ICP-AES测定铝合金中硼

电感耦合等离子光谱测定铝合金中硼，相对标准偏差小于2．3％，标准加入回收率在93％-102％之间。该方法具有选择性好，操作简便等优点，适用于铝合金中硼的测定。     

ICP-AES测定锰矿中二氧化硅含量

试样经氢氧化钠和过氧化钠混合熔剂碱熔,再用酸浸提,干过滤后定容.采用ICP-AES测定锰矿中二氧化硅含量.本法测定锰矿标样(冶金部标准样品505)中二氧化硅含量,其测定结果的相对标准偏差RSD为1.08%,测定平均值为33.93%(标样推荐值为33.58%).     

ICP-AES同时测定海沙中TiO2、CaO和MgO

用电感耦合等离子体发射光谱法(ICP-AES)同时测定新西兰海沙中的TiO2、CaO和MgO,确立了仪器的最佳分析条件.建立了一种可同时测定新西兰海沙中的TiO2、CaO和MgO的分析方法,该方法简单、快速、灵敏度高,结果可靠.     

ICP-AES测定高砷铁矿中砷和钒

建立了用硝酸-氢氟酸-高氯酸消解,ICP-AES测定铁矿中砷和钒的方法.该方法检出限砷为50mg/kg,钒为8mg/kg;相对标准偏差(RSD)砷为4.92%以下,钒为4.37%以下;加标回收率砷在95.3%-105.0%之间,钒在96.5%-102.1%之间.本法可以对铁矿中的砷和钒进行较为理想测定.     

ICP-AES测定金红石中的二氧化锆、三氧化二铁、二氧化硅含量

叙述了ICP-AES测定金红石中二氧化锆、三氧化二铁、二氧化硅含量的方法。将样品用过氧化钠-氢氧化钠混合熔剂熔融,采用基体匹配扣除基体干扰,被测杂质元素不用分离,直接测定。     

ICP-AES测定金属钯中的杂质

建立了电感耦合等离子体发射光谱(ICP-AES)，同时测定金属钯中Ag、Al、As、Au、Bi、Ca、Co、Cr、Cu、Fe、Ir、Mg、Mn、Mo、Ni、Pb、Pt、Rh、Ru、Sb、Si、Sn、Ti、Zn等杂质含量的方法。方法简便、快速、准确。各杂质的测定精密度在0．25％-3．0％之间，检出限在0．020-0．062(μg／g)之间，回收率在85％～100％之间。     

ICP-AES测定地表水中总砷

用ICP—AES测定地表水中总砷，检出限为：2．97μg/L，回收率在95％-105％之间，相对标准偏差为1.13％-2．24％，结果令人满意。     

ICP-AES测定车用无铅汽油中的铅

ICP-AES测定车用无铅汽油中的铅含量，与标准中规定的测定方法(AAS)相对照，结果显示，ICP-AES测定的铅含量与AAS法测定值基本相同。RSD(n=11)小于4.37%。本方法操作简便、分析速度快、结果准确。     

ICP-AES分析纳米二氧化硅表面吸附的金属元素含量

纳米二氧化硅有着优越的亲水性、稳定性,已广泛应用在涂料、橡胶、医药、造纸等行业。近年来,它又被开发应用到农业,食品等领域。因而,对纳米二氧化硅中有害金属元素和杂质金属元素的检测显得非常重要。本文探索了ICP-AES法检测高纯纳米二氧化硅中Pb、Mn、Zn3种元素含量,实验中得到该方法对3种元素的检出限分别为:0.021、0.0003、0.0057mg/L,三种元素的RSD均小于1%,回收率99%—102%。最后称取3份样品做平行分析检测,得到元素含量基本相同。     

ICP-AES测定工业硫酸中的铁、砷、铅和汞

用ICP-AES同时测定工业硫酸样品中的铁、砷、铅、汞.方法加标回收率为97%-110%,11次测定的RSD(n=11)小于2.4%.方法操作方便,分析速度快,结果准确.     

