熔体局部结构的分子动力学模拟研究

计算机技术的迅速发展使分子动力学模拟成为可能。这是一种直接方法用以更详细地了解液态的结构。文章介绍在分子动力学模拟产生的一系列平衡瞬态构型基础上的等近邻键序参数方法和使用这一方法对若干熔体局部结构的研究，包括若干碱金属卤化物熔盐，ＣａＦ２快离子态和熔融态，熔融态ＺｎＣｌ２和Ｒｂ２ＺｎＣｌ４，ＢＢＯ熔体和晶体生长母液等。     

（Ba_1－_xK_x）BiO_3电子结构与超导电性

用第一原理的ＬＤＦＬＭＴＯＡＳＡ超元胞法，模拟由Ｘ射线吸收谱精细结构测定的ＢａＢｉＯ３中，Ｂｉ有两种价态Ｂｉ３＋和Ｂｉ５＋及与之相应的两种不同键长的Ｂｉ—Ｏ八面体，以及Ｋ掺杂对晶体结构的影响．计算了Ｂａ４Ｂｉ４Ｏ１２，（Ｂａ３Ｋ）Ｂｉ４Ｏ１２，（ＢａＫ）Ｂｉ２Ｏ６，（ＢａＫ３）Ｂｉ４Ｏ１２，Ｋ２Ｂｉ２Ｏ６（简记为（４０４），（３１４），（１１２），（１３４），（０２２））五种“样本”的电子结构．结果表明，（４０４）和（３１４）分别为Ｅｇ＝１６ｅＶ及Ｅｇ＝１５ｅＶ的半导体，其它“样本”为金属．总能的分析表明（１３４）是不稳定的，故溶解极限为ｘ＝０５．以“取样”方式按伯努利分布确定任意组分各“样本”的概率，进而计算了（Ｂａ１－ｘＫｘ）ＢｉＯ３电子结构随组分的变化．最后用逾渗模型说明了超导转变温度Ｔｃ在ｘ＝０．２５附近的突变     

（Ba_（1－x）K_x）BiO_3芯态能级随组份的变化

本文用第一原理的ＬＤＦ－ＬＭＴＯ－ＡＳＡ方法，以超元胞Ｂａ４Ｂｉ４Ｏ（１２），（Ｂａ３Ｋ）Ｂｉ４Ｏ（１２），（ＢａＫ）Ｂｉ２Ｏ６，（ＢａＫ３）Ｂｉ４Ｏ（１２），Ｋ２Ｂｉ２Ｏ６五种“样本”计算由于Ｂｉ（＋３）和Ｂｉ（＋５）二种价态以及Ｋ掺杂引起各芯态能级化学位移的变化．“样本”的电子结构与实验相符，即Ｂａ４Ｂｉ４Ｏ（１２）是Ｅｇ＝２．０ｅＶ的半导体，（Ｂａ３Ｋ）Ｂｉ４Ｏ１２是Ｅｇ＝１．６ｅＶ其价带顶有少量空穴的半导体．其余“样本”是金属．芯态的ＬＤＦ本征值经原子模型△ＳＣＦ修正更接近实验值．用正态分布表达各芯态能级除化学位移外各种“环境因子”的影响，结合任意组份五种“样本”的伯努利分布，计算芯态电子能谱随ｘ的变化．结果表明，所有芯态的自旋一轨道分裂与实验完全相符，Ｂｉ（＋３）和Ｂｉ（＋５）二种价态引起各芯态化学位移的变化均小于０．２ｅＶ，Ｋ掺杂使各芯态结合能略有增加，其中Ｂｉ（４ｆ），Ｂａ（５ｄ）约１．３～１．５ｅＶ，其他芯态约０．４ｅＶ，以上计算结果与实验基本一致．     

分子束反应动态学及分子传能研究

本文扼要介绍了中国科学院大连化学物理研究所分子束反应动态学及分子传能课题组自１９７９年以来研究工作概况，井对 Ｂａ ＋ Ｃｌ２反应产生 ＢａＣｌ２＊的机理、Ｂａ＋Ｎ２Ｏ反应机理、Ｓｎ＋Ｎ２Ｏ反应机理、Ｃ＿２ｄ＿３态在 Ｎａ＋ ＣＣｌ４反应中生成机制和能量传递过程及碱土金属原子与卤代烷反应中反应产物的能量配置规律作了简要的说明．     

