面内磁场对硬磁泡形成的影响

实验研究了面内磁场对一次脉冲偏磁场作用下外延石榴石薄膜中硬磁泡形成的影响,发现存在一个使硬磁泡不再形成的临界面内磁场H_in⁰,它与材料参量有关,通过实验,运用面内磁场对条状畴的作用和枝状畴的形成,定性解释了软硬磁泡形成的分界场H_[b]随面内磁场增大、快降以及缓降这三个物理过程。 关键词：     

脉冲偏磁场作用下硬磁泡形成与温度的关系

用一次脉冲偏场法研究了外延石榴石磁泡薄膜条状畴畴壁中VBL群体形成与温度的关系。发现了与材料参量有关的临界温度T₀₂,当T>T₀₂时,硬磁泡不再形成。还发现了当T02时,VBL群体形成有两个明显不同的阶段,它们的分界温度为T₀₁。定性解释了第一个阶段的实验曲线并用双重曝光照相法揭示了两个阶段中导致软畴段硬化的运动形式的差别。 关键词：     

等离子体性质对磁泡的影响

利用三维混合模拟程序计算了大量超热碎片离子在低密度背景等离子体中爆炸膨胀的过程.通过定量计算磁泡的变化过程和磁泡对碎片云运动的约束效果,分析了背景等离子体电荷密度、背景离子原子量、碎片离子荷质比等参数对磁泡的影响.计算结果表明,背景电荷密度对磁泡和碎片云的运动有重要影响.在碎片云扩张早期,背景离子原子量对磁泡扩张影响较小,但对后期碎片云的运动有一定影响.当碎片离子荷质比较小时,离子回旋半径大于磁泡半径,此时磁泡半径较小,且磁泡无法约束碎片云.当碎片离子荷质比较大时,离子回旋半径小于磁泡半径,如果此时背景电荷密度较低,磁泡和碎片云的早期扩张几乎不受碎片离子荷质比影响,但对系统后续演化有一定影响,如果此时背景电荷密度较大,碎片离子荷质比对磁泡和碎片云的运动有较大影响.     

脉冲偏场作用下硬磁泡的形成

对低频脉冲偏场产生磁泡的过程中硬磁泡的形成条件进行了实验研究。发现硬磁泡的百分比p随着脉冲偏场强度的增加而迅速减小,同时发现存在一临界脉冲偏场强度H_po,当H_p≥H_po时,所产生的磁泡都是软磁泡。 关键词：     

系列脉冲偏磁场作用下硬磁泡的形成

实验研究了系列脉冲偏场作用下外延石榴石薄膜的硬磁泡(包括哑铃畴)的形成规律。发现系列脉冲对畴段的作用不是单次脉冲作用(软畴段硬化的物理过程)的简单迭加,而有其特有的规律性,存在着硬畴段进一步硬化及硬畴段软化的另两个物理过程。运用上述三个物理过程对实验结果作了解释。 关键词：     

一次脉冲偏磁场作用下硬磁泡的形成

实验研究了一次脉冲偏场作用下外延石榴石膜硬磁泡的形成规律。通过实验和计算,证明了硬泡畴壁中同号的VBL一般地说并非一个脉冲产生一对。通过双重曝光照相法揭示出软畴段的硬化与畴段运动形式的关系,发现了最适于硬泡形成的两种运动形式,并阐明了“软硬磁泡形成的分界场”H_[b]的物理意义。 关键词：     

石榴石磁泡膜中3类硬磁畴的形成方法

研究石榴石磁泡膜中硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线的稳定性可为研制布洛赫线存储器提供有益的帮助 .3类硬磁畴的形成是研究硬磁畴稳定性的前提 .本文综述了在石榴石磁泡膜上形成硬磁畴的 2类方法———“脉冲偏场法”和“低直流偏场法” .结合文献中的典型样品 ,对用“脉冲偏场法”和“低直流偏场法”形成 3类硬磁畴的过程进行了简单介绍 .     

磁泡的动态测量

前言磁泡材料的畴壁迁移率和磁泡状态的测定是磁泡动态测量的两个重要内容．早先的阶梯函数响应法［１］和磁泡破灭法［２］虽然都能测量畴壁迁移率μω,但用作常规测试都不理想,并且都不能用来确定磁泡的状态．本文所介绍的脉冲梯度场磁泡传输法［３］,直接测量孤立磁泡在脉冲梯度场中的运动速度,从而测得迁移率．同时又从磁泡的运动方向确定磁泡的状态,方法简便,原理直观,所以这个方法被广泛地应用于常规测试和基础研?...     

