频率,稳定度,效率等与振荡器,介质谐振器的参数及介质谐振器与微带线的耦合系数有关。最后实验试制了-2.64GHz的传输型振荡器,其输出率功可达20mW。在-30℃～+50℃温度变化范围内,其频率稳定度为1.8ppm/℃。电压推频系数为1.95MHz/V。     

零器模型在晶体管放大器分析中的应用

晶体管放大器常采用图解法和等效电路法进行分析．本文以ｎ－ｐ－ｎ型晶体管为例，介绍了零器模型（包括静态模型和动态模型）在晶体管放大器分析方面的应用，它与传统方法不同，简便易行。     

晶体管特性图示仪用于电路特性的测试与研究

图示仪不但可以测量各种半导体特性曲线,而且还可以测试电子电路的特性。由于它能够直观地、完整地、细致地观测电路特性的全貌,从而给电路设计和分析带来很多方便。显然电路的形成众多,本人在长期的测试实践中总结出诸多电路测试经验,本文仅列举典型的电路实例来说明电路特性的测试方法,从晶体管施密特电路滞后特性的测试举例说明。     

非晶硅发射区双极晶体管的低温特性

本文研究了非晶硅发射区双极晶体管的低温特性，得出了如下结论：低温下电流增益随基区杂质浓度的上升而下降，不同于常规同质结双极晶体管的情况，集电极电流则随基区杂质浓度的上升而上升。这些结果将为低温双极晶体管的设计提供理论依据。     

静电感应晶体管I—V特性的控制

静电感应晶体管（ＳＩＴ）的Ｉ－Ｖ特性（包括类三极管，类五极管以及三－五极管的混合特性）与器件的结构及参数密切相关。沟道长度ｌｃ，沟道厚度ｄｃ，比值ｌｃ／ｄｃ以及沟道掺杂浓度ＮＤ等均为确定ＳＩＴ工作方式的重要参数。给出了上述参数控制的一般原则，方法，引入了一个控制因子β，特别是对混合特性的控制进行了讨论。     

不能忽视的晶体管特性问题

晶体二极管、三极管特性看似一个简单问题,但资料和书籍却出现了点儿混乱,它不仅影响到晶体管手册参数,更涉及设计误差和试验方法问题。在学校教学实践中,也给初学的学生带来一些困惑。作者将各资料教材做一个全面比较归纳,发现问题具有普遍性。本文给出一个正确答案,供广大编书作者和出版社参考。     

MNOS晶体管的存储特性及其测量方法

本文介绍了MNOS晶体管的存储特性,包括开关滞后特性、写擦特性、存储电荷保留特性和耐久性.提出了测量这些特性的一种有效方法,并给出了研制中的MNOS晶体管的测量结果.     

虚拟晶体管特性图示仪的设计

在生产测量中,测量仪器价格昂贵。由PC机结合测试电路组成的虚拟测试仪器,具有实用意义。本文介绍一种虚拟晶体管特性图示仪的设计与实现原理。     

氢离子敏场效应晶体管工作机理及其界面电势差温度特性的探讨

本文运用表面基模型分析了氢离子敏场效应晶体管的工作机理,推导了敏感膜与溶液间的界面电势差及其温度系数,提出了经典的Nernst方程是表面基密度趋于无穷时的一种极限形式.界面电势差及其温度系数的实验数据与通过表面基模型分析得出的结论相吻合,为该模型的正确性提供了论据.     

镜像法分析静电感应晶体管特性

针对埋栅型静电感应晶体管(SIT)提出一种柱栅模型.用镜像法计算了器件内电势分布,并在此基础上计算了沟道势垒、栅效率、电压放大因子等.结果表明:沟道势垒直接取决于沟道过夹断因子;栅效率随栅尺寸和位移栅压的减小而减小,并随位移栅压一起趋向于0;在小电流情况下电压放大因子随电流的增大而增大,到一定数值后,电压放大因子趋于常数.最后给出了SIT I-V特性解析表达式,它既适用于类三极管特性(加大栅压下)也适用于混合特性(较小栅压下),且由此得到的I-V特性曲线和实验符合较好.     

异质结光电晶体管增益特性分析

从理论上分析了用宽带隙材料作发射区的ｎ－ｐ－ｎ光电晶体管可提高其发射区注入效率，就ｎ－ｐ－ｎ光电三极管的增益特性进行了研究，给出了光增益与电增益的关系。     

双极晶体管基极电阻的电流特性

本文针对基极电阻随电流变化的实验事实,根据基区电导调制效应,提出了工作在大电流密度水平时,基极电阻R_B(I_B)的理论模型;根据复合效应分析了小电流段R_B(I_B)的变化关系.实验结果与理论模型一致.     

浅谈晶体管测试中的不良现象

在对晶体二、三极管的直流参数测试检验中,能否正确判断电特性曲线不良现象是把握参数标准、优胜劣汰的重要手段。本文采用QT2晶体管特性图示仪,分析了历年来部分现场被测元器件检验时所出现的特性曲线不良现象,并对其产生的影响和后果进行了初步探讨。     

晶体管的温度特性以及使用中应注意的问题

叙述了晶体管的负温度特性以及在晶体管的制造过程中如何改进晶体管的温度特性。