FED器件的支撑结构设计和实现

使用墙式结构作为FED器件的内的支撑，使用Algor专用力学有限元件对器件各种结构的力学特性进行了数值计算，同时对照器件的电学特性后确定了支撑墙的分布密度，安装位置和装配误差等工艺参数，并完成了现有器件条件下的工艺实现，得到理想的结果。     

FFEA中电场及电子轨迹模拟研究

采用有限差分法,对有聚焦极的垂直双门结构的ＦＥＡ进行了轴对称三维模拟计算,得到发射微尖附近的电位和电子束运动分布图。分别讨论了聚焦极电位、聚焦孔以及栅极电位对发射的电子束影响。聚焦电位相对栅极越负,聚焦作用越强。减淖聚焦孔径影响了大的发散角的电子,但对聚焦的作用不如电位改变明显。栅极电位基本不影响电子的轨迹,仅改变了发射的电子的多少。结论与实验基本一致。     

FED支撑技术研究现状

ＦＥＤ（ＦｉｅｌｄＥｍｉｓｉｏｎＤｉｓｐｌａｙ,场致发射显示器）是世界上发达国家正在研制的一种具有巨大潜在市场的平板型显示器件,支撑技术是ＦＥＤ研究中的关键技术之一,也是微细加工技术领域的一个有意义的研究课题。叙述了ＦＥＤ对支撑技术的研究要求,介绍了美国、日本的几家公司和研究机构近几年的支撑技术研究方案和结果。     

FED新型灰度调制系统的研制

描述了FED新型灰度调制系统的构成,采用PDP驱动芯片uPD16347,利用其优越的高压驱动特性,通过FPGA模拟PWM进行控制,实现FED屏的驱动,本文还引入了误差扩散法,阐述了其在FED新型灰度调制系统中的作用,对现阶段的FED驱动电路的设计具有重要的意义。     

GEM电场和电子轨迹的三维模拟研究

利用有限元法模拟了三维双碗型GEM电场和电子轨迹,计算了不同几何尺寸(包括小孔外径D、内径d、厚度T)和电参数(GEM上下电极电压差Vgem、漂移电场场强Ed、收集电场场强Ei)下的静电场和电子轨迹,研究不同几何结构和电参数对电场分布和电子透过率的影响。分析表明,D、T、Vgem对场强分布的影响比较大,d、Ed、Ei对GEM微孔内的电场影响不大。只有D、d、Ed、Vgem会对电子透过率产生影响,其余参数改变下的电子透过率与文中基准模型的一样,为35.26%,结果表明几何光学的透过率和微孔附近的电场共同决定了GEM中的电子透过率。     

GEM电场和电子轨迹的三维模拟研究

利用有限元法模拟了三维双碗型GEM电场和电子轨迹,计算了不同几何尺寸(包括小孔外径D、内径d、厚度T)和电参数(GEM上下电极电压差Vgem、漂移电场场强Ed、收集电场场强Ei)下的静电场和电子轨迹,研究不同几何结构和电参数对电场分布和电子透过率的影响.分析表明,D、T、Vgem对场强分布的影响比较大,d、Ed、Ei对GEM微孔内的电场影响不大.只有D、d、Ed、Vgem会对电子透过率产生影响,其余参数改变下的电子透过率与文中基准模型的一样,为35.26％,结果表明几何光学的透过率和微孔附近的电场共同决定了GEM中的电子透过率.     

平面栅型FED的模拟研究

采用ANSYS有限元分析软件对平面栅型场致发射显示器（FED）的阴极表面电场进行了模拟分析。通过研究栅极宽度、阴栅间隙及阴极宽度对阴极表面电场分布的影响．结果表明平面栅型FED为边缘发射型器件,阴极宽度的改变对阴极表面电场整体影响明显．而阴栅间隙是影响阴极边缘电场分布的主要因素。     

FED的开发与问题

依据１９９７年的报道，以美国制造商为中心的ＦＥＤ产业已经开始着手推行。ＦＥＤ是否会成为ＬＣＤ与ＰＤＰ的竞争对手？本文将介绍ＦＥＤ的基本结构与现阶段的开发状况及未来实用化的可能性。     