磁泡技术在数控机床上的应用：CPCB磁泡存储子系统简介

首先简述了磁泡存储的原理及磁泡存储器在国内外数控机床中的应用情况，并给出了ＣＰＣＢ磁泡存储子系统组成原理和技术指标，最后介绍了磁泡存储子系统在国内外的应用情况。     

晃动法用于磁泡的动态测量

一、前言１９７４年Ｂｒｏｗｎ提出磁泡动态测量的新方法——“晃动法”（Ｒｏｃｋｉｎｇｔｅｃｈｎｉqｕｅ）．它是在传输法的基础上发展起来的．它和传输法不同的是：(1）在驱动迥路中通以正负驱动脉冲,使磁泡在梯度偏伤作用下来回晃动而产生两个稳定的磁泡象．（２）代替补偿迥路的是一个方框位阱迥路,其中通以“位阱直流”,形成软位阱,使磁泡圈在其中并和框外的磁泡或条状畴隔离．（３）考虑到磁泡在传输运动中的速度分....     

升温Ta+N双注入对硬质合金性能的影响

利用升温离子注入技术 ,在PSII装置中实现了N +Ta双注入对硬质合金的有效表面改性 ,注入剂量为8× 10 1 7ions·cm- 2 ,注入表面温度分别为 10 0℃和 40 0℃。用显微硬度计测定硬度 ,表明试样表面显微硬度均有提高 ,其中 40 0℃试样表面显微硬度提高最大 ,高达 2 0 0 %。用俄歇电子能谱分析元素的浓度剖面 ,发现把温度从 10 0℃提高到 40 0℃ ,其注入层深度显著增加。X射线衍射测出了注入层表面形成的WN、TaN析出相。升温双元离子注入取得升温单元离子注入改性同样的效果 ,并获得比单元注入更好的复合优化强化层     

ANNIHILATION OF VERTICAL-BLOCH-LINE CHAINS IN THE WALLS OF ORDINARY HARD BUBBLES SUBJECTED TO JOINT STATIC BIAS FIELD AND IN-PLANE FIELD

For the ordinary hard bubbles(OHBs) of garnet bubble films, the annihilation of the vertical-Bloch line (VBL) chains in their walls subjected to joint static bias field H_b and in plane field H_ip was experimentally studied. The curves of two critical in-plane fields, H⁽¹⁾_ip and H′_ip, vs H_b were measured. By means of the so-called "head-cut" and "tail-cut" experiments designed in this work, it was verified that for the OHBs subjected to H_ip, their VBL chains with different lengths lose VBLs and become shorter simultaneously. It was also verified that the critical in-plane fields H⁽¹⁾_ipand H′_ip correspond to the break down of the shortest and longest VBL chains of OHBs, respectively.     

离子注入对超导转变温度的影响

本文中提出了超导转变温度T_c与离子注入剂量φ的经验关系式,T_c=1.13θ_Dexp[-1/(A/(Φ+1)+B)].将这一关系式和若干实验结果进行了对比,结果表明,计算值与实验结果符合得很好。最后我们讨论了这一关系式的物理基础,认为由于费密面附近出现了杂质能带,导致了样品T_c的变化。 关键词：     

温度与应变率对钽流动应力的影响

 研究了温度在-100～400 ℃、应变率在10^-5～10³ s^-1范围内温度和应变率的变化对钽的流动应力的影响。结果表明,钽的流动应力对温度和应变率的变化相当敏感。同时还就两种本构模型对钽的温度效应与应变率效应的不同处理方法作了比较,指出Zerilli-Armstrong模型能更好地描述温度与应变率对钽流动应力的影响。     

压力、温度以及时间对金刚石烧结体性能的影响

 采用熔渗法研究了烧结压力、烧结温度以及烧结时间对金属添加剂金刚石烧结体性能的影响;在1 400 ℃、5.8 GPa、12 min的烧结条件下,烧结出磨耗比为285×10³、金刚石颗粒未出现异常长大的金刚石烧结体;分析了烧结方法对烧结效果的影响。