La0.7Pb0.3MnO3材料的低频内耗与电磁输运性能

用低频扭摆法在多功能内耗仪上测量了巨磁电阻材料La0.7Pb0.3MnO3(LPMO)的温度内耗谱,所用频率为0.1,0.3,1.0Hz,温度从130～360K.实验结果表明在该材料的居里温度255K附近有一内耗峰并对应有模量软化.通过改变测量频率,发现内耗峰的峰位和模量的下降与频率无关,但改变频率时,其模量软化及内耗峰高度都有所改变,这与热激活型弛豫内耗峰明显不同.结合该材料的交流磁化率和零场电阻R(T)随温度变化的测量结果,表明该内耗峰是由于顺磁到铁磁相变中产生的磁熵所致,而模量的软化则表明伴随着顺磁到铁磁转变的过程,LPMO材料发生了Jahn-Teller晶格畸变.另外我们还研究了LPmO材料在O2气氛中经900℃,2h退火后,电磁输运性能和内耗的变化情况.结果表明,经在O2气氛中退火后的材料,其零场下电阻峰R(T)和交流磁化率曲线右移,居里温度Tc为272K,对应的内耗峰也向高温移动,这是因为氧含量的增加会产生等量的阳离子空位,使Mn4+/Mn3+比率增加,导致了Tc和TMI增高.     

La1-xSrxCoO3-δ体系的低频内耗与电输运性质研究

研究了钙钛矿型复合氧化物La     

La0.67 Sr0.18 □0.15MnO3的结构、磁性和电输运性质

利用溶胶一凝胶法制备了La0．67Sr0．18□0．15MnO3样品,并对其结构、磁性质和电输运性质进行了研究。x射线衍射研究表明,样品具有单相菱方六面体结构。磁性研究表明,样品存在铁磁一顺磁转变,居里温度约280K。电输运性质研究表明,在低温范围,样品电阻率的来源主要是电子与电子之间的散射,样品在高温范围符合非绝热近似下的小极化子导电行为。     

La0.85Na0.15MnO3的结构、磁性质和输运性质

实验研究了由Pechini方法制备的La0.85Mn0.15MnO3多晶陶瓷样品的结构,磁性质和输运性质,发现La0.85Na0.15MnO3的居里温度正好接近定,在该温度附近,伴随铁磁相到顺磁相的转变,同时发生金属－半导体转变,且在居里温度附近,0．5T外磁场下的最大磁电阻可达14％,理论与实验对比可知,在居里温度以上小极化子非对角跳跃为为主要导电机制。     

La1-xCaxMnO3的光学性质

通过溶胶-凝胶法制备La、Mn共掺杂的具有钙钛矿结构的La0.75Ca0.25MnO3晶体.采用XRD对其结构进行表征,并研究其对甲基橙的光降解作用.采用第一性原理密度泛函理论平面波超软赝势(USP)和GGA+U(其中GGA为广义梯度近似,U为Hubbard模型中自旋相反电子的强关联排斥能)方法对钙钛矿结构La1-xCaxMnO3(x=0.25,0.50,0.75)的光学性质进行研究,结果表明光降解性质很好,与实验结果相符.     

Ca1-xYxMnO3体系的电磁输运性能及团簇玻璃态行为

文章系统地研究了电子型掺杂Ca1-xYxMnO3(0＜x≤0.3)体系的电阻、磁化强度与温度的关系.结果表明,当x≤0.10时,Ca1-xYxMnO3的电阻率随着钇掺杂量的增加而减小,同时反铁磁性(AFM)减小,铁磁性增强;当0.15≤x≤0.30时,Ca1-xYxMnO3电阻率随着钇掺杂量的增加而增加,反铁磁性逐渐增强,铁磁性减弱;另外,磁化强度测量观察到Ca1-xYxMnO3低温下的团簇玻璃态行为,其原因是随着钇离子掺杂量的升高,样品中的Mn3+离子增加并且Mn3+和Mn4+离子不均匀分布导致反铁磁和铁磁团簇在低温下随机共存.     

