Si(111)4×1-In表面上铟原子的粘着系数随温度的突变现象

用AES和RHEED研究铟原子在Si(111)4×1-In结构表面粘着系数与温度的关系。在110℃以下,几乎为零的铟原子的粘着系数是由于4×1-In结构的原子排列使表面呈现价键饱和状态所致;在110—120℃温区内发生的粘着系数的阶跃变化可以用表面熔化所导致的有序-无序的相变模型来解释;高于120℃,粘着系数始终接近于1。 关键词：     

Si(111)表面原子弛豫研究

本文用原子集团模型和推广的Hueker方法研究Si(111)面的表面弛豫,得到表面Si原子向体内弛豫0.10?的结论,改进了已有的经验估计和理论计算结果,与LEED的分析结果符合较好。 关键词：     

Ni原子倾斜轰击Pt(111)表面低能溅射现象的分子动力学模拟

采用嵌入原子方法的原子间相互作用势,通过分子动力学模拟详细研究了以不同角度入射的低能Ni原子与Pt (111)基体表面相互作用过程中的低能溅射行为.结果表明:随着入射角度从0°增加到80°,溅射产额Y_s和入射原子钉扎系数S的变化均可以根据入射角θ近似地分为以下三个区域:当θ ≤ 20°时,Y_s和S几乎保持不变,其值与垂直入射时接近,溅射原子的发射角分布和能量分布也与垂直入射时的情 关键词： 分子动力学模拟 入射角 低能溅射     

岩盐结构SrC(111)表面和(111)界面的d~0半金属性

利用第一性原理方法,本文研究了岩盐结构的SrC块材、(111)表面和(111)界面的电子结构和磁性.块材的SrC被证实是一个良好的d~0半金属铁磁体.计算结果显示(111)方向的C表面和Sr表面都保持了块材的半金属性.对于(111)方向四个可能的界面,态密度的计算显示C-Pb界面呈现半金属特性.本文对岩盐结构SrC块材、(111)表面和(111)界面半金属性的研究结果,将为高性能自旋电子器件的实际应用提供一定的理论指导.     

室温下Ge(111)表面原子的协调运动

用扫描隧道显微镜观察了Ge(111)表面的由快速降温至室温而保留下来的中温相.发现除了单个Ge增原子的扩散运动外,主要的运动是发生在畴界上的Ge增原子列的开环和闭环协调运动.从实验上证实了这种最近引起很大实验和理论兴趣的运动方式.通过观察又提出了有待进一步实验和理论研究的问题.     

Pt(111)表面低能溅射现象的分子动力学模拟

利用嵌入原子方法的原子间相互作用势，通过分子动力学模拟，详细研究了贵金属原子在Pt (111)表面的低能溅射现象.模拟结果显示：对于垂直入射情况，入射原子的质量对Pt (11 1)表面的溅射阈值影响不大.当入射原子的能量小于溅射阈值时，入射原子基本以沉积为主 ；当入射原子的能量大于溅射阈值时，溅射产额随入射原子能量的增加而线性增大；当入射 原子能量达到200 eV时，各种入射原子的溅射产额都达到或接近1，此时入射原子主要起溅 射作用.溅射原子发射的角分布概率和溅射花样与高能溅射相类似.研究表明：与基于二体碰 撞近似的线性级联溅射理论不同，当入射原子能量大于溅射阈值时，低能入射原子的溅射产 额正比于入射原子的约化能量和入射原子与基体原子的质量比.通过对低能入射原子的钉扎 能力分析，提出了支配低能溅射的入射原子反射物理机理. 关键词： 分子动力学模拟、低能溅射     

低能原子沉积在Pt(111)表面的分子动力学模拟

采用嵌入原子方法的原子间相互作用势,利用分子动力学方法模拟了六种贵金属原子(Ni,Pd,Pt,Cu,Ag,Au)分别在Pt(111)表面低能沉积的动力学过程.结果表明:随着入射能量从0.1eV升高到200eV,基体表面原子是按层迁移的,沉积过程对基体表面的影响和沉积原子在基体表层的作用均存在两个转变能量(ET1≈5eV,ET2≈70eV).当入射能量低于5eV时,基体表面几乎没有吸附原子和空位形成,沉积原子在基体表层几乎没有注入产生;当入射能量在5—70eV范围内时,沉积原子在基体表层有注入产生,其注入深度小于两个原子层,即为亚注入,此时吸附原子主要由基体表层原子形成,基体表面第三层以下没有空位形成;当入射能量高于70eV时,沉积原子的注入深度大于两个原子层,将会导致表面以下第三层形成空位,并且空位产额随入射能量的升高而急剧增加.基于分子动力学模拟的结果,对低能沉积作用下的薄膜生长以及最优沉积参数的选择进行了讨论.     

Ni(111)表面C原子吸附的密度泛函研究

基于密度泛函理论的第一性原理计算,对过渡金属Ni晶体与Ni (111)表面的结构和电子性质进行了研究, 并探讨了单个C原子在过渡金属Ni (111)表面的吸附以及两个C原子在Ni(111)表面的共吸附. 能带和态密度计算表明, Ni晶体及Ni (111)表面在费米面处均存在显著的电子自旋极化. 通过比较Ni (111)表面各位点的吸附能,发现单个C原子在该表面最稳定的吸附位置为第二层Ni原子上方所在的六角密排洞位, 吸附的第二个C原子与它形成碳二聚物时最稳定吸附位为第三层Ni原子上方所在的面心立方洞位. 电荷分析表明,共吸附时从每个C原子上各有1.566e电荷转移至相邻的Ni原子, 与单个C原子吸附时C与Ni原子间的电荷转移量(1.68e)相当. 计算发现两个C原子共吸附时在六角密排洞位和面心立方洞位的磁矩分别为0.059μ_B和 0.060μ_B,其值略大于单个C原子吸附时所具有的磁矩(0.017μ_B).     