XRF法测定铁矿石中TFe、SiO2和P

四硼酸锂为熔剂 ,钴为内标 ,高温熔融法对铁矿石进行均一处理 ,X射线荧光光谱法测定铁矿石中TFe、Si O2 和 P,取得满意结果。     

ICP-AES同时测定新型复合脱氧剂铝锰钛镁中铝、钛和镁

用微波消解样品,电感耦合等离子体发射光谱法(ICP-AES)同时测定新型复合脱氧剂铝锰钛镁中的铝、钛、镁,确立了仪器的最佳分析条件.方法简单、快速、灵敏度高,结果可靠.     

水泥样品的ICP-AES法同时多组分检测研究

水泥化学分析的传统方法,实验过程冗长。本文研究了以王水+氢氟酸+高氯酸+盐酸溶样及采用水泥标准样品配制工作用标准溶液,建立了水泥样品中CaO,MgO,Fe₂O₃,Al₂O₃和TiO₂五种组分含量快速测定的等离子体发射光谱法(ICP-AES)。讨论了基体干扰、元素的光谱干扰的影响。研究了方法的检出限和精密度,方法的检出限为3.79×10-4μg·mL-1～1.07×10-2μg·mL-1,回收率为87.5%～105.6%,RSD小于1%。研究结果表明,该方法能满足快速检验的要求。     

ICP-AES测定Beta沸石分子筛中的Si和Al

研究了Beta沸石分子筛中Si、Al元素的ICP-AES分析方法，考察了溶液中酸度、高频功率、积分时间对测定的影响，以及共存元素间的相互干扰及干扰的校正方法。优化了工作条件，方法的相对标准偏差均小于5％，回收率为98％-105％。     

Al2O3介质层厚度对AlGaN/GaN金属氧化物半导体-高电子迁移率晶体管性能的影响

在蓝宝石衬底上采用原子层淀积法制作了三种不同Al₂O₃介质层厚度的绝缘栅高电子迁移率晶体管.通过对三种器件的栅电容、栅泄漏电流、输出和转移特性的测试表明：随着Al₂O₃介质层厚度的增加,器件的栅控能力逐渐减弱,但是其栅泄漏电流明显降低,击穿电压相应提高.通过分析认为薄的绝缘层能够提供大的栅电容,因此其阈值电压较小,但是绝缘性能较差,并不能很好地抑制栅电流的泄漏;其次随着介质厚度的增加,可以对栅极施加更高的正偏压,因此获 关键词： 2O₃')" href="#">Al₂O₃ 金属氧化物半导体-高电子迁移率晶体管 介质层厚度 钝化     

CuO/Al2O3、CuO/CeO2-Al2O3和CuO/La2O3-Al2O3催化剂中CuO物种被CO氧化的比较

用浸渍法制备了CuO/Al2O3 (Cu/Al)、CuO/CeO2- Al2O3 (Cu/CeAl)和CuO/La2O3-Al2O3(Cu/LaAl)催化剂. 通过原位XRD、Raman和H2-TPR方法， 对催化剂中的CuO物种以及CuO-Al2O3的固-固相反应进行了表征. 结果表明，对于Cu/Al催化剂，CuAl2O4存在于CuO与Al2O3层之间，CuO以高分散和晶相两种相态存在于催化剂的表层；对于Cu/CeAl催化剂，除了少量高分散和晶相的CuO存在于表层外，大部分CuO迁移到了CeO2的内层，     

关于MgB2/Al2O3超导薄膜电阻转变和各向异性的研究

利用电子束蒸发方法将MgB2超导薄膜沉积到Al2O3(001)衬底上.采用标准的四引线法研究了磁场平行和垂直超导薄膜ab平面下的电阻转变.一个激活能模型 U(T,H)= U0(1-T/(Tc+δ))n (1-H/Hc2(0))m被建立用来分析超导薄膜磁通线的激活能和电阻转变,结果表明该模型能够在整个转变温度范围描述超导体磁通线的激活能和电阻转变.另外,利用多项式Hc2(t)=Hc2(0)+At+Bt2分析了MgB2/Al2O3超导薄膜的上临界磁场,获得了该超导薄膜的各向异性参数γ=Hc2ab(0)/Hc2c(0)= 2.26.