（Ba1—xKx）BiO3芯态能级随组份的变化

本用第一原理的ＬＤＦ－ＬＭＴＯ－ＡＳＡ方法，以超元胞Ｂａ４Ｂｉ４Ｏ１２，（Ｂａ３Ｋ）ＢｉＯ１２，（ＢａＫ）Ｂｉ２Ｏ６，（ＢａＫ３）Ｂｉ４Ｏ１２，Ｋ２Ｂｉ２Ｏ６五种“样本”计算由于Ｂｉ＾＋３和Ｂｉ＾＋５二种价态以及Ｋ掺杂引起各芯态能级化学位移的变化，“样本”的电子结构与实验相符，即Ｂａ４Ｂｉ４Ｏ１２是ｇ＝－２．０ｅＶ的半导体，（Ｂａ３Ｋ）Ｂｉ４Ｏ１２ｊ Ｅｇ＝１．６ｅＶ其价带顶有不量空穴的半导体，     

Bi系高Tc超导材料的核四极共振（NQR）研究

用标准固相反应法，我们制备了Ｂｉ１．６Ｐｂ０．４Ｓｒ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏｙ和Ｂｉ２ＣａＣｕ２Ｏｙ纯相样品，在液氮温度下测量了Ｃｕ－ＮＱＲ和Ｂ－ＮＱＲ静态谱，发现ＮＱＲ谱都为大宽包，Ｃｕ－ＮＱＲ谱线位置反映铜原子所处的氧环境，Ｂｉ２Ｓｒ２Ｃｕ２Ｏｙ的ＮＱＲ谱宽反映其调制结构，Ｂｉ１．６Ｐｂ０．４Ｓｒ２Ｃａ２Ｃｕ３ＯｙＮＱＲ谱宽取决于其掺杂浓度。由于电场梯度弥散很大，Ｂｉ－ＮＱＲ谱很难观察。     

Low Threshold Self-frequency Doubling Green Laser Operation of Nd∶YCOB

５％ａｎｄ７％Ｎｄ∶Ｃａ４ＹＯ（ＢＯ３）３（Ｎｄ∶ＹＣＯＢ）ｗａｓｇｒｏｗｎｂｙＣｚｏｃｈｒａｌｓｋｉｍｅｔｈｏｄ．Ｔｈｅｓｔｒｕｃｔｕｒｅａｎｄｌｉｎｅａｒｎｏｎｌｉｎｅａｒｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓｏｆｔｈｉｓｃｒｙｓｔａｌ,ａｎｄｒｅｓｕｌｔｓｏｆ...     

Pb、La掺杂Bi2201相高质量单晶的生长和表征

自助熔法从富Ｂｉ２Ｏ３ 的Ｂｉ１ ．８ ＋ ｘＰｂ０ ．２Ｓｒ１ ．６５Ｌａ０ ．３５ＣｕＯｙ（ｘ＝ ０ ．１ ,０ ．２,０ ．３ ,０．４ ,０ ．５） 熔体中生长出了高质量的Ｐｂ、Ｌａ 掺杂的Ｂｉ２２０１ 相大单晶,最大尺寸达８ ×４ ×０ ．０５ｍｍ３ ．在生长单晶时不同程度过量的Ｂｉ２Ｏ３ 用作助熔剂,最佳助熔剂含量以及最佳温度控制过程被确定．通过单晶的（００ｌ） ＸＲａｙ 衍射和摇摆曲线以及电子衍射对一块尺寸为４ ×１ ．６ ×０ ．０３ｍｍ３ 的高质量单晶做了结构表征．由试验发现从富Ｂｉ２Ｏ３ 的熔体中生长高质量Ｂｉ２２０１ 相大单晶的关键是合适的助熔剂含量和温度控制过程     

动态MOCVD法在Ag／Ni复合基体上连续制备YBCO超导带

本报道用ＭＯＣＶＤ方法在以１５ｃｍ／ｈｒ速度连续走带的Ａｇ／Ａｉ复合基体上制备ＹＢＣＯ超导带的结果。所有ＹＢＣＯ超导带的Ｊｃ值为１．３×１０＾４Ａ／ｃｍ＾２；样品主相为ＹＢＣＯ１２３，呈强烈ｃ－轴取向，其衍射峰的摇摆曲线半高宽约为２．８°；另外，还含有少量Ｙ２ＢａＣｕＯ５和ＢａＣｕＯ２杂相，本还用ＳＥＭ和ＥＤＸ对样品沉积层进行了观测分析。     

