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本文用质子交换反应在5mol%MgO:LiNbO_3晶体中引起了e光折射率的增加,晶体中MgO的存在并不影响LiNbO_3质子交换光波导阶跃型折射率分布的特点。用常规的质子交换法制备的MgO:LiNb·O_3波导存在着损耗大和有效折射率不稳定的缺点,经过退火处理后,这些缺点可明显地得到改善。 相似文献
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在1.5μm光波长,首次研制出质子交换铌酸锂光波导TE0模偏振器。器件由嵌在Ti扩散波导之间的一段质子交换波导构成,器件长度为2mm。实验测得,偏振器的消光比和带尾纤插入损耗分别为42dB和4.3dB。 相似文献
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质子交换铌酸锂光波导的红外吸收光谱 总被引:1,自引:1,他引:1
用尼高力 36 0型红外吸收光谱仪对用已二酸 (Adipicacid)和苯甲酸 (Benzoicacid)的不同摩尔比混合作为质子源进行质子交换制作的Z切铌酸锂光波导进行红外吸收光谱分析。表明 :OH-自由基团在 35 0 0cm-1处存在吸收峰 ,对应于质子交换中替代质子的特征 ,OH-氢键在 70 0cm-1处存在另一个吸收峰 ,对应于交换中的填充质子的特征。当两种不同的质子源以不同的摩尔比例混合时 ,质子源中的H 浓度不同 ,进行交换的速度也不同 ,结果导致在 35 0 0和 70 0cm-1两处的峰的强度发生变化。而这两个峰强度之比值可作为制作高质量铌酸锂光波导的重要依据 ,因此 ,对这两个峰的研究对制作高质量的铌酸锂光波导具有重要的意义 相似文献
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报道了利用X射线双晶衍射法精确确定ZnO:LiNbO3质子交换光波导的晶格常数变化,结果表明,波导层内含有均匀分布的三维应变场,晶格常数的变化随着波导取向的不同而呈现各向异性特点。 相似文献
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提出一种将质子交换技术和刻蚀技术结合的体铌酸锂波导和器件加工方案,基于质子交换的铌酸锂晶体相变特性改变,降低了质子交换区直接刻蚀难度,结合质子交换的纵向折射率改变和刻蚀波导的横向结构改变,波导尺寸显著降低,采用粒子群算法优化波导尺寸,最小可达2.5μm。基于该工艺方案设计了中心波长为1550 nm、四通道且通道间隔为400 GHz的阵列波导光栅,该阵列波导光栅的传输损耗约为6 dB,相邻通道间串扰均低于22 dB,整体尺寸仅为850μm×620μm,在高密度铌酸锂光子集成互连等场景具有较大的应用潜力。 相似文献
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以基于准位相匹配和频与差频级联二阶非线性[X^(2):X^(2)]基础上的全光开关的理论分析作指导,进行了周期极化铌酸锂晶体(PPLN)和退火质子交换光波导(APE)的实验制备,利用所研制的PPLN-APE器件,以自行研制的工作波长为1.54μm的被动调Q掺钴铝酸镁激光器作为控制光源,以工作波长为1.5μm的连续二极管激光器为信号光源进行了级联二阶非线性全光开关实验。当控制光峰值功率为3kw,信号光功率为1mW时,实现13%的开关效率,分析了进一步提高全光开关性能的途径。 相似文献
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为满足小型光纤陀螺对光学器件小体积的要求,对铌酸锂多功能集成光学小型化器件的结构做了分析和优化设计。采用BPM软件分析了Y形分支波导的S形波导损耗与弯曲长度及折射率差的关系。通过调整退火质子交换的工艺参数,增加了波导对光的束缚能力;降低了小型化芯片上S形波导的弯曲损耗;去掉了原有Y形波导的输出端直波导,直接由S形弯曲波导引至输出端,在更短的芯片上得到了更长的弯曲过渡区。设计制作的芯片长度由常规的20 mm减至12.5 mm,封装后的器件长度减小到20 mm,为目前同类常规器件尺寸的2/3。设计制作的器件插入损耗典型值小于2.5 dB,全温损耗变化量小于0.2 dB。 相似文献
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本文报道了质子交换LiTaO3光波导层的晶格常数变化、质子浓度分布和折射率分布以及红外吸收谱等的测量方法和结果,并与热退火后的测量结果进行了比较。实验结果表明:热退火处理的光波导其非寻常折射率的增高不依赖于质子浓度。 相似文献
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提出一种异质集成型薄膜铌酸锂电光调制器,由底部氮化硅波导、中间BCB黏合层、顶部铌酸锂薄膜构成调制区波导结构,调制电极位于铌酸锂薄膜的上部且二者之间填充了低折射率的SiO2,以利于实现折射率匹配并降低光损耗、微波损耗。进一步利用马赫-曾德尔干涉仪结构,设计了相应的电光调制器,并提出一种倒台阶型薄膜结构,该结构可实现输入、输出波导与调制区波导的高效耦合。对该电光调制器进行行波高速匹配设计,所得器件的半波电压长度积为1.77 V·cm,3 dB调制带宽为140 GHz,且调制区长度仅为5 mm。所提器件结构有望在大带宽薄膜铌酸锂电光调制器设计中发挥优势,助力薄膜铌酸锂光子集成器件的快速发展。 相似文献
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本文报道了利用红外光谱技术测量质子交换LiNbO3光波导浓度的一种新方法。该方法克服了传统的棱镜耦合技术+IWKB方法只适用于多模波导不适用于单模波导缺点。实验结果表明该方法具有较好的准确性。 相似文献