磁液磁光双稳特性的研究

本文基于磁液磁致双折射效应,实现了其磁光双稳特性的研究。理论上,建立了其磁光双稳传输模型、进行了计算机模拟,并在此基础上建立了相应的实验分析系统。研究表明:磁液薄膜具有良好的磁光双稳特性,可用作超长波红外波导器件。     

通道内空气热磁对流的协同分析

为研究通道内空气热磁对流的流动规律,用数值模拟方法,研究了磁场作用下二维模型水平通道内的流动换热过程,获得了通道内的磁通密度分布和空气温度轴向分布,在此基础上,建立了一维通道内空气热磁对流的数学模型,就温度场和磁场的相对关系对水通道内热磁对流过程的影响进行了数值计算,获得了通道内不同温度场、磁场以及其不同相对位置下的通道空气流量,并讨论了磁极形状对空气流量及其变化的影响。     

主动式磁回热制冷机的磁力及磁功分析

在主动式磁回热制冷机中,由于温跨变化、磁场分布不对称、磁回热器和永磁体气隙长度不一致、磁回热器间相位的影响,采用热力学方法来计算磁功耗会产生较大的误差.本文依据经典分子场理论,建立了通过计算磁力来估算磁功耗的方法,采用该方法可以对磁回热器和永磁体气隙长度比(δ),以及磁回热器之间相位差进行分析和优化设计.分析结果表明,磁回热器温跨的增大会使磁力峰值和消耗磁功率增大,当δ在0到1的范围变化时,磁力峰值和磁功率均存在极大值;当右侧回热器相位超前左侧回热器π时,消耗的磁功率最小,且随着温跨的增加,对应最小磁功率的相位差增大.     

大尺寸Bi、Al替DyIG磁光膜的均匀性研究

首先应用磁介质中的传输矩阵处理方法建立分层磁光介质材料中耦合法拉第角的计算模型,其次用热分解工艺制备出分层Bi、Al替DyIG磁光薄膜。经测试发现分层工艺对膜面各点的法拉第角有极大影响,其法拉第角差别在±0.5°左右,采用加热连续涂布及快速循环退火可使不均匀性大大降低。     

静磁表面波对高斯光脉冲的衍射特性研究

研究了磁光薄膜波导中线性啁啾高斯光脉冲与单频连续静磁波共线作用,给出了水平磁化时基于静磁表面波的磁光耦合方程.分别采用解析法和数值法计算了1310 nm和1550 nm两种光波长入射时衍射光的压缩特性,两种求解方法得到的结果一致.计算表明,衍射光脉冲的半峰全宽(FWHM)随相位失配因子的频率变化率和啁啾系数的增大而减小;在给定的计算参数下,与1310 nm波长对应的衍射光脉冲具有较大的峰值强度,但1550 nm波长输入时可以获得更窄的衍射光脉冲,因而1550 nm光脉冲更适于作为磁光脉冲压缩的脉冲源.文章还分析了磁损耗对衍射光脉冲的光强和输出脉宽的影响,对于普通的磁光薄膜,损耗基本上不影响光脉冲压缩效果.     

局域热源对磁岛热输运的影响

研究托卡马克等离子体磁岛内的热输运行为.应用局域高斯热源对磁岛加热来模拟电子回旋共振加热.对同时存在背景热源与局域高斯热源的情况,观察局域高斯热源对径向电子温度分布及热输运产生的变化,分析局域高斯热源对温度扰动及磁岛约束能量的影响.     

热磁发电演示仪

利用一级相变软磁材料MnFe(P,Si)的热磁发电性能,设计了热磁发电演示装置.初步探索了MnFe(P,Si)化合物在热磁发电中的应用,改进其性能为实际发电作了基础性的研究.     

交变磁场下磁光薄膜动态法拉第效应特性的测量

论述了在交变磁场下测量磁光薄膜动态法拉第效应的原理和方法，利用此方法，在不同的调制磁场强度和频率下测量磁光薄膜的动态法拉第旋转特性，获得了较好的测量结果，并对测量误差进行了分析。     

磁存储材料的未来发展

从未来微型计算机对磁存储器应具有超高存储密度的要求出发，讨论了磁存储材料的未来发展．并指出，最有希望的材料是沿用传统模式纵向记录的薄膜磁介质和新型的磁光存储薄膜．对于如何实现此超高密度的磁和磁光存储，文章还讨论了各自需要解决的问题及相关的信息存储和读出技术．     

多频微波静磁波与导波光互作用研究

分析了磁光薄膜中同时激发的多个频率的静磁波对导波光的衍射作用过程,以三频为例推导了三级近似的耦合模方程,对于两频磁光作用的理论计算与实验基本一致.对于三频磁光作用,数值分析结果表明：对于主衍射效率（Principle Diffraction Efficiency,PDE）,小信号时只需考虑一级磁光作用.在超出小信号范围且PDE达到峰值之前,第三级磁光作用对PDE影响很小,只需考虑前两级磁光作用.小信号时,得到了PDE的近似解析表达式,在一定的频率间隔范围内与耦合方程的一级近似解较为符合.     

磁光型光盘存贮介质记录特性的研究

本文给出了激光热磁记录多层膜温度场分布求解的基本公式,由此评价了温度场分布对记录磁畴尺寸的影响,并以四层膜结构为例,得到了相应的数值解,有关的验证实验也同时完成,由此得到了降低记录激光功率的方案.     

