基区重掺杂的高电流增益AlGaAs/GaAs异质结双极晶体管

研究了AlGaAs/GaAs异质结双极晶体管(HBT)的电流增益和AlGaAs/GaAs异质结二极管(HD)的发光强度随偏压的变化。HBT的发射板-基极结的理想因子接近于1,这与HD中发光强度随偏压的变化关系相一致。重掺杂基区HBT电流增益的降低被认为是基区中非辐射复合电流所引起。在基区掺杂为2×10~(10)cm~(-3)的HBT中得到80的高电流增益。     

碳掺杂GaAs激光器侧向扩展电流的研究

实验研究了碳掺杂ＧａＡｓ激光器帽层的侧向扩展电流对阈值的影响。     

几种掺杂浓度的GaAs表面Si-δ掺杂结构研究

本文利用了光调制光谱（ＰＲ），原位测量了ＧａＡｓ（００１）表面Ｓｉ－δ掺杂结构样品，研究了不同掺杂浓度对Ｓｉ－δ掺杂相关的光谱结构的影响，观察到了Ｓｉ－δ掺杂结构中，价带连续态到导带半Ｖ－形势阱中子带的跃迁，观察到该跃迁相随掺杂浓度增加先向高能移动，而后达到饱和．用简单的三角势模型，在理论上计算了面掺杂浓度２．４×１０１４ｃｍ－２时，半Ｖ－形势阱中子带的能级位置，波函数的分布及光吸收系数，与实验结果相一致．     

低掺杂浓度n型GaAs欧姆接触的研究

利用传输线方法（TLM）重点研究了低掺杂浓度（2×1017at/cm3）n型GaAs接触层的欧姆接触,通过改变AuGe/Ni的厚度比、合金化的温度和时间等参数,获得了最优化的制备条件：AuGe/Ni/Au的厚度为50nm/25nm/100 nm,退火温度为400 ℃,退火时间为120s时,欧姆接触电阻率为最低3.52×10-4Ωcm-2,这一结果为量子阱结构太赫兹探测器芯片的制备奠定了基础。     

基于Si和Te掺杂隧道结的GaAs垂直串联单色光伏电池比较研究

隧道结(TJ)是高压垂直多光伏电池(HVVMPC)的关键技术之一.开展了基于掺硅和掺碲AlGaAs/GaAs TJ制备的HVVMPC的性能对比研究.构建测试系统,对两种器件在不同光功率和温度下的输出性能进行了比较研究,分析得到两种器件的功率系数和温度系数,结果表明掺Te的HVVMPC具有较高的效率.在此基础上,还讨论了...     

高斯掺杂分布GaAs肖特基结的雪崩击穿电压

由离子注入掺杂半绝缘GaAs 所得到的材料可视为生长在半绝缘衬底上的高斯分布层.高斯掺杂分布用峰值浓度、投影射程和标准偏离三个参量来表征.在DJS-130计算机上用数值方法计算了各种不同参量下的耗尽层宽度、最大电场和击穿电压,计算结果用图表示.计算证实,高斯掺杂分布GaAs 肖特基结的雪崩击穿行为,类似于具有不同程度的i层的p-i-n结构.     

GaAs中子嬗变掺杂初探

<正>在制备大功率整流器、可控硅、硅靶摄像管、核探测器和集成电路等方面中子嬗变掺杂(简称NTD)硅已经得到广泛应用.近来,GaAs等化合物半导体材料的中子嬗变掺杂亦有报导.     

GaAs／AlAs异质结构隧道电流的计算和异质结限累管初探

本文从单带双谷模型出发计算了GaAs/AlAs异质结量子阱中的隧道电流同外加电压之间的关系。研究了隧道电流同量子阱结构和电场间的关系以及隧道过程中的状态转换效应。在此基础上提出了利用异质结中的状态转换特性来制作X谷电子发生器的可能性。讨论了这种发生器在器件设计中的应用以及异质结限累管的初步设计。     

GaAs半导体掺杂浓度的电反射光谱的研究

在波长300～1 100nm范围内,对GaAs进行了电反射光谱的研究。建立了电反射光谱的测试系统,并对实验和理论作了详细分析。推导了某一固定波长电反射光谱与半导体表面掺杂浓度的理论关系。并利用电反射光谱的实验曲线计算了GaAs的表面掺杂浓度,所得结果与电化学C—V的测试结果一致,其精度为5％。     

MOCVD GaAs中Zn和S的掺杂机制和p-n结材料制备

在界面平衡理论基础上,考虑到杂质掺入和蒸发的细致过证,建立了GaAs中掺S、Zn的理论公式。所预言的工艺参数对载流于浓度影响的趋势同实验结果相一致,从而解释了以往文献中所不能解释的载流子浓度随三甲基镓(TMG)分压变化的实验现象。在掺杂研究的基础上,生长了GaAs p-n结,获得了良好的单结特性。     

峰值掺杂结合线性掺杂对CNTFETs高频特性和开关特性影响

To overcome short-channel effects(SCEs) in high-performance device applications,a novel structure of CNTFET with a combination of halo and linear doping structure(HL-CNTFET) has been proposed.It has been theoretically investigated by a quantum kinetic model,which is based on two-dimensional non-equilibrium Green’s functions solved self-consistently with Poisson’s equations.We have studied the effect of halo doping and linear doping structure on static and dynamical performances of HL-CNTFET.It is demonstrated that a halo doping structure can decrease the drain leakage current and improve the on/off current ratio,and that linear doping can improve high-frequency and switching performance.     