光纤支撑墙碳纳米管场发射显示器的研制

针对现有的碳纳米管场发射显示器(CNT-FED)制造技术中存在的工艺复杂、成本过高的问题,利用通信光纤,通过烧结炉热处理的方法制作出了一种直径为125 μm的石英玻璃光纤支撑墙,并将其切为30 mm、50 mm 2种长度.根据设计结果,用自制的简易支撑墙定位装置,按10 mm等间距交错位排列该支撑墙,并在同一线上相邻光纤间留8 mm间隙.结合阴、阳极丝网印刷工艺,设计制作了一种显示面积为118 mm×123 mm、像素点数为64×64和可矩阵寻址的二极结构纤维支撑墙CNT-FED,并实现了动态显示.     

场发射枪电子光学特性的数值模拟

本文利用改进的电荷密度法（ＣＤＭ）和更接于实际阴极工作模型来模拟场发射枪的电子光这性质，文中提出了一种专门的六点求积公式用它可以精确地计算场发射体表面附近的电位；同时采用了阴极工作在部份空间电荷限制下的球面二极管模型，计算结果证明，这种方法对场发射枪电子光学性质的研究有实际的应用价值。     

静电场中电子轨迹的三维计算机模拟

本文讨论了静电场中电子轨迹的三维计算机模拟．给出了相应的计算公式．文中还对几种轨迹存在解析解的三维静电结构进行了计算．结果表明，本文所述方法精度较高，能满足电子光学ＣＡＤ的实际需要，是数值求解非轴对称静电结构下电子轨迹的有效方法．     

金刚石镶嵌非晶碳膜表面微尖对场致发射的增强作用

用微波等离子体化学气相沉积设备,在金属钼衬底上沉积出了表面存在大量微尖的金刚石镶嵌非晶碳膜,分别用扫描电子显微镜（ＳＥＭ）、金相显微镜和Ｘ射线衍射谱（ＸＲＤ）及Ｒａｍ ａｎ谱对样品进行了分析测试,并研究了各样品的场致电子发射特性。结果发现：在笔者的实验范围内,金刚石薄膜表面微尖对场致电子发射具有增强作用,且薄膜表面微尖数目越多,场发射电流密度和发射点密度越高,场发射的发射阈值越低。最后建立了一个二次场增强模型对实验结果进行了解释     

场发射显示器发展动态

概述场发射显示器件的原理，结构和制作工艺及发展水平。展望ＦＥＤ的前景并介绍了国际上围绕ＦＥＤ展开的激烈竞争。     

一种用于碳纳米管FED的荧光粉SiO2包膜处理

针对用于 FED 的荧光粉应该是适合 FED 特殊工作机理的专用阴极射线激发发光材料,提出一种以绿色荧光粉ZnS:Cu,Al 为基质,采用溶胶一凝胶法在其表面包覆一层 SiO＜2 薄膜作为 FED 用荧光粉.通过对包膜过程中的工艺条件,主要是 TEOS 浓度、溶液的 pH 值和回流温度的改变,在可拆卸式 FED 中研究生成 SiO2 薄膜包复的荧光粉对FED发光性能的影响,从而得到可获得高发光性能 FED 的包复 SiO2薄膜的最佳工艺条件.     

场致发射显示器的现状与发展

通过对场致发射显示器（FED）发展现状及其应用前景进行系统的比较与分析，着重讨论了场致发射体与其阵列制备工艺以及各种关键技术的优缺点，并介绍国外著名公司的研究动态，展望FED的发展趋势。     

真空显示器件的现况与展望

本文介绍了真空显示器件市场现况,真空显示器件技术现况,真空显示器件与平板显示器件的比较,真空显示器件技术发展趋势及前景．评述了真空显示器件CRT(CPT,CDT,VFD,FED等)技术性能,特点,市场及应用范围等．指出CPT的生存期还很长,目前主要发展方向是薄型化,即将在市场上出现韩国三星公司的新型的薄型彩色显像管(CPT)Vixlin和日本的Cannon-Toshiba公司的SED．将来最有可能的发展趋势是由CPT过度到FED．