氧离子导体La2Mo2O9中与相变有关的内耗

用低频内耗的方法研究了多晶氧离子导体La     

(La_(0.8)Ho_(0.2))_(2/3)Ca_(1/3)MnO_3的制备和电磁输运性质

采用溶胶-凝胶法制备(La0.8Ho0.2)2/3Ca1/3MnO3纳米晶粉体,研究了样品制备过程中络合剂柠檬酸的比例、烧结温度、烧结时间对钙钛矿结构形成的作用,分析了由于Ho的掺入对粉体焙烧过程中热分解过程的影响.热分析和X射线实验表明,烧结温度在680℃以上样品已呈现结晶良好的钙钛矿结构.利用标准四电极法测试的样品导电性能和超导量子干涉仪测试的样品磁性能,对比锰基氧化物La2/3Ca1/3MnO3,镧系元素中Ho原子对La进行了部分替代后,其相转变区域发生显著改变.     

氧离子导体La2Mo2O9中与氧离子扩散有关的弛豫内耗

用多功能内耗仪测量了氧离子导体La     

巨磁电阻材料LaxMnO3的内耗研究

自掺杂巨磁电阻材料La     

La0.85Li0.15MnO3薄膜的制备及磁场、激光诱导效应

通过直流磁控溅射法在单晶SrTiO3(100)衬底上制备了膜厚约为93.8 nm的La0.85Li0.15MnO3薄膜.用X线衍射仪、直流四探针法对其结构及磁、光诱导效应进行了研究.结果表明,薄膜为赝立方钙钛矿结构,具有良好的(100)取向.260K时,薄膜发生金属一绝缘体转变.在金属区,激光使薄膜的阻值增大,磁场使薄膜的阻值减小.电输运性质表明,在低温区,电阻满足公式R(T)= R0+ R1T2+ R2T4.5,此输运机制主要是由电子-电子散射造成的;在高温区,输运特性与小极化子模型R (T)= R0 Texp(Ea/KBT)完全吻合,输运机制是由于小极化子近邻跃迁引起的.由于外场诱导使得小极化子退局域,导致小极化子跃迁能减小,所以高温区外场导致样品电阻减小.     

应力对La_(0.8)Ca_(0.2)MnO_3薄膜电输运性能的调控研究

采用脉冲激光沉积技术,在LaAlO3和0.67Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.33PbTiO3两种单晶基片上外延生长了La0.8Ca0.2MnO3薄膜.X射线衍射分析表明两种薄膜皆为单取向生长,且面内分别受到压应力和张应力作用.晶格失配造成的应力对薄膜的电阻和金属-绝缘相转变温度Tp影响很大.对LCMO/PMN-PT施加外电场,从而调节薄膜所受应力也可以调制其电阻和Tp.     

Pr替代La5/8Ca3/8MnO3体系的磁性与电输运特性

系统地研究了多晶La5/8-xPrxCa3/8MnO3(x=0,0.10,0.13,0.15)体系的磁性和电输运特性,并报道了这一体系的电阻率极小值行为.X射线粉末衍射测量表明,所有的样品都具有较好的单相结构;电输运和磁性测量结果表明,随掺杂量的增大,居里温度Tc和绝缘体-金属转变温度TMI都向低温区移动.在较低温度下电阻率表现出了极小值现象,而这一现象随外加磁场的增大逐渐受到抑制,对此现象从强电子-电子相互作用角度进行了分析讨论.在Tc和TMI转变温.度区域,样品表现出较大的磁电阻效应.样品在高温下的电输运行为可根据可变程跃迁机制得到很好的解释.     