High Reflection Ge_(0.45)Te_(0.55) Recording Films

ＨｉｇｈＲｅｆｌｅｃｔｉｏｎＧｅ０．４５Ｔｅ０．５５ＲｅｃｏｒｄｉｎｇＦｉｌｍｓＬＩＵＨｕｉｙｏｎｇＪＩＡＮＧＦｕｓｏｎｇＭＥＮＬｉｑｉｕＦＡＮＺｈｅｎｇｘｉｕＧＡＮＦｕｘｉ（ＳｈａｎｇｈａｉＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＯｐｔｉｃｓ＆ＦｉｎｅＭｅｃｈａｎｉ...     

超高密度磁光存储及其介质研究进展

短波长（蓝光）磁光存储，磁光超分辨近场结构光存储（Super-RENS)、混合记录技术是近年来发展起来的超大容量磁光存储技术，文章介绍了这些技术用于超高密度磁光存储的原理，并对其研究现状及发展前景作了全面综述。     

偶氮染料掺杂高分子薄膜的光谱和光存储性质研究

利用旋涂法,制备了以二乙基胺基〖Ｎ（ＣＨ２ＣＨ３）２〗作为推电子基因、以具有强电负性的羧基（ＣＯＯＨ）作为拉电子基团的推－拉型偶氮染料掺杂的高分子（ＰＭＭＡ）薄膜。在室温下测试了该偶氮染料在溶液和薄膜态的吸收光谱、薄膜态的反射光谱和透过光,发现该薄膜在４００～５５０ｎｍ波长范围内具有强的吸收。在５１４．５ｎｍ光盘静脉测试仪上测试了膜片的静脉光存储性能,结果表明,用低功率Ａｒ＾＋激光（５１４．５ｎ     

蓝光磁光盘的优化设计与分析

以TbFeCo作为蓝光磁光盘的记录介质，需要对传统磁光盘热、光学结构进行改进以提高载噪比。利用光学特征导纳矩阵法对改进结构的磁光盘膜层进行了优化设计，得到了较好的匹配结果；并通过热学计算得到了记录膜体温度分布，从理论上证明了新结构的优越性。     

Diffusionless oxidation and structure modification of thin Cr films by the action of ultrashort laser pulses

Results of impact on Cr thin metal films by ultrashort laser pulses are investigated in the paper. For the first time thermochemical action of such pulses is shown and confirmed by analytical approaches (micro-Raman spectroscopy, CAES and others) and selective chemical etching both. It is impossible to ascribe this effect to well-known mechanism of heterogeneous diffusion at the irradiation specified conditions. Possible reasons of Cr thin films diffusionless oxidation and structure modification are observed. Discovered phenomena open up new opportunities for developing of optical thermochemical data recording on Cr thin films, which are widely used in microelectronics as photomasks and in the process of diffractive optical elements manufacturing.     

Interrelation between optical and magneto-optical properties of MnSbBi(Pt,Co) films

Results of the study of optical and magneto-optical properties of MnSbBi(Pt, Co) films in a spectral region of 360–820 nm are reported. It is shown that the multilayer MnSbBi(Pt, Co) films obtained by magnetron sputtering possess considerable optical rotation in the geometry of the polar Kerr effect, which is as large as 0.5°–0.7° upon 5-h annealing of the films at 350°C. The spectral dependences measured for the magnitude of the polar Kerr effect showed that these films may be used for laser data recording in the short-wavelength spectral region, which substantially increases the recording density. Studies of the film structure by X-ray and electron diffraction analysis showed that the films have a polycrystalline structure, with granules 15–40 nm in size. Possible causes of a large magnitude of Kerr effect are analyzed.     

多阶光存储原理分析及其读写系统前端信号处理研究

运用矢量衍射理论的计算方法(耦合波方法，时域有限差分法)，对两种多阶光存储方案(坑深调制，坑形调制)进行了原理性分析，并简略分析了利用相变材料的幅值调制实现多阶存储的原理.由此得出多阶光存储技术的实现是利用了光与物质之间的相互作用，使光对记录介质产生作用，同时介质也对光的某些特性进行调制，而这些特征的改变一般都不止两个状态0或1，用数字方式将这多个状态记录下来便实现了多阶数字存储.此外,还提出了多阶光盘前端信号处理系统的设计与开发.该系统是多阶光存储实验系统的重要组成部分，可输出RF,TE,FE等伺服与误差信号，并将信号反馈给多阶处理芯片；同时系统还可对光学头的激光读写功率及写入时间进行控制，并能使其实现自动调焦和道跟踪. 关键词： 多阶光存储 矢量衍射理论 时域有限差分法     

Reversible,electical and optical switching on silver 3—phenyl—1—ureidonitrile complex thin films

We report on the reversible, electrical and optical switching on silver 3-phenyl-1-ureidonitrile complex thin films. The films can switch from a high impedance state to a low impedance state with an applied electric field at the threshold of 3.5×10⁷V/m. Furthermore, the films can be switched back to the original state by treating the samples at about 80℃. The optical recording is fulfilled using a semiconductor laser with a wavelength of 780 nm. Erasure can be accomplished by bulk heating or by the laser working with the power beneath the threshold. No loss of the organic was found in the experiments. This material may have a potential application in ultrahigh data density storage.     

激光预处理对光学元件膜层性能的影响

 激光预处理是使膜层提高损伤阈值的一种有效手段，现在流行的激光预处理机理模型之一是缺陷消除模型。实验从对元件膜层激光预处理前后各项参数的对比出发，分析了激光预处理对膜层的影响，说明了光学元件膜层激光预处理的过程，是对膜层去除缺陷、固化、洁净的过程。