利用表面离子电荷转移测量纳米结构电特性(英文)

Tounderstandandquantifythefundamental behaviorofnanometer-sizedmaterials,itisnec essarytomeasuretheirlocalizedelectronicstruc ture,andtodeterminehowtheelectronicproper tiesdependonthesizeandshapeofanindividual nanoparticle.Inparticular,itisimportanttoe…     

Ⅶ族元素在Si(111)和Ge(111)表面上的吸附

本文用原子集团模型和电荷自洽的EHT方法研究了Ⅶ族元素在Si(111)和Ge(111)表面上的化学吸附。利用能量极小的原则确定了各元素的化学吸附构型。对于Cl,在这两个表面均是顶位吸附。对于Ⅰ,都呈三度空位吸附。对Br,顶位及三度空位吸附均能发生,但是在Si(111)表面顶位吸附要优于三度空位,而在Ge(111)表面则三度空位吸附优于顶位。最后对Ⅶ族元素原子在这两种表面的吸附行为作了讨论,并与实验作了比较。 关键词：     

用ARUPS和HREELS研究GaP(111)面的表面态

本文利用角分辨紫外光电子能谱(ARUPS)和高分辨率电子能量损失谱(HREELS)研究Ar⁺刻蚀退火处理的GaP(111)面表面态。发现与P原子悬挂键有关的本征满表面态在Г点位于价带顶下0.6eV处,而缺陷引入的空表面态位于价带顶上1.1eV处(Г点)。空表面态引起n型样品表面能带发生1.36eV弯曲。     

Si,GaAs(111)表面弛豫效应

本文将赝原子轨道的线性组合方法应用于计算半导体表面电子结构。除了赝势的形状因子以外,不引入任何可调参量。用这方法计算了Si和GaAs(111)理想表面和弛豫表面的电子态和波函数。Si的结果与Appelbaum和Hamann的自洽计算结果在表面能级位置和表面电荷分布两方面都符合得比较好。计算结果表明,当表面Si或Ga原子向内位移时,表面能级向上移动;表面As原子向外位移时,表面能级向下移动。同时,表面态波函数的性质往往也发生较大的变化。 关键词：     

INVESTIGATIONS OF ELECTRONIC STATES OF SEMICONDUCTOR SURFACE AND INTERFACE BY THE CHARGE SELF-CONSISTENT EXTENDED HÜCKEL METHOD

In the present work the group III-metal chemisorptions on both elementary and compound semiconductor surfaces are studied by the cluster model and the charge self-consistent extended Hukel method. Through the calculations,information about the adsorbed sites, charge transfers and the Local densities of states could be obtained.Since the electonic states of the chemisorptions are local, the rusult obtained even by small chusters are in reasonable agreement with those by experiment.     

Ni(100)面上吸附原子的间接相互作用能

本文用紧束缚模型和单电子理论研究吸附原子间的间接相互作用能。讨论杂质的影响,发现掺杂Cu使相互作用能的峰值增大,峰的位置向耦合强度较大的方向移动;而掺杂Co情况则正好相反。利用相互作用能随吸附原子相对位置的变化,很好地解释了H和O在Ni(100)面上吸附时的层结构。还发现相互作用随耦合强度的减少呈现振荡衰减的趋势。 关键词：     

在GaAs-Al界面上红外表面二次谐波的产生及其特性研究

利用可调谐TEACO₂激光,在GaAs-Al界面上采用光栅耦合首次从实验上获得了红外表面二次谐波的共振激励输出,并研究了该界面上红外表面二次谐波的某些特性。理论值与实验值符合较好。 关键词：     

表面与界面的绝缘铁磁理论

采用Green函数技术,我们讨论了温度从T=0直到T=T_c范围内铁磁体表面和界面的磁化强度随温度的变化情况,所得到表面磁化强度的结果与其他作者的结果一致;而在界面计算中,我们发现界面的T_c与体内的不同,并且找到了一个关系式:T_cc^A,T_c^B)。 关键词：     

Ge/Si(111)与Si/Ge(111)体系的生长特性与表面再构研究

本文利用RHEED和AES对Ge/Si(111)和Si/Ge(111)体系的生长特性与表面再构进行了研究。由此提出了其生长模式,并讨论了应力对生长特性、界面特性和表面再构的作用。     

硅(111)面表面振动模

本文采用硅(111)面组成的平板结构模型,利用解动力学矩阵的方法,计算了不同层数体系的所有振动模。考虑到晶格弛豫后,该体系才可能存在表面模。由于表面模的激活,解释了Okada关于微晶硅的Raman峰向低波数大幅度移动的现象。同时利用杂化轨道理论计算了由于晶格弛豫引起的表面弹性常数的变化,从而得到表面模的频率为469cm^-1与实验中报道的硅的表面模频率430cm^-1接近。 关键词：     

Cs/Ir(001)吸附系统的功函数与电子转移

本文借助对真空区波函数的多能量参数函数与微分并用法和jellium球/slab模型,计算了Cs吸附于Ir(001)表面的功函数,得到了一条改善的φ-Q曲线。对于清洁表面,功函数由从前的6.6eV减小到5.84eV,后者更符合实验(～5.5eV)。在极小处,功函数由约0.2eV上升到1.02eV,而实验值是1.3eV。此外,还给出了真空势分布及jellium与slab间的电子转移随Q的变化关系。 关键词：