La0.55Eu0.1Sr0.15Na0.2MnO3的制备及其磁性

采用溶胶-凝胶方法制备钙钛矿型稀土锰氧化物La0.55Eu0.1Sr0.15Na0.2MnO3, 利用X射线衍射(XRD)、振动样品磁强计(VSM)和磁性测量系统(MPMS)对样品的结构、居里温度、磁卡效应和磁电阻效应进行研究. 结果表明, 样品具有单相六角钙钛矿结构, 居里温度为310 K, 磁电阻变化率为11.18%, 最大磁熵变为1.45 J/(kg·K).     

巨磁电阻材料La0.85MnO3的低频内耗和电磁性能

用低频扭摆法在多功能内耗仪上测量了自掺杂巨磁电阻材料La0.85MnO3的温度内耗谱.结果表明内耗峰位不随频率的变化而变化,但峰高和频率成反比且对应的内耗峰处模量有明显变化,这说明对应的内耗峰处的变化是由某种相变引起的.内耗、电阻及磁化率曲线的对应关系,说明该材料出现了顺磁-铁磁转变和半导体-金属转变,所伴随的结构变化导致了内耗峰的出现.     

WO3掺杂的La2/3Ba1/3MnO3的晶体结构和磁性质研究

采用La2/3Ba1/3MnO3(LBMO)为母体,选用非磁性的W离子的氧化物WO3作为第二相,用固相反应法合成了复合体系La2/3Ba1/3MnO3/xWO3.研究了该复合物的晶体结构和磁性质,发现W6 离子的注入会引起晶胞体积的增大和居里相变温度的下降,分析了发生这种变化的原因.     

A位的Sm掺杂对La0.67Sr0.33MnO3体系磁电性质的影响

通过实验研究了La0.67-xSmxSr0.33MnO3(x=0.00,0.10,0.20,0.30)体系的M-T曲线、ESR曲线、ρ-T曲线和MR-T曲线.实验结果表明:随着Sm掺杂的增加,体系从长程铁磁有序向自旋团簇玻璃态和反铁磁状态转变,Sm掺杂引起的磁结构变化和额外磁性耦合将导致CMR效应.     

热处理对La0.7Mg0.3(Ni0.85Co0.15)3.4贮氢电极合金性能的影响

用冷坩埚磁悬浮熔炼方法制备铸态La0.7Mg0.3(Ni0.85Co0.15)3.4贮氢电极合金,并分别在1 073 K、1 173 K和1 273 K温度下热处理8 h得到热处理态合金,研究了合金的Mg含量、相结构、电化学性能、显微硬度及相应电极的表面状态.研究结果表明:合金中Mg的质量分数随着热处理温度的升高从2.38%降低到2.03%;铸态及1 173 K热处理态合金的主相均为Ce2Ni7型六方相,还包括CaCu5型六方相、PuNi3型菱方相、MgCu2型立方相及BCr型正交相,热处理还使各组成相的晶胞体积均有所增加;随着热处理温度的升高,合金放氢平台的平台压力先降低到0.004 3MPa,然后升高到0.012 1 MPa,再降低到0.007 1 MPa;合金电极的最大放电容量先增加到406.8mA.h/g,然后减小到361.8 mA.h/g;循环稳定性从铸态时的59.6%不断增加到76.0%.     

Co2O3掺杂0.85PZT-0.15PZN压电陶瓷的性能

研究了添加Co2O3对0.85PZT-0.15PZN陶瓷的压电和介电性能的影响.研究结果表明:随着Co2O3掺杂量从0增加到0.4%,介电损耗因子tanδ大幅降低,同时压电常数d33和介电常数εr降低.当添加质量分数为0.4%的Co2O3时,tanδ,d33,εr分别由未掺杂时的0.024,360 pC/N,1 100降低到0.003,220 pC/N,600.当添加Co2O3超过0.4%时,d33,εr,tanδ的下降趋于平缓;当添加Co2O3超过0.7%时,陶瓷的漏电流增加,难以极化.实验发现,添加质量分数为0.4%的Co2O3比未掺杂陶瓷的烧成温度降低了近100℃,并且形成了晶粒尺度在1.O～2.5μm均匀致密的陶瓷.