GaAs/AlGaAs量子阱隧道电流的压力效应

本文使用单带双谷模型计算了通过AlGaAs势垒的隧道电流的压力系数.计算中考虑了能谷的非抛物线性,Г,X两个能谷的贡献以及电场的作用,说明了电流压力系数随电场增强而下降以及大压强下隧道电流对数偏离线性的实验现象.在此基础上进一步研究了加压GaAs/AlAs量子阱隧道电流中的Г-X混和效应.     

分子束外延选择性掺杂的GaAs/N-GaAlAs异质结

利用分子束外延技术制备了选择性掺杂的GaAs/N-AlGaAs异质结,22K时,该结构的迁移率达到 223,000cm~2/V.s,相应的薄层电子浓度为 5.7 × 10~(11)cm~(-2).在低温强磁场下,观察到异质结电子系统的二维SdH振荡特性和量子化Hall效应.     

GaAs中子嬗变掺杂的初步研究

采用未掺杂的GaAs晶体进行了中子嬗变掺杂试验.热退火处理能有效地消除辐照引入的晶格损伤.辐照后的晶体经800℃在氢气气氛下处理2.5小时,掺杂浓度与预期掺杂量接近.采用电化学C-V法测定掺杂均匀性,结果表明掺杂浓度的相对标准偏差小于5％.     

掺杂浓度对Co掺杂ZnO纳米棒的铁磁性的影响

采用化学气相沉积(CVD)方法制备出3种掺杂浓度的Co掺杂ZnO纳米棒。使用EDX(en-ergy dispersive X-ray)能谱,测得3种ZnO纳米棒中Co元素的掺杂浓度分别为0.4、1.4和2.4%。X射线衍射(XRD)分析表明,三个样品均为ZnO的六方铅锌矿结构,并沿着c轴取向择优生长。磁化曲线显示,掺杂浓度为0.4%的Co掺杂ZnO纳米棒为顺磁性,随着掺杂浓度的增大,Co掺杂ZnO纳米棒转变为铁磁性。扩展X射线吸收精细结构谱表明,Co掺杂ZnO纳米棒的铁磁性源于ZnO纳米棒中的Co金属团簇。     

三结GaAs电池损伤对输出特性的影响研究

针对发生损伤后三结GaAs电池的电学特性进行了研究。从三结电池的等效电路模型出发,根据光伏效应相关理论,建立了GaAs三结电池损伤分析模型,具体计算了损伤发生在不同位置时,光电池输出电压、功率、效率的变化。结果表明,顶结发生热熔损伤对电池的电学特性影响最大,将直接导致光电转换效率下降17.23%。中结发生热熔损伤对电池的电学特性影响次之,将引起4.23%的效率下降。底结损伤对电池的电学特性影响相对最小,所导致的光电转换效率下降量为2.42%。     

GaAs的中子嬗变掺杂

文章介绍了ＧａＡｓ的中子嬗变掺杂的优点，砷化镓的ＮＴＤ原理，以及ＮＴＤ－ＧａＡｓ的退火过程，并简要介绍了国外ＧａＡｓ的ＮＴＤ研究进展和结果。     

GaInP／GaAs异质结双极晶体管中的电流输运机理

ＧａＩｎＰ／ＧａＡｓ异质结双极晶体管中的电流输运机理＝ＣｕｒｒｅｎｔｔｒａｎｓｐｏｒｔｍｅｃｈａｎｉｓｍｉｎＧａＩｎＰ／ＣａＡｓｈｅｔｅｒｏｊｕｎｃｔｉｏｎｂｉｐｏｌａｒｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ［刊，英］／Ｌｉｎ，Ｗ．…ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．ＥｌｅｃＤｅ...     

掺杂硫酸浓度对聚苯胺膜性能的影响

采用循环伏安法在镍基底上制得聚苯胺(PAn)膜,研究了硫酸掺杂剂的浓度对PAn膜聚合过程、电致变色性能、微观形貌及结构的影响。结果表明,在参比电压为–0.2~+1.4 V范围内,该膜的颜色可以在黄绿–绿–深蓝间可逆变化;在0.4 mol/L的掺杂H2SO4浓度下聚合反应平稳进行,所得PAn为晶态纳米纤维网结构。过低或过高的酸度下,PAn几何尺寸增大,为非晶态纳米颗粒,其电致变色性能变差。     

表面掺杂浓度对低压TVS的影响研究

瞬态电压抑制器(TVS)是一种二极管形式的接口保护器件,其中低压TVS通常由低阻外延层和其表面的高浓度掺杂区构成。在芯片制造工艺过程中,圆片的表面掺杂浓度对器件特性有很大的影响,非正常的杂质扩散变化极易导致器件参数异常。文章就某低压TVS制造过程中出现的参数异常进行了排查,确认异常原因为表面掺杂浓度过高,并就表面掺杂浓度与器件参数的变化趋势进行了分析,并通过实验得到验证。