Bi—2212相欠掺杂区域的反常输运性质研究

测量了Ｂｉ２Ｓｒ２Ｃａ１－ｘＹｘＣｕ２Ｏ８单晶样品ａｂ平面内电阻率ρａｂ和多晶样品电阻率ρ．热电势Ｓ随温度Ｔ的变化关系（单晶：ｘ的范围从０到０．１５；多晶：ｘ的范围从０到０．４）．在单晶和多晶样品中，都系统地观察到类似于ＹＢａ２Ｃｕ４Ｏ８，ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｙ体系中由于自旋能隙出现而引起的输运性质反常现象．详细地讨论了上述实验结果，并与角分辨率光电子能谱实验（ＡＲＰＥＳ），电子拉曼实验结果进行比较，得出Ｂｉ２２１２相欠掺杂区域的电子相图．     

La2O3—BaO系复氧化物的现场拉曼光谱研究

对于Ｌａ０．２Ｂａ０．８－ｘＣａｘ（Ｏ，ＣＯ３）其中ｘ＝０．０、０．２、０．４、０．６氧化物在９７３Ｋ及甲烷氧化偶联（ＯＣＭ）条件下，无Ｃａ＾２＋的样品可用表面ＢａＣＯ３和（ＬａＯ）２ＣＯ３的Ｒａｍａｎ谱及８１０ｃｍ＾－１附近的Ｏ２＾２－特征峰来表征；含Ｃａ＾２＋的样品，则表现了混合碳酸盐（Ｃａ，Ｂａ）ＣＯ３的特征，还有位于１１３５ｃｍ＾－１（ｗ）和８１０ｃｍ＾－１（ｗ）的Ｏ２＾－、Ｏ２＾２－瞬时     

Tc=95K的NdBa2Cu3Ox高温超导外延薄膜的研制

本采用倒筒式直流溅射法原位生长和Ｔｃ值为９５Ｋ的ＮｄＢａ２３Ｃｕ３Ｏｘ外延薄膜，样品的ＸＲＤ分析表明，样品为强烈ｃ轴织构，ｃ轴晶胞参数为１．１７４ｎｍ，样品衍射峰的ＦＷＨＭ＝０．２９°，ＲＢＳ分析表明：薄膜的化学计量为Ｎｄ１．０Ｂａ２．０Ｃｕ３．３Ｏｘ。对影响ＮｄＢａ２Ｃｕ３ＯＸ薄膜Ｔｃ值的因素进行了讨论。     

NdvGdCOB晶体1331.0nm基频光运转和自倍频红光的观察

ＮｄｖＣａ４ＧｄＯ（ＢＯ３）３（简称ＮｄｖＧｄＣＯＢ）是一种新型自倍频晶体［１］。利用该晶体实现１０６０．０ｎｍ的自倍频绿光输出,因内外均已有报道［２］。我们利用Ｄａｔａｃｈｒｏｍ５０００型染料激光器泵浦该晶体成功地实现了１３３１．０ｎｍ基频光和６６５．５ｎｍ自倍频红光的输出。ＮｄｖＧｄＣＯＢ属单斜双轴晶体,具有明显的偏振吸收特性。生长该晶体所用原料为Ｃａ４Ｎｄ０．０８Ｇｄ０．９２Ｏ（ＢＯ３）３。晶体样品尺寸为３ｍｍ×３ｍｍ×８ｍｍ,通光方向为ｘ（ｘ轴与晶体的ｃ轴的夹角为１２°,ｚ轴与ａ轴的夹…     

染料激光抽运Nd:YCOB自倍频激光器

Ｎｄ：ＹＣａ４Ｏ（ＢＯ３）３（简称Ｎｄ：ＹＣＯＢ）是一种新型自倍频激光复合功能晶体,利用Ｄａｔａｃｈｒｏｍ－５０００型染料激光器作为抽运源,横向抽运钕离子原子比为８％的Ｎｄ：ＹＣＯＢ获得了５３０．２ｎｍ绿色自倍频激光输出。在样品未镀膜的情况下阈值抽运量小于２ｍＪ,绿光输出能量最大为１．０３ｍＪ,能量转换效率约为３．３％。     

对Bi-2212超导体中的Raman谱指认

本文对Ｂｉ２－ｘＰｂｘＳｒ２ＣａＣｕ２Ｑδ（ｘ＝０￣０．５）系列样吕以及在真空下不同温度退火的Ｂｉ１．６Ｐｂ０．４Ｓｒ２ＣａＣＵ２Ｏδ样品进行了Ｘ射线衍射和Ｒａｍａｎ谱实验研究。测量表明,随着退火温度的升高,ａ,ｂ,ｃ轴晶格常数增加,与Ｏ（１）ＣｕＢｇ模式相关的２９４ｃｍ＾－１的峰强减少,峰位红移。研究结果进一步表明,４６４ｃｍ＾－１和６３０ｃｍ＾－１峰分别与Ｏ（３）ＢｉＡ１ｇ和Ｏ（２）ＳｒＡ１ｇ     

970nmLD激发Tm^3＋,Yb^3＋掺杂的MFT玻璃材料上转换发光的研究

设计并制备了一种Ｔｍ＾３＋、Ｙｂ＾３＋共掺杂的多氟化物调整碲酸盐（ＭＦＴ）玻璃材料,其组份为５０ＴｅＯ２－１４．ＰｂＦ２－１０ＡｌＦ３－１０ＢａＦ２－１０ＮａＦ－０．１Ｔｍ２Ｏ３－５Ｙｂ２Ｏ３。测量了该玻璃系统的Ｒａｍａｎ散射光谱,在９７０ｎｍＬＤ激发下裸眼可以观察到很强的蓝色我,光谱测量证实这个蓝色发射（４７６ｎｍ）来源于＾１Ｇ４→＾３Ｈ６的跃迁,同时,还有两个较弱的红色发射源于＾１Ｇ４→＾３Ｈ     

Nd1—xBaxMnO3和La0.67Mg0.33Mn0.85M0.15O3（M=Mn,Ga,Fe）中Mn？…

研究了Ｎｄ１－ｘＢａｘＭｎＯ３和Ｌａ０．６７Ｍｇ０．３３Ｍｎ０．８５Ｍ０．１５Ｏ３的导电性，发现Ｍｎ位的自旋磁矩排列状态一大小 和对体系的导电性有强烈的影响，在Ｎｄ１－ｘＢａｘＭｎＯ３中，当Ｍｎ＾３＋／Ｍｎ＾４－的浓度比值为２：１．１：１，１：２时，电阻率出现半导体－金属转变，推论该类体系的导电性首先由体系中Ｍｎ＾３＋和Ｍｎ＾４＋自旋磁矩形的磁结构状态决定，然后才取决于由Ｂａ掇杂浓度所决定的载流子     

用伴随粒子法测定Ra-α-Be中子源的绝对产额

用Ｎａ－γ－Ｄｚ电离室与４π－ＢＦ３长中子管分别记录质子和中子,并用符合法定出４π－ＢＦ３管的效率．通过已知效串的４π－ＢＦ３长中子管,测定过演源Ｎａ－Ｄ２Ｏ的中子产额．在锰浴中Ｎａ－Ｄ２Ｏ源与２００毫居里Ｒａ－α－Ｂｅ源进行比较测量．对快中子俘获、中子逃逸、源自吸收等项进行修正后,其结果为ＱＲａ－Ｂｅ＝２．２６ Ｘ １０６（１±０．８％）中子／秒．此结果与用锰浴法[１］测定结果在误差范围内相符．     

新块材超导体Pr_(1-x)Ca_xBa_2Cu_3O_(7-δ)(0.4≤x≤0.6)的高压合成与超导电性

采用高温高压合成方法，合成出了Ｐｒ１－ｘＣａｘＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ（０４≤ｘ≤０６）系列块材超导体，在缺氧的Ｐｒ０．５Ｃａ０．５Ｂａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ四方１２３结构样品中得到了Ｔｃ为９８Ｋ．实验结果表明Ｐｒ在１２３结构中的价态为大于３＋的混合价态，因而空穴填充和杂化导致的载流子局域化是Ｐｒ抑制１２３相超导电性的关键因素．     

Nd_(1-x)Ba_xMnO_3和La_(0.67)Mg_(0.33)Mn_(0.85)M_(0.15)O_3(M=Mn,Ga,Fe)中Mn位自旋磁矩对电导性的影响

研究了Ｎｄ１－ｘＢａｘＭｎＯ３和Ｌａ０．６７Ｍｇ０．３３Ｍｎ０．８５Ｍ０．１５Ｏ３（Ｍ＝Ｍｎ，Ｇａ，Ｆｅ）的导电性，发现Ｍｎ位的自旋磁矩排列状态和大小对体系的导电性有强烈的影响．在Ｎｄ１－ｘＢａｘＭｎＯ３中，当Ｍｎ３＋／Ｍｎ４＋的浓度比值为２∶１，１∶１，１∶２时，电阻率出现半导体－金属转变．推论该类体系的导电性首先由体系中Ｍｎ３＋和Ｍｎ４＋自旋磁矩形成的磁结构状态决定，然后才取决于由Ｂａ掺杂浓度所决定的载流子浓度．在Ｌａ０．６７Ｍｇ０．３３Ｍｎ０．８５Ｍ０．１５Ｏ３（Ｍ＝Ｍｎ，Ｇａ，Ｆｅ）中，Ｍｎ位自旋磁矩大小的改变对导电性有强烈的影响，另外发现该类体系均以变程跳跃模